【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种高性能整流管芯片的制作工艺，属于半导体。
技术介绍
1、通常，普通整流管芯片（standardrectifierchip，std）的制备方法包括：将硅片依序进行表面处理、磷扩、分片、单片减薄处理、硼扩、分片、表面处理、开沟、玻烧、金属化等，最后进行切割包装。
2、但是，现有的普通整流管芯片制备过程中，所采用的开沟处理方法一般是通过硅与酸发生化学反应（即化学蚀刻）来形成沟槽，此过程时间较长，大约为15min左右完成开沟。
3、如图1所示，化学反应后所形成的沟槽，沟槽横截面为弧形，由于在化学蚀刻之前，会在硅片表面、无需开沟区域涂覆保护胶，使硅片表面无需开沟区域不参与化学反应，所以沟槽槽顶的两侧边缘会形成鸟嘴状结构5，化学反应时间越长，沟槽槽顶两侧的形状越不规则，鸟嘴状结构就更加凸出，会造成沟槽内玻璃层厚度有差异，可能引起鸟嘴尖角放电。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是针对上述现有技术的不足，提供一种高性能整流管芯片的制作工艺，以改进现有化学蚀刻的开沟处理方法，缩短开沟时间，改善沟槽形貌，提高芯片性能，保证芯片质量。
2、本专利技术的技术方案如下：
3、一种高性能整流管芯片的制作工艺，其特征是，该芯片在制备过程中，所采用的开沟处理方法包括：
4、将需要开沟处理的硅片在清洗后，先用激光切割，形成初步加工沟槽，沟槽的深度在15-20μm；
5、然后，使用切割刀片在初步沟槽的基础上进行切割，切割刀片的
6、最后，对深度加工沟槽进行化学蚀刻，将硅片浸泡混酸处理，蚀刻时间3-6min，温度-5—-10℃，形成所需的有效沟槽。
7、上述方案中，改变原有开沟处理时只采用化学蚀刻的方法，创新性地采用先激光切割、再刀片切割、最后化学蚀刻的组合式开沟处理方法，缩短了开沟时间，改善了沟槽形貌。先用激光切割，形成初步加工沟槽，便于引导后续步骤中刀片进入开沟区域，能够大大减少刀片切割可能产生的应力破坏，不容易破片；采用刀片切割，便于加大沟槽尺寸，清扫开沟产生的硅粉，缩减开沟时间；改进后方案中所采用的化学蚀刻，可以改善物理开沟后沟槽表面光滑度，相较于以前的化学蚀刻方法，缩短了化学蚀刻时间，改善了沟槽形貌。
8、进一步的，对于切割刀片处理后形成深度加工沟槽的硅片，在化学蚀刻之前，先进行清洗，再进行一次黄光处理。
9、进一步的，上述一种高性能整流管芯片的制作工艺，包括以下步骤：
10、1）将硅片进行清洗，然后依次进行磷扩、硼扩；
11、2）将硼扩后的硅片进行上述开沟处理；
12、3）将开沟处理后的硅片进行rca清洗，去除硅片表面（包括沟槽）有机物以及杂质；
13、4）将rca清洗后的硅片进行lpcvd，在硅片表面（包括沟槽）生成半绝缘多晶硅膜；
14、5）将步骤4）处理后的硅片，进行光阻玻璃涂布，然后进行曝光、显影，得到所需图形；
15、6）将步骤5）处理后的硅片，进行玻璃高温烧结，在表面形成玻璃钝化；
16、7）将步骤6）处理后的硅片，进行lto，生成氧化膜，然后进行三次黄光处理，去除多余钝化层；
17、8）将步骤7）处理后的硅片，进行表面金属化，然后对硅片进行测试、切割，得到高性能整流管芯片。
18、上述技术方案，改变了现有普通整流管芯片的制备方法，由原来的直接采用浸泡混酸的化学蚀刻开沟方式，变为先通过物理方式开沟（为避免直接采用刀片切割致使应力集中释放而破片，采用先激光再刀片的物理方式开沟），再用化学方式进一步加工的方法，缩短了化学蚀刻开沟时间，改善沟槽鸟嘴状结构过于凸出的情况，保证了沟槽的形状，便于深尺寸沟槽的开沟，进一步提高了产品的电压，玻璃层厚度均匀，降低了产品漏电。
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1.一种高性能整流管芯片的制作工艺，其特征是，该芯片在制备过程中，所采用的开沟处理方法包括：
2.根据权利要求1所述的一种高性能整流管芯片的制作工艺，其特征是，所述初步加工沟槽的深度在15-20μm。
3.根据权利要求2所述的一种高性能整流管芯片的制作工艺，其特征是，所述切割刀片的宽度为100μm。
4.根据权利要求3所述的一种高性能整流管芯片的制作工艺，其特征是，所述深度加工沟槽的宽度为100μm、深度为70μm。
5.根据权利要求1或4所述的一种高性能整流管芯片的制作工艺，其特征是，对切割刀片处理后的硅片进行清洗，然后进行一次黄光处理。
6.根据权利要求5所述的一种高性能整流管芯片的制作工艺，其特征是，在进行化学蚀刻时，将硅片浸泡混酸处理，时间为3-6min，温度-5—-10℃。
7.根据权利要求6所述的一种高性能整流管芯片的制作工艺，其特征是，包括以下步骤：
【技术特征摘要】
1.一种高性能整流管芯片的制作工艺，其特征是，该芯片在制备过程中，所采用的开沟处理方法包括：
2.根据权利要求1所述的一种高性能整流管芯片的制作工艺，其特征是，所述初步加工沟槽的深度在15-20μm。
3.根据权利要求2所述的一种高性能整流管芯片的制作工艺，其特征是，所述切割刀片的宽度为100μm。
4.根据权利要求3所述的一种高性能整流管芯片的制作工艺，其特征是，所述深度加工沟槽的宽...
【专利技术属性】
技术研发人员：王超，钱林春，焦丹钧，刘宗帅，
申请(专利权)人：江苏汀普微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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