本申请公开了一种灰化设备和灰化设备的传送方法，灰化设备包括至少一个灰化腔室、承载台、第一初始端、至少一个上料端、第二初始端、升降台和夹具，所述灰化腔室中设有窥视窗口，所述第一初始端与所述窥视窗口的正投影相对应；所述夹具在所述第一初始端和...

本申请公开了一种清洗硅片的方法及其装置，包括步骤：用40％

本申请涉及一种半导体器件的制备方法及半导体器件，该半导体器件的制备方法包括提供清洗后的硅片，通入液态磷源在第一温度下进行扩散以在硅片上形成掺杂区；对硅片第一面的掺杂区打磨预设深度，采用液态硼源在硅片第一面涂覆预设厚度；使硅片在第二温度下...

本申请涉及一种芯片的制备方法及芯片。该芯片的制备方法包括提供晶圆，晶圆包括划片道区域和管芯区域，划片道区域至少包围部分所述管芯区域；获取划片道区域所需的第一尺寸；根据划片道区域所需的第一尺寸，确定管芯区域所需的第二尺寸；根据管芯区域所需...

本申请公开了一种硅片的湿法蚀刻方法和装置，步骤包括，将表面形成有金属膜层的硅片浸入金属蚀刻液中；等待反应预设时间，将反应后的硅片提离金属蚀刻液；重复将反应后的硅片浸入金属蚀刻液中，并等待反应预设时间，将反应后的硅片提离金属蚀刻液，直至硅...

本申请涉及一种肖特基二极管及肖特基二极管的制备方法，其中，肖特基二极管包括外延层、第一氧化层、势垒层、第一金属层以及第二金属层，其中，外延层设置有PN结，PN结沿外延层厚度方向将外延层划分为P区和N区，外延层还设置有环形凹槽，环形凹槽的...

本申请公开了一种定位装置及扩散炉，调节机构包括固定支架、角度调节装置、角度传感器、计算模块、以及控制装置；固定支架通过角度调节装置与底座可转动连接，碳硅桨的一端与固定支架水平连接，控制装置设置在底座上，且与角度调节装置连接；角度传感器、...

本发明公开了一种真空箱门及真空箱，真空箱门包括底座、连接片和插销；所述底座开设有第一插销孔，在所述连接片上开设有第二插销孔，所述插销穿过所述第一插销孔和第二插销孔后将所述底座与连接片连接起来，所述底座与连接片可绕所述插销相对转动；所述底...

本发明公开了一种真空箱门锁装置及真空箱，该门锁装置包括锁紧组件和门把手组件，分别设置在真空箱的箱体和门板上，锁紧组件包括锁紧固定块和锁紧件；锁紧固定块固定安装在箱体上，而锁紧件安装在所述锁紧固定块上；门把手组件包括固定接触块以及旋转件；...

本申请公开了一种芯片及其制作方法，所述芯片的制作方法包括：分别将高纯单晶硅片的其中一面进行抛光处理，以及将低纯单晶硅片的其中一面进行抛光处理；将所述高纯单晶硅片的抛光面和所述低纯单晶硅片的抛光面对准预键合以形成预键合硅片，并将所述预键合...

本申请公开了一种半导体结构及其形成方法和臭氧清洗设备，所述半导体结构的形成方法包括：对半导体结构中的硅片进行干蚀刻，形成沟槽；清洗所述沟槽；在所述沟槽的表面形成氧化层；蚀刻掉所述氧化层，并使所述沟槽的底部和侧壁之间形成光滑曲面。本申请在...

本申请公开了芯片及其制作方法，所述芯片包括依次堆叠设置的硅片、外延层和势垒层，所述硅片的其中一面上设有沟槽，所述外延层和势垒层设置在所述硅片中设有沟槽的一面上，且覆盖所述沟槽；所述势垒层、势垒层正下方的外延层形成势垒区。本申请通过在硅片...

本申请公开了电镀挂具和电镀装置，所述电镀挂具包括下载板、固定结构、导电结构、阴极接口和突出部，所述下载板上设有用于放置晶圆的晶圆槽，所述固定结构用于将所述晶圆固定在所述晶圆槽内，用于使所述晶圆的背面密封，且使所述晶圆的正面外露；所述导电...

本实用新型提供了一种晶圆装载机及光刻机，所述晶圆装载机包括并排设置的晶圆上片单元和晶圆卸片单元；所述晶圆上片单元包括：上片卡塞、上片传送装置以及进片口输出端；所述晶圆卸片单元包括：出片口接收端、装片传送装置以及接片卡塞；所述晶圆卸片单元...