清洗剂组合物以及清洗方法技术

一种清洗剂组合物，其特征在于，所述清洗剂组合物用于去除粘接剂残留物，所述清洗剂组合物含有季铵盐和溶剂，所述溶剂含有第一有机溶剂和第二有机溶剂，所述第一有机溶剂是式(Z)所示的酰胺衍生物，所述第二有机溶剂是与所述酰胺衍生物不同的其他有机溶剂，所述清洗剂组合物的含水量小于4.0质量％。(式中，R0表示乙基、丙基或异丙基，R

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】清洗剂组合物以及清洗方法


[0001]本专利技术涉及一种清洗剂组合物以及清洗方法。

技术介绍

[0002]就以往在二维平面方向上集成的半导体晶片而言，以更进一步的集成化为目的，要求也将平面进一步在三维方向集成(层叠)的半导体集成技术。该三维层叠是通过硅贯通电极(TSV：through silicon via)一边接线一边集成为多层的技术。在集成为多层时，待集成的各个晶片通过研磨所形成的电路面的相反侧(即，背面)而薄化，层叠经薄化的半导体晶片。
[0003]薄化前的半导体晶片(在此，也简称为晶片)为了利用研磨装置进行研磨而粘接于支承体。此时的粘接必须在研磨后容易被剥离，因此称为临时粘接。该临时粘接必须容易从支承体拆卸，当为了拆卸而施加较大的力时，有时经薄化的半导体晶片被切断或变形，为了防止这样的情况发生而容易被拆卸。但是，在半导体晶片的背面研磨时，因研磨应力而脱离或偏移的情况是不优选的。因此，对于临时粘接所要求的性能是：能承受研磨时的应力，在研磨后容易被拆卸。例如，要求下述性能：对于研磨时的平面方向具有高应力(强粘接力)，对于拆卸时的纵向本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种清洗剂组合物，其特征在于，所述清洗剂组合物用于去除粘接剂残留物，所述清洗剂组合物含有季铵盐和溶剂，所述溶剂含有第一有机溶剂和第二有机溶剂，所述第一有机溶剂是式(Z)所示的酰胺衍生物，所述第二有机溶剂是与所述酰胺衍生物不同的其他有机溶剂，所述清洗剂组合物的含水量小于4.0质量％，式中，R0表示乙基、丙基或异丙基，R
A
和R
B
相互独立地表示碳原子数1～4的烷基。2.根据权利要求1所述的清洗剂组合物，其中，所述酰胺衍生物含有选自由N，N－二甲基丙酰胺、N，N－二乙基丙酰胺、N－乙基－N－甲基丙酰胺、N，N－二甲基丁酰胺、N，N－二乙基丁酰胺、N－乙基－N－甲基丁酰胺、N，N－二甲基异丁酰胺、N，N－二乙基异丁酰胺以及N－乙基－N－甲基异丁酰胺构成的组中的至少一种。3.根据权利要求2所述的清洗剂组合物，其中，所述酰胺衍生物含有选自由N，N－二甲基丙酰胺、N，N－二乙基丙酰胺、N，N－二甲基丁酰胺、N，N－二乙基丁酰胺、N，N－二甲基异丁酰胺以及N，N－二乙基异丁酰胺构成的组中的至少一种。4.根据权利要求3所述的清洗剂组合物，其中，所述酰胺衍生物含有选自由N，N－二甲基丙酰胺和N，N－二甲基异丁酰胺构成的组中的至少一种。5.根据权利要求1～4中任一项所述的清洗剂组合物，其中，所述季铵盐含有含卤素季铵盐。6.根据权利要求5所述的清洗剂组合物，其中，所述含卤素季铵盐含有含氟季铵盐。7.根据权利要求6所述的清洗剂组合物，其中，所述含氟季铵盐含...

【专利技术属性】
技术研发人员：荻野浩司，新城彻也，森谷俊介，奥野贵久，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：