一种复合晶圆加工方法及采用其制备的超表面技术

本申请提供了一种复合晶圆加工方法及采用其制备的超表面，属于半导体工艺技术领域。该复合晶圆加工方法包括将第一材料和第二材料进行键合形成复合体；其中，所述第一材料的杨氏模量小于所述第二材料的杨氏模量；对所述复合体中的所述第一材料进行减薄，得到复合晶圆。本申请实施例提供的复合晶圆加工方法通过第二材料对第一材料形成支撑后，对第一材料进行减薄后形成复合晶圆，从而使第一材料适用于光刻工艺。通过该复合晶圆加工方法制备复合晶圆，并将复合晶圆用于超表面制备，克服了材料厚度和机械强度对超表面加工的限制。厚度和机械强度对超表面加工的限制。厚度和机械强度对超表面加工的限制。

【技术实现步骤摘要】
一种复合晶圆加工方法及采用其制备的超表面


[0001]本申请涉及半导体工艺
，具体而言，涉及一种复合晶圆加工方法及采用其制备的超表面。

技术介绍

[0002]超表面是一种表面具有亚波长纳米结构的人工纳米结构膜，可根据其上亚波长纳米结构形成的超结构单元来调制入射辐射。
[0003]相关技术中通常借用半导体工艺，尤其是光刻工艺，在晶圆上加工纳米结构以实现超表面的批量生产。
[0004]在实现本申请的过程中，专利技术人发现现有的方案中至少存在如下问题：
[0005]部分材料(例如硫系玻璃和锗等材料)，因其制成晶圆后的厚度无法兼容光刻工艺(通常是由于晶圆无法进入光刻机)，从而导致该材料不能用于超表面制备。

技术实现思路

[0006]有鉴于此，为解决相关技术中部分材料因其厚度而无法应用于超表面制备的技术问题，本申请实施例提供一种复合晶圆加工方法及采用其制备的超表面。
[0007]第一方面，本申请实施例提供了一种复合晶圆加工方法，包括：
[0008]将第一材料和第二材料进行键合形成复合体；其中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合晶圆加工方法，其特征在于，所述复合晶圆加工方法包括：将第一材料(101)和第二材料(102)进行键合形成复合体(103)；其中，所述第一材料(101)的杨氏模量小于所述第二材料(102)的杨氏模量；对所述复合体(103)中的所述第一材料(101)进行减薄，得到复合晶圆。2.如权利要求1所述的复合晶圆加工方法，其特征在于，所述第一材料(101)和所述第二材料(102)为片状结构。3.如权利要求1所述的复合晶圆加工方法，其特征在于，所述第一材料(101)的杨氏模量小于硅的杨氏模量。4.如权利要求3所述的复合晶圆加工方法，其特征在于，所述第一材料(101)包括硫系玻璃或锗。5.如权利要求1所述的复合晶圆加工方法，其特征在于，所述第二材料(102)的杨氏模量大于或等于硅的杨氏模量。6.如权利要求5所述的复合晶圆加工方法，其特征在于，所述第二材料(102)的材料包括硅或硅的氧化物。7.如权利要求6所述的复合晶圆加工方法，其特征在于，所述复合体(103)的厚度小于或等于5mm。8.如权利要求7所述的复合晶圆加工方法，其特征在于，所述复合体(103)的厚度小于2mm。9.如权利要求1所述的复合晶圆加工方法，其特征在于，减薄后的第一材料(101)的厚度小于或等于725μm。10.如权利要求1
‑
9任一所述的复合晶圆加工方法，其特征在于，所述键合为永久键合或临时键合。11.如权利要求10所述的复合晶圆加工方法，其特征在于，所述复合晶圆加工方法还包括：所述键合为临时键合，对所述复合晶圆进行解键合，以去除所述第二材料(102)得到第一材料晶圆。12.如权利要求11所述的复合晶圆加工方法，其特征在于，所述第一材料晶圆的厚度小于2mm。13.一种复合晶圆，其特征在于，采用如权利要求1
‑
12中任一所述的复合晶圆加工方法制作，包括第一材料(101)和第二材料(102)；其中，所述第一材料(101)和所述第二材料(102)键合，并且所述第一材料(101)的杨氏模量小于所述第二材料(102)的杨氏模量。14.如权利要求13所述的复合晶圆，其特征在于，所述第一材料(101)和所述所述第二材料(102)的厚度之和小于5mm。15.如权利要求13所述的复合晶圆，其特征在于，所述第一材料(101)和所述所述第二材料(102)的厚度之和小于或等于725μm。16.如权利要求13所述的复合晶圆，其特征在于，所述第一材料(101)的杨氏模量小于硅的杨氏模量。17.如权利要求16所述的复合晶圆，其特征在于，所述第一材料(101)包括硫系玻璃或
锗。18.如权利要求13所述的复合晶圆，其特征在于，所述第二材料(...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝成龙，谭凤泽，朱健，
申请(专利权)人：深圳迈塔兰斯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：