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本发明公开了一种硅片含铜量的测定方法，包括以下步骤：将待测硅片与陪片进行键合，得到键合硅片；将键合硅片在预设温度热处理预设时长，预设温度为400℃
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该专利属于徐州鑫晶半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过徐州鑫晶半导体科技有限公司授权不得商用。

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