芯片的制备方法及芯片技术

本申请涉及一种芯片的制备方法及芯片。该芯片的制备方法包括提供晶圆，晶圆包括划片道区域和管芯区域，划片道区域至少包围部分所述管芯区域；获取划片道区域所需的第一尺寸；根据划片道区域所需的第一尺寸，确定管芯区域所需的第二尺寸；根据管芯区域所需的第二尺寸，确定分配到管芯区域内的至少一种结构的尺寸；第一尺寸与第二尺寸的比值范围为1：24

【技术实现步骤摘要】
芯片的制备方法及芯片


[0001]本申请涉及半导体
，特别是涉及一种芯片的制备方法及芯片。

技术介绍

[0002]目前半导体芯片使用的划片刀普遍为25um，划片刀痕30um左右。为保证将晶圆内的芯片切割成独立管芯，且保证不伤及管芯结构，版图设计的划片道一般为80um左右。
[0003]金属场板经湿法蚀刻后会存在1：1.2左右的侧向腐蚀(按照金属场板厚度单边侧向腐蚀约为6um)，导致金属场板内缩。这样实际晶圆上划片道尺寸将由版图内的80um增加到92um左右，造成极大的管芯区域的面积浪费。由于掺杂区宽度、金属场板、有源区面积分别对反向浪涌、VR和VF参数有很大影响，单颗芯片尺寸固定的情况下，综合考量可靠性结果及各项参数能达到要求，掺杂区宽度、金属场板、有源区的尺寸无法牺牲单个尺寸保全其它尺寸，因而湿法腐蚀过腐蚀还会造成产品电性参数不良，使得产品性能不突出，市场竞争力不强。

技术实现思路

[0004]本申请旨在提供一种芯片的制备方法及芯片，旨在提升了管芯区域的结构所占空间，从而提升芯片的性能。
[0005]第一方面，本申请实施例提出了一种芯片的制备方法，包括以下步骤：提供晶圆，所述晶圆包括划片道区域和管芯区域，所述划片道区域至少包围部分所述管芯区域；
[0006]获取所述划片道区域所需的第一尺寸；
[0007]根据所述划片道区域所需的第一尺寸，确定所述管芯区域所需的第二尺寸；
[0008]根据所述管芯区域所需的第二尺寸，确定分配到所述管芯区域内的至少一种结构的尺寸；
[0009]所述第一尺寸与所述第二尺寸的比值范围为1：24
‑
1：18。
[0010]在所述根据所述管芯区域所需的第二尺寸，分配到所述管芯区域内的至少一种结构的尺寸的步骤中，包括：
[0011]获取管芯区域内的各结构的实时性能参数，并将各结构的实时性能参数与各结构的预设性能参数比较，得出各结构的参数差值；
[0012]根据各参数差值的大小，等比例改变各参数差值对应结构的尺寸；或者，
[0013]根据各参数差值的大小，获取最大的参数差值，并改变最大的参数差值对应结构的尺寸；或者，
[0014]根据各参数差值的大小，等比例改变最大的参数差值对应结构的尺寸，并平均改变其他的参数差值对应结构的尺寸。
[0015]在所述获取划片道区域所需的第一尺寸的步骤之前，还包括：根据金属场板的厚度和金属场板的侧向腐蚀深度，获取划片道区域所需的第一尺寸。
[0016]其中，当所述金属场板的厚度为6μm
‑
10μm，并且所述金属场板的侧向腐蚀深度为7
μm
‑
12μm时，所述第一尺寸为25μm
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35μm。
[0017]本申请的一种实施例中，所述管芯区域包括有源区、掺杂区以及金属场板。
[0018]在所述根据所述管芯区域所需的第二尺寸，确定分配到所述管芯区域内的至少一种结构的尺寸的步骤中,具体为：改变所述有源区的尺寸，改变后的所述有源区的尺寸为540μm
‑
560μm。
[0019]在所述根据所述管芯区域所需的第二尺寸，确定分配到所述管芯区域内的至少一种结构的尺寸的步骤中,具体为：改变所述掺杂区的尺寸，改变后的所述掺杂区的尺寸为20μm
‑
30μm。
[0020]在所述根据所述管芯区域所需的第二尺寸，确定分配到所述管芯区域内的至少一种结构的尺寸的步骤中,具体为：改变所述金属场板的尺寸，改变后的所述金属场板的尺寸为600μm
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640μm。
[0021]本申请的一种实施例中，所述划片道区域包括多条第一划片道和多条第二划片道，多条所述第一划片道沿第一方向设置，多条所述第二划片道沿第二方向设置，多条所述第一划片道和多条所述第二划片道交叉形成多个所述管芯区域。
[0022]第二方面，本申请实施例还提供了一种芯片，采用上述芯片的制备方法制成，所述芯片包括：管芯区域；划片道区域，至少包围部分所述管芯区域。
[0023]根据本申请实施例提供的一种芯片的制备方法及芯片，通过提供晶圆，晶圆包括划片道区域和管芯区域，划片道区域至少包围部分所述管芯区域；并获取划片道区域所需的第一尺寸；根据划片道区域所需的第一尺寸，确定管芯区域所需的第二尺寸；根据管芯区域所需的第二尺寸，确定分配到管芯区域内的至少一种结构的尺寸；其中，第一尺寸与第二尺寸的比值范围为1：24
‑
1：18。在不改变芯片尺寸的前提下，将原本的管芯区域内的至少一种结构向划片道区域位置扩张，这样在腐蚀金属场板的时候发生过腐，预留出可供划片刀进入划片道区域的空间，且提升了管芯区域的结构所占空间，从而提升芯片的性能。
附图说明
[0024]下面将参考附图来描述本申请示例性实施例的特征、优点和技术效果。在附图中，相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例绘制，仅用于示意相对位置关系，某些部位的层厚采用了夸大的绘图方式以便于理解，附图中的层厚并不代表实际层厚的比例关系。
[0025]图1为现有技术的芯片的平面俯视图；
[0026]图2为基于图1的剖视图；
[0027]图3为本申请的方法流程图；
[0028]图4为本申请的尺寸分配的具体方式的流程图；
[0029]图5为本申请第一实施例的示例一的平面俯视图；
[0030]图6为本申请第一实施例的示例一的剖视图；
[0031]图7为本申请第一实施例的示例二的剖视图；
[0032]图8为本申请第一实施例的示例三的剖视图；
[0033]图9为本申请第二实施例的剖视图；
[0034]图10为本申请第三实施例的剖视图。
[0035]附图标记说明：
[0036]1、管芯区域；11、掺杂区；12、金属场板；13、有源区；14、外延层；
[0037]2、划片道区域。
具体实施方式
[0038]下面将详细描述本申请的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中，提出了许多具体细节，以便提供对本申请的全面理解。但是，对于本领域技术人员来说很明显的是，本申请可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本申请的示例来提供对本申请的更好的理解。在附图和下面的描述中，至少部分的公知结构和技术没有被示出，以便避免对本申请造成不必要的模糊；并且，为了清晰，可能夸大了区域结构的尺寸。此外，下文中所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。
[0039]下述描述中出现的方位词均为图中示出的方向，并不是对本申请的具体结构进行限定。在本申请的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸式连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以间接相连。对于本领域的普通技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片的制备方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆包括划片道区域和管芯区域，所述划片道区域至少包围部分所述管芯区域；获取所述划片道区域所需的第一尺寸；根据所述划片道区域所需的第一尺寸，确定所述管芯区域所需的第二尺寸；根据所述管芯区域所需的第二尺寸，确定分配到所述管芯区域内的至少一种结构的尺寸；所述第一尺寸与所述第二尺寸的比值范围为1：24
‑
1：18。2.根据权利要求1所述的芯片的制备方法，其特征在于，在所述根据所述管芯区域所需的第二尺寸，分配到所述管芯区域内的至少一种结构的尺寸的步骤中，包括：获取管芯区域内的各结构的实时性能参数，并将各结构的实时性能参数与各结构的预设性能参数比较，得出各结构的参数差值；根据各参数差值的大小，等比例改变各参数差值对应结构的尺寸；或者，根据各参数差值的大小，获取最大的参数差值，并改变最大的参数差值对应结构的尺寸；或者，根据各参数差值的大小，等比例改变最大的参数差值对应结构的尺寸，并平均改变其他的参数差值对应结构的尺寸。3.根据权利要求1所述的芯片的制备方法，其特征在于，在所述获取划片道区域所需的第一尺寸的步骤之前，还包括：根据金属场板的厚度和金属场板的侧向腐蚀深度，获取划片道区域所需的第一尺寸。4.根据权利要求3所述的芯片的制备方法，其特征在于，当所述金属场板的厚度为6μm
‑
10μm，并且所述金属场板的侧向腐蚀深度为7μm
‑
12μm时，所述第一尺寸为25μm
...

【专利技术属性】
技术研发人员：李京兵，王国峰，
申请(专利权)人：青岛惠芯微电子有限公司北海惠科半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：