一种芯片及其制作方法技术

本申请公开了一种芯片及其制作方法，所述芯片的制作方法包括：分别将高纯单晶硅片的其中一面进行抛光处理，以及将低纯单晶硅片的其中一面进行抛光处理；将所述高纯单晶硅片的抛光面和所述低纯单晶硅片的抛光面对准预键合以形成预键合硅片，并将所述预键合硅片置于键合腔室内部以形成键合硅片；对所述键合硅片的高纯单晶硅片面进行抛光处理，并在抛光处理后的所述高纯单晶硅片面上依次形成外延层和功能器件。本申请利用低纯单晶硅片作为牺牲层，得以减小整个高纯单晶硅片的厚度，极大地降低了高纯单晶硅片和芯片的材料成本。了高纯单晶硅片和芯片的材料成本。了高纯单晶硅片和芯片的材料成本。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片及其制作方法


[0001]本申请涉及半导体集成电路制造工艺，尤其涉及一种芯片及其制作方法。

技术介绍

[0002]随着信息社会的快速发展，作为信息产业的最基础的半导体器件也相应地朝着高性能、低成本方向发展。其中半导体二极管的市场规模、电性能大幅度提升。无论市场需求，还是器件制造商都迫切期待新的二极管芯片工艺的出现，以满足低成本、高性能的需要。
[0003]现有用于6英寸芯片外延技术制作的高纯度(纯度99.9999999％)硅材料基片的厚度一般为625um，芯片制作完成后最终厚度只需要100
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300um的硅材料基片，相当于浪费了300um以上的硅材料基片，而高纯度硅材料价格较高，使得芯片的生产成本非常高。

技术实现思路

[0004]本申请的目的是提供一种芯片及其制作方法，能够降低芯片生产成本。
[0005]本申请公开了一种芯片的制作方法，包括步骤：
[0006]分别将高纯单晶硅片的其中一面进行抛光处理，以及将低纯单晶硅片的其中一面进行抛光处理；
[0007]将所述高纯单晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片的制作方法，其特征在于，包括：分别将高纯单晶硅片的其中一面进行抛光处理，以及将低纯单晶硅片的其中一面进行抛光处理；将所述高纯单晶硅片的抛光面和所述低纯单晶硅片的抛光面对准预键合以形成预键合硅片，并将所述预键合硅片置于键合腔室内部以形成键合硅片；以及对所述键合硅片的高纯单晶硅片面进行抛光处理，并在抛光处理后的所述高纯单晶硅片面上形成外延层和功能器件，以制作出芯片。2.如权利要求1所述的一种芯片的制作方法，其特征在于，所述分别将高纯单晶硅片的其中一面进行抛光处理，以及将低纯单晶硅片的其中一面进行抛光处理，具体包括：对所述高纯单晶硅片的其中一面先进行粗抛光处理，再进行精抛光处理；对所述低纯单晶硅片的其中一面先进行粗抛光处理，再进行精抛光处理。3.如权利要求2所述的一种芯片的制作方法，其特征在于，所述粗抛光处理的抛光深度在15
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20um之间，所述精抛光处理的抛光深度在5
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10um之间。4.如权利要求1所述的一种芯片的制作方法，其特征在于，在所述分别将高纯单晶硅片的其中一面进行抛光处理，以及将低纯单晶硅片的其中一面进行抛光处理的步骤中，所述高纯单晶硅片的抛光深度和所述低纯单晶硅片的抛光深度在20
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30um之间。5.如权利要求3所述的一种芯片的制作方法，其特征在于，所述高纯单晶硅片的抛光面的表面粗糙度在1.5
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5.5um之间，所述低纯单晶硅片的抛光面的表面粗糙度在1.5
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5.5um之间。6.如权利要求1
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5任意一项所述的一种芯片的制作方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：史仁先，王国峰，
申请(专利权)人：青岛惠芯微电子有限公司北海惠科半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：