硅片含铜量的测定方法技术

本发明专利技术公开了一种硅片含铜量的测定方法，包括以下步骤：将待测硅片与陪片进行键合，得到键合硅片；将键合硅片在预设温度热处理预设时长，预设温度为400℃

【技术实现步骤摘要】
硅片含铜量的测定方法


[0001]本专利技术涉及硅片测试领域，尤其是涉及一种硅片含铜量的测定方法。

技术介绍

[0002]目前，先进集成电路的特征线宽已降低到3～7nm,并可能会继续遵循摩尔定律向更小的特征线宽发展。在这种情况下，硅片的缺陷和污染对集成电路良率带来的不利影响尤为显著，其中过渡族金属污染的危害更引起了高度重视。在先进集成电路的有源区中，微小的金属沉淀就可能导致器件失效。因此，在硅片和器件制造过程中，硅片表面的金属污染浓度都要求控制在109atoms/cm
‑2以下，甚至CIS(图像传感器)厂商要求控制在5*107atoms/cm
‑2以下。随着薄膜淀积、图形曝光与刻蚀、离子注入等工艺的设备、化学试剂以及气源等的复杂性日益增加，金属污染的可能性有所加剧。所以，在历次发布的国际半导体技术指南(International Technology Roadmap for Semiconductor，ITRS)中，都强调有效控制金属污染对提高器件良率的重要性。
[0003]在硅片和器件制造过程中，金属污染会对集成电路带本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片含铜量的测定方法，其特征在于，包括以下步骤：将待测硅片与陪片进行键合，得到键合硅片；将所述键合硅片在预设温度热处理预设时长，所述预设温度为400℃
‑
600℃，所述预设时长大于1h；在所述键合硅片冷却后，将所述键合硅片从键合处分开；测量所述待测硅片的分离面的含铜量值；根据所述待测硅片的分离面的含铜量值确定所述待测硅片的含铜量。2.根据权利要求1所述的硅片含铜量的测定方法，其特征在于，所述将待测硅片与陪片进行键合，得到键合硅片，包括：利用键合机将所述待测硅片与所述陪片对准；在利用键合机将所述待测硅片和所述陪片对准前，保证所述待测硅片和所述陪片的晶向不一致。3.根据权利要求2所述的硅片含铜量的测定方法，其特征在于，所述陪片和所述待测硅片取材于同一晶棒，在所述晶棒的长度方向上，所述陪片邻近所述待测硅片。4.根据权利要求1所述的硅片含铜量的测定方法，其特征在于，将所述键合硅片加热到预设温度的速率为0.1℃/s～50℃/s。5.根据权利要求1所述的硅片含铜量的测定方法，其特征在于，在所述键合硅片的冷却过程中，降温速率小于...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱志高，
申请(专利权)人：徐州鑫晶半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：