接合用晶片结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种接合用晶片结构及其制造方法，所述接合用晶片结构包括支撑基板、接合层以及碳化硅层。接合层形成在支撑基板的表面，碳化硅层接合在所述接合层上，其中碳化硅层的碳面与接合层直接接触。所述碳化硅层的基面线性差排缺陷(BPD)在1000ea/cm2～20000ea/cm2之间，所述碳化硅层的总厚度变异量(TTV)大于所述支撑基板的总厚度变异量，所述碳化硅层的直径等于或小于所述支撑基板的直径。所述接合用晶片结构的TTV小于10μm、弯曲度(Bow)小于30μm以及翘曲度(Warp)小于60μm。于30μm以及翘曲度(Warp)小于60μm。于30μm以及翘曲度(Warp)小于60μm。

【技术实现步骤摘要】
接合用晶片结构及其制造方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体接合技术，尤其涉及一种接合用晶片结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]外延(Epitaxy)是指在晶片上长出新结晶，以形成半导体层的技术。由于以外延工艺所形成的膜层具有纯度高、厚度控制性佳等优点，因此已经广泛应用于射频器件或功率器件的制造中。
[0003]然而，一般外延成长的晶片或晶锭，因为邻近晶种的外延结构缺陷多、应力大，所以通常舍弃不用，只保留品质较佳的外延结构，导致废弃成本增加。

技术实现思路

[0004]本专利技术是针对一种接合用晶片结构，能降低成本并将品质差的碳化硅晶片转用至接合用基板。
[0005]本专利技术另针对一种接合用晶片结构的制造方法，可制作出应用于射频器件或功率器件的外延工艺的接合用晶片结构。
[0006]根据本专利技术的实施例，一种接合用晶片结构包括支撑基板、接合层以及碳化硅层。接合层形成在支撑基板的表面，碳化硅层接合在所述接合层上，其中碳化硅层的碳面与接合层直接接触。所述碳化硅层的基面线性差排缺陷(BPD)在10本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种接合用晶片结构，其特征在于，包括：支撑基板；接合层，形成在所述支撑基板的一表面；以及碳化硅层，接合在所述接合层上，其中所述碳化硅层的碳面与所述接合层直接接触，所述碳化硅层的基面线性差排缺陷在1000ea/cm2～20000ea/cm2之间，所述碳化硅层的总厚度变异量大于所述支撑基板的总厚度变异量，所述碳化硅层的直径等于或小于所述支撑基板的直径，且所述接合用晶片结构的总厚度变异量小于10μm、弯曲度小于30μm以及翘曲度小于60μm。2.根据权利要求1所述的接合用晶片结构，其特征在于，所述碳化硅层的厚度小于500μm，且所述接合用晶片结构的厚度小于2000μm。3.根据权利要求1所述的接合用晶片结构，其特征在于，所述接合层的软化点在50℃～200℃之间、厚度小于100μm以及均匀度小于10％。4.根据权利要求1所述的接合用晶片结构，其特征在于，所述支撑基板的总厚度变异量小于3μm、弯曲度小于20μm、翘曲度小于40μm以及杨氏模数大于160GPa。5.根据权利要求1所述的接合用晶片结构，其特征在于，所述支撑基板包括单层或多层结构，且所述接合层包括单层或多层结构。6.根据权利要求1所述的接合用晶片结构，其特征在于，所述碳化硅层与所述支撑基板的同圆心率小于1mm。7.根据权利要求1所述的接合用晶片结构，其特征在于，还包括外延用碳化硅基板，接合在所述碳化硅层的硅面，所述外延用碳化硅基板的基面线性差排缺陷小于所述碳化硅层的基面线性差排缺陷，且所述外延用碳化硅基板的应力小于所述碳化硅层的应力。8.根据权利要求7所述的接合用晶片结构，其特征在于，还包括离子注入区，形成在所述外延用碳化硅基板内，其中所述离子注入区距离所述外延用碳化硅基板与所述碳化硅层的接合面在1μm以内。9.一种接合用晶片结构的制造方法，其特征在于，包括：在支撑基板的一表面涂布形成接合层；在所述接合层上接合碳化硅层的碳面，其中所述碳化硅层的总厚度变异量大于所述支撑基板的总厚度变异量，所述碳化硅层的直径等于或小于所述支撑基板的直径，所述碳化硅层的基面线性差排缺...

【专利技术属性】
技术研发人员：施英汝，吴伟立，罗宏章，
申请(专利权)人：环球晶圆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：