半导体切割方法技术

本发明专利技术涉及半导体加工领域，公开了一种半导体切割方法，包括：S1、用紫外光照射紫外线胶带，使得所述紫外线胶带的粘度降低至第一预设粘度；S2、将半导体粘贴在所述紫外线胶带上，并等待所述紫外线胶带上的紫外线胶固化；S3、待所述紫外线胶带上的紫外线胶固化后，对所述半导体进行切割；S4、在切割完成后，用紫外光照射所述紫外线胶带，使得所述紫外线胶带的粘度降低至第二预设粘度；S5、将所述半导体与所述紫外线胶带分离。采用本发明专利技术实施例，能够有效减少半导体受损的情况发生，从而提高半导体切割的良品率。的良品率。的良品率。

【技术实现步骤摘要】
半导体切割方法


[0001]本专利技术涉及半导体加工领域，特别是涉及一种半导体切割方法。

技术介绍

[0002]目前，半导体切割方法普遍是通过机械加工来实现，其工艺流程需要将半导体底部粘接到夹具上，然后将夹具固定在切割台上，用旋转的刀具对半导体进行打磨切割，在切割完成后，将半导体与夹具分离。在上述过程中，由于粘接半导体所用的胶水粘接力强，切割完成后，半导体与夹具比较难分离，容易出现半导体损坏的情况。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例的目的是提供一种半导体切割方法，能够有效减少半导体受损的情况发生，从而提高半导体切割的良品率。
[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种半导体切割方法，包括：
[0005]S1、用紫外光照射紫外线胶带，使得所述紫外线胶带的粘度降低至第一预设粘度；
[0006]S2、将半导体粘贴在所述紫外线胶带上，并等待所述紫外线胶带上的紫外线胶固化；
[0007]S3、待所述紫外线胶带上的紫外线胶固化后，对所述半导体进行切割；
[0008]S4、在切割完成后，用紫外光照射所述紫外线胶带，使得所述紫外线胶带的粘度降低至第二预设粘度；
[0009]S5、将所述半导体与所述紫外线胶带分离。
[0010]作为上述方案的改进，在所述步骤S1中，所述紫外线胶带的初始粘度为22
‑
25N/in，照射时长为2秒钟，所述第一预设粘度为15
‑
20N/in。
[0011]作为上述方案的改进，所述步骤S2具体为：
[0012]将半导体粘贴在所述紫外线胶带上；
[0013]对所述半导体进行按压，使得所述半导体和所述紫外线胶带之间的气泡排出；
[0014]用紫外光照射所述紫外线胶带；其中，照射时长为70
‑
80秒；
[0015]等待所述紫外线胶带上的紫外线胶固化。
[0016]作为上述方案的改进，在所述步骤S3中，对所述半导体进行切割的条件具体包括：切割刀具的刀宽为30
‑
45μm，刀片进给速率为350
‑
450rpm，主轴转数为12000rpm。
[0017]作为上述方案的改进，所述切割刀具上的磨刀石的追轮状况为刀片深入10
‑
20um。
[0018]作为上述方案的改进，在所述步骤S4中，照射时长为2分钟，所述第二预设粘度为0.02
‑
0.03N/in。
[0019]作为上述方案的改进，紫外光的光照强度为3000
‑
4000mj/CM2。
[0020]实施本专利技术实施例，具有如下有益效果：
[0021]本专利技术实施例提供一种半导体切割方法，先用紫外光照射紫外线胶带，使得所述紫外线胶带的粘度降低至第一预设粘度，再将半导体粘贴在所述紫外线胶带上，并等待所
述紫外线胶带上的紫外线胶固化，待所述紫外线胶带上的紫外线胶固化后，对所述半导体进行切割，在切割完成后，用紫外光照射所述紫外线胶带，使得所述紫外线胶带的粘度降低至第二预设粘度，然后将所述半导体与所述紫外线胶带分离。采用本专利技术实施例提供的半导体切割方法，能够用将待切割的半导体粘接在紫外线胶带上的方式取代现有的粘接在夹具上的方式，由于紫外线胶在紫外光的照射下具备粘性逐渐降低的性质，因此在紫外光的照射下，半导体容易与紫外线胶分离，不会对半导体造成的伤害，从而能有效减少分离操作造成半导体受损的情况发生，提高半导体切割的良品率，也使得分离半导体的操作难度大大降低。
附图说明
[0022]图1是本专利技术提供的实施例中的一种半导体切割方法的流程图。
具体实施方式
[0023]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0024]请参阅图1所示，其是本专利技术提供的实施例中的一种半导体切割方法的流程图，所述的半导体切割方法包括以下步骤：
[0025]S1、用紫外光照射紫外线胶带，使得所述紫外线胶带的粘度降低至第一预设粘度；
[0026]S2、将半导体粘贴在所述紫外线胶带上，并等待所述紫外线胶带上的紫外线胶固化；
[0027]S3、待所述紫外线胶带上的紫外线胶固化后，对所述半导体进行切割；
[0028]S4、在切割完成后，用紫外光照射所述紫外线胶带，使得所述紫外线胶带的粘度降低至第二预设粘度；
[0029]S5、将所述半导体与所述紫外线胶带分离。
[0030]在本实施例中，先用紫外光照射紫外线胶带，使得所述紫外线胶带的粘度降低至第一预设粘度，再将半导体粘贴在所述紫外线胶带上，并等待所述紫外线胶带上的紫外线胶固化，待所述紫外线胶带上的紫外线胶固化后，对所述半导体进行切割，在切割完成后，用紫外光照射所述紫外线胶带，使得所述紫外线胶带的粘度降低至第二预设粘度，然后将所述半导体与所述紫外线胶带分离。采用本专利技术实施例提供的半导体切割方法，能够用将待切割的半导体粘接在紫外线胶带上的方式取代现有的粘接在夹具上的方式，由于紫外线胶在紫外光的照射下具备粘性逐渐降低的性质，因此在紫外光的照射下，半导体容易与紫外线胶分离，不会对半导体造成的伤害，从而能有效减少分离操作造成半导体受损的情况发生，提高半导体切割的良品率，也使得分离半导体的操作难度大大降低。
[0031]作为其中一种可选的实施方式，在所述步骤S1中，所述紫外线胶带的初始粘度为22
‑
25N/in，照射时长为2秒钟，所述第一预设粘度为15
‑
20N/in。
[0032]在本实施例中，用紫外光照射紫外线胶带2秒钟，使得所述紫外线胶带的粘度降低至15
‑
20N/in，能够更好地粘接半导体。
[0033]作为其中一种可选的实施方式，所述步骤S2具体为：
[0034]将半导体粘贴在所述紫外线胶带上；
[0035]对所述半导体进行按压，使得所述半导体和所述紫外线胶带之间的气泡排出；
[0036]用紫外光照射所述紫外线胶带；其中，照射时长为70
‑
80秒；
[0037]等待所述紫外线胶带上的紫外线胶固化。
[0038]在本实施例中，在将半导体粘贴在所述紫外线胶带上后，通过对所述半导体进行按压，能够使得所述半导体和所述紫外线胶带之间的气泡排出，从而增加所述半导体和所述紫外线胶带之间的结合强度，因此能够减少切割时半导体从紫外线胶带上脱落的情况出现，并且用紫外光照射所述紫外线胶带70
‑
80秒，能够使紫外线胶带上的紫外线胶粘度变低后更好地包裹所述半导体，再等待所述紫外线胶带上的紫外线胶固化，从而能够使得半导体和胶带表面牢固地粘接在一起。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体切割方法，其特征在于，包括：S1、用紫外光照射紫外线胶带，使得所述紫外线胶带的粘度降低至第一预设粘度；S2、将半导体粘贴在所述紫外线胶带上，并等待所述紫外线胶带上的紫外线胶固化；S3、待所述紫外线胶带上的紫外线胶固化后，对所述半导体进行切割；S4、在切割完成后，用紫外光照射所述紫外线胶带，使得所述紫外线胶带的粘度降低至第二预设粘度；S5、将所述半导体与所述紫外线胶带分离。2.如权利要求1所述的半导体切割方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述紫外线胶带的初始粘度为22
‑
25N/in，照射时长为2秒钟，所述第一预设粘度为15
‑
20N/in。3.如权利要求1所述的半导体切割方法，其特征在于，所述步骤S2具体为：将半导体粘贴在所述紫外线胶带上；对所述半导体进行按压，使得所述半导体和所述紫外线胶带之间的气泡排出；用紫外光照射所述紫外线胶带；其中，照...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓明，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：