一种TVS生产工艺制造技术

一种TVS生产工艺，属于半导体技术领域。其特征是，在硅片光刻后通过带胶蒸发的芯片生产工艺，在引线孔光刻后不需要去胶清洗后蒸发，而是进行带胶蒸发，之后可通过贴膜揭膜将正面不需要的金属和胶以物理方式去除，减省了金属光刻工艺，从而达到缩短生产周期、减少生产成本的目的。本的目的。本的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种TVS生产工艺


[0001]本专利技术涉及一种TVS生产工艺，属于半导体


技术介绍

[0002]TVS(Transient Voltage Suppressor)芯片是瞬态抑制二极管，是目前市场上普遍使用的一种高效能半导体电路保护器件。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10的负12次方秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。
[0003]由于TVS具有响应速度快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点，已广泛应用于计算机系统、通讯设备、交/直流电源、汽车、电子镇流器、家用电器、仪器仪表(电度表)、共模/差模保护、RF耦合/IC驱动接收保护、电机电磁波干扰抑制、声频/视频输入、传感器/变速器、工控回路、继电器、接触器噪音的抑制等各个领域。
[0004]现半导体TVS芯片的生产工艺一般包括引线孔光刻、正面蒸发、金属光刻工序，该生产工艺需要在引线孔光刻时进行腐蚀去胶，然后在芯片表面进行正面蒸铝，再进行金属光刻，去除不要的金属区域，最终形成表面金属电极。因此，该流程生产周期长，成本较高。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是提供一种TVS生产工艺，以缩短现有工艺周期，减少过程损耗降低生产成本。
[0006]本专利技术的技术方案如下：
[0007]一种TVS生产工艺，其特征是，在硅片光刻后通过带胶蒸发，后通过贴膜、揭膜将硅片正面不需要的金属和胶去除，以缩短生产周期。
[0008]采用上述方案，通过带胶蒸发工艺来改善工艺流程，既缩短了工艺流程周期又节省了生产成本。
[0009]进一步的，一种TVS生产工艺，其特征是，包括以下步骤：
[0010]1)将硅片双面抛光；
[0011]2)磷扩散及表面氧化：
[0012]将双面抛光处理后的硅片进行表面处理，后将硅片与磷纸源叠放在一起，排列好后将硅片与磷纸源一起放在扩散炉中，通入氧气与氮气进行磷扩散，形成磷扩散层N+区及非扩散层N
‑
区，再通入湿氧进行氧化，形成氧化层；
[0013]3)一次光刻：
[0014]将磷扩散氧化出炉的硅片进行一次光刻，包括涂胶、显影、坚膜、腐蚀、去胶；
[0015]4)硼预扩：
[0016]经过一次光刻后的硅片进行硼预扩，通入氧气与氮气进行预扩；
[0017]5)硼氧化：
[0018]硼预扩后的硅片进行氧化，通入氧气与氮气进行氧化；
[0019]6)硼再扩：
[0020]硼氧化后的硅片进行再扩，通入氧气与氮气进行硼再扩散，形成硼扩散层P+区；
[0021]7)引线孔光刻：
[0022]经过步骤6)处理后的硅片进行引线孔光刻，光刻后进行腐蚀，腐蚀后保留表面光刻胶，不需要去胶处理；
[0023]8)正面蒸发：
[0024]经过步骤7)处理后的硅片进行正面金属蒸发，此工序为带胶蒸发；
[0025]9)贴膜揭膜：
[0026]贴蓝膜然后再撕蓝膜，目的是将带胶区域的金属及光刻胶以物理方式去除；
[0027]10)金属合金：
[0028]经过步骤9)处理后的硅片进行正面金属合金，以形成正面电极层；
[0029]11)背面蒸发：
[0030]经过步骤10)处理后的硅片进行背面金属蒸发，以形成背面电极层；
[0031]12)最终硅片进行测试后入库。
[0032]本专利技术通过带胶蒸发的芯片生产工艺，在引线孔光刻后不需要去胶清洗后蒸发，而是进行带胶蒸发，之后可通过贴膜揭膜将正面不需要的金属和胶以物理方式去除，减省了金属光刻工艺，从而达到缩短生产周期、减少生产成本的目的。
附图说明
[0033]图1为实施例1生产制得的TVS产品结构示意图；
[0034]图中：磷扩散层N+区1、非扩散层N
‑
区2、氧化层3、硼扩散层P+区4、正面电极层5、背面电极层6。
具体实施方式
[0035]实施例1
[0036]如图1所示，一种TVS生产工艺，包括以下步骤：
[0037](1)原硅片进行双面抛光处理，厚度去除3
‑
5μm即可；
[0038](2)表面处理后的硅片与磷纸源叠放在一起，排列好后将硅片与磷纸源一起放在扩散炉中，将温度控制在1000
‑
1100℃范围内，时间约6
‑
8小时，通入一定比例的氧气与氮气进行磷扩散，形成磷扩散层N+区1及非扩散层N
‑
区2，然后将温度控制在1100
‑
1200℃范围内，时间约6
‑
8小时，通入湿氧进行氧化，形成氧化层3；
[0039](3)将磷扩散氧化出炉的硅片进行一次光刻(包括涂胶、显影、坚膜、腐蚀、去胶)；
[0040](4)一次光刻后的硅片进行硼预扩，将温度控制在1000
‑
1100℃范围内，时间约6
‑
8小时，通入一定比例的氧气与氮气进行预扩；
[0041](5)硼预扩后的硅片进行氧化，将温度控制在1100
‑
1200℃范围内，时间约3
‑
6小时，通入一定比例的氧气与氮气进行氧化；
[0042](6)氧化后的硅片进行再扩，将温度控制在1200
‑
1300℃范围内，时间约7
‑
12小时，
通入一定比例的氧气与氮气进行硼再扩散，形成硼扩散层P+区4；
[0043](7)步骤(6)产品进行引线孔光刻，光刻后进行腐蚀，腐蚀后保留表面光刻胶，不需要去胶处理，注意此工序腐蚀后不要去胶；
[0044](8)步骤(7)产品进行正面金属蒸发，此工艺为带胶蒸发，蒸发真空度2.0E—6torr至4.0E—6torr，蒸发速率行星架转速6—8rpm，蒸发温度控制在80
‑
100℃；
[0045](9)步骤(8)产品贴蓝膜然后再撕蓝膜，目的是将带胶区域的金属及光刻胶以物理方式去除；
[0046](10)步骤(9)产品进行正面金属合金，形成正面电极层5；
[0047](11)步骤(10)产品进行背面金属蒸发，形成背面电极层6；
[0048](12)最终产品进行测试后入库。
[0049]实施例2
[0050]一种TVS生产工艺，包括以下步骤：
[0051](1)原硅片进行双面抛光处理，厚度去除4μm即可；
[0052](2)表面处理后的硅片与磷纸源叠放在一起，排列好后将硅片与磷纸源一起放在扩散炉中，将温度控制在1050℃范围内，时间约7小时，通入一定比例的氧气与氮气进行磷扩散，形成磷扩散层N+区1及非扩散层N
‑
区2，然后将本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种TVS生产工艺，其特征是，在硅片光刻后通过带胶蒸发，后以物理方式去胶，以缩短生产周期。2.根据权利要求1所述的一种TVS生产工艺，其特征是，所述物理方式具体做法为：通过贴膜、揭膜将硅片正面不需要的金属和胶去除。3.根据权利要求1所述的一种TVS生产工艺，其特征是，将硅片双面抛光后依次进行磷扩散及表面氧化、一次光刻、硼预扩、硼氧化、硼再扩、引线孔光刻、正面蒸发、贴膜揭膜、金属合金、背面蒸发的工序，最后进行测试入库；其中，硅片在引线孔光刻后无需去胶清洗，而是带胶进行正面蒸发。4.根据权利要求3所述的一种TVS生产工艺，其特征是，所述磷扩散及表面氧化做法为：将双面抛光处理后的硅片进行表面处理，后将硅片与磷纸源叠放在一起，排列好后将硅片与磷纸源一起放在扩散炉中，通入氧气与氮气进行磷扩散，形成磷扩散层N
+
区及非扩散层N
‑
区，再通入湿氧进行氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：焦丹钧，钱林春，刘宗帅，王超，
申请(专利权)人：江苏汀普微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：