一种金属氧化物氮掺杂方法及金属氧化物薄膜晶体管技术

本发明专利技术公开了一种金属氧化物氮掺杂方法及金属氧化物薄膜晶体管，其中方法包括：在衬底上沉积一层预设厚度的金属氧化物薄膜；将获得的金属氧化物薄膜置于蒸发容器中，封闭所述蒸发容器，其中所述蒸发容器内还设有第一容器，所述第一容器内装有含氮元素有机物，所述属氧化物薄膜不与含氮元素有机物接触；将所述蒸发容器放入真空恒温环境中进行分子自组装，以在金属氧化物薄膜表面形成含氮的自组装分子层作为钝化层。本发明专利技术采用含氮的自组装分子层作为钝化层，提高ITZO TFT的稳定性；同时，含氮的钝化层通过背沟道对本方法制备的金属氧化物薄膜晶体管进行氮掺杂，优化器件在大气环境中的稳定性，可广泛应用于半导体技术。可广泛应用于半导体技术。可广泛应用于半导体技术。

【技术实现步骤摘要】
一种金属氧化物氮掺杂方法及金属氧化物薄膜晶体管


[0001]本专利技术涉及半导体技术，尤其涉及一种金属氧化物氮掺杂方法及金属氧化物薄膜晶体管。

技术介绍

[0002]无机非晶金属氧化物薄膜晶体管以其低成本、低制备温度、高可见光透过率、易弯折性及良好的电学性能等优点，在柔性平板显示领域得到了广泛的应用。其中，非晶InSnZnO(ITZO)薄膜晶体管(TFT)因其优异的电学特性，尤其是较高的迁移率而受到广泛关注。然而，由于TFT背沟道处的水和氧气吸附/解吸反应，它们也显示出较差的偏置稳定性。因此，在其应用于实际生产中前，需要解决ITZO TFT在大气环境中的稳定性问题。
[0003]目前存在一些方法可以提高ITZO TFT的环境相关稳定性。一方面，钝化层可以有效地隔离环境中的O2及H2O，从而抑制O2和H2O与环境的吸附/解吸反应。自组装单分子层/多层膜(SAMs)因其优异的化学稳定性、快速成膜、高覆盖率和低成本而适用于制备钝化层。传统的SAMs制备方法是液相法，其对湿度和溶剂纯度要求较高。与传统的液相法相比，气相法直接将聚合物材料沉积在基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属氧化物氮掺杂方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上沉积一层预设厚度的金属氧化物薄膜；将获得的金属氧化物薄膜置于蒸发容器中，封闭所述蒸发容器，其中所述蒸发容器内还设有第一容器，所述第一容器内装有含氮元素有机物，所述属氧化物薄膜不与含氮元素有机物接触；将所述蒸发容器放入真空恒温环境中进行分子自组装，以在金属氧化物薄膜表面形成含氮的自组装分子层作为钝化层；其中，真空恒温环境的温度设为40～150℃。2.根据权利要求1所述的一种金属氧化物氮掺杂方法，其特征在于，所述蒸发容器放入真空恒温环境内进行加热的时间为0.5～24小时。3.根据权利要求1所述的一种金属氧化物氮掺杂方法，其特征在于，所述金属氧化物薄膜的成分为具有n型半导体材料特性的无机金属氧化物。4.根据权利要求3所述的一种金属氧化物氮掺杂方法，其特征在于，所述无机金属氧化物为铟锌氧化物、锡锌氧化物、铟锡锌氧化物、铟镓锌氧化物或者氟锡锌氧化物。5.根据权利要求1所述的一种金属氧化物氮掺杂方法，其特征在于，所述在衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈荣盛，陈雅怡，钟伟，吴朝晖，李斌，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：