STD芯片生产工艺制造技术

STD芯片生产工艺，属于半导体技术领域。其特征是，将硅片分成两组处理，硅片A的磷扩散、硅片B的硼扩散同时进行，再将硅片A和硅片B进行键合，以缩短生产周期。本发明专利技术利用键合工艺将N

【技术实现步骤摘要】
STD芯片生产工艺


[0001]本专利技术涉及一种新型的STD芯片生产工艺，属于半导体


技术介绍

[0002]整流管是一种将交流电转化为单一方向的脉动直流电的半导体元器件，整流管内的芯片多用半导体材料单晶硅制造。
[0003]现有的STD(StandardRectifierChip，普通整流管芯片)的生产工艺通常是将为将原硅片先进行磷扩后，进行单面减薄处理，再将处理面进行硼扩散，达到硅片一面磷一面硼的目的，形成PN结，之后进行一系列处理，最终芯片产出。现有的STD芯片生产工艺流程时间大约为一个月左右，生产周期相对较长，增加了生产成本。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是针对上述现有技术的不足，提供一种新型的STD芯片生产工艺，以解决STD芯片生产周期较长的问题。
[0005]本专利技术的技术方案如下：
[0006]STD芯片生产工艺，其特征是，将硅片分成两组处理，硅片A的磷扩散、硅片B的硼扩散同时进行，再将硅片A和硅片B进行键合，以缩短生产周期。
[0007]上述技术方案，改变本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.STD芯片生产工艺，其特征是，将硅片分成两组处理，硅片A的磷扩散、硅片B的硼扩散同时进行，再将硅片A和硅片B进行键合，以缩短生产周期。2.根据权利要求1所述的STD芯片生产工艺，其特征是，包括以下步骤：1）硅片A、硅片B分开处理；硅片A：将硅片A依次进行表面处理、磷扩散、分片及表面处理、单面减薄处理、抛光处理；硅片B：将硅片B依次进行表面处理、硼扩散、单面减薄处理、抛光处理；2）将扩散后的硅片A、硅片B进行键合；3）键合后的硅片依次进行表面处理、开沟清洗、玻璃钝化、去除氧化层、金属化，最后进行切割包装。3.根据权利要求2所述的STD芯片生产工艺，其特征是，步骤1）中，硅片A的磷扩散做法如下：将表面处理后的硅片A与磷纸源叠放在一起，排列好后放在扩散炉中，通入氧气与氮气进行磷扩散，形成磷扩散层N
+
区和非扩散层N
‑
区。4.根据权利要求2或3所述的STD芯片生产工艺，其特征是，步骤1）中，将磷扩散出炉的硅片A放入氢氟酸中进行分片处理及表面清洗处理。5.根据权利要求2所述的STD芯片生...

【专利技术属性】
技术研发人员：焦丹钧，钱林春，刘宗帅，王超，
申请(专利权)人：江苏汀普微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：