本发明涉及一种单侧抛光的周期极化铁电晶体薄膜条形波导及其制备方法，包括衬底，衬底的上表面开有凹槽，凹槽将衬底的上表面划分为两个区域；衬底的上表面覆盖有周期极化铁电晶体薄膜，且周期极化铁电晶体薄膜不覆盖凹槽上方；周期极化铁电晶体薄膜与衬底...

本发明公开了一种基于DDS原理的应用方法及装置，用于解决现有技术实现单边带调制电路结构比较复杂，同时当滤波器的过渡带比较小时，滤波效果差的问题。本发明方法包括：S1：FPGA中的DDS模块产生基带信号通过接口模块传输给DAC芯片；S2：...

本发明涉及一种光波段宽带负折射率结构及制备方法，包括基底，2n+1层在垂直基底方向上交替堆叠的金属层和介质层，纳米级厚度的透明介质保护层，贯穿金属层和介质层的孔洞，n≥2。所述孔洞结构均一，呈周期性排布。所述金属层为同一种金属材料；其中...

本发明公开了一种基于二硫金属配合物掺杂聚合物阻变存储材料及其制备方法和应用，属于数据存储技术领域。该存储材料是以双硫氧吡啶(Bpy)为配体与镉卤化物合成配合物，并与聚乙烯吡咯烷酮(PVP)复配制得的复合材料。基于纯镉配合物器件的存储性能...

本发明涉及式(1)所示平面型酰胺衍生物热活化延迟荧光材料及其制备方法和应用。所述化合物具有高度扭曲的分子结构，这类分子具有较高的分子刚性，有利于抑制分子内、分子间振动和转动弛豫，实现高的光效率，此外还具有小的单重态‑三重态能极差(＜0....

本发明涉及一种焦点能量可控的多焦距超透镜的设计方法。该方法，设计基本超原子：确定超透镜相位划分的等级个数及其对应基本超原子的参数；设计多焦距超透镜的相位分布：根据超透镜相位分布公式与所设计的多焦距超透镜的焦距数、焦距大小、超原子阵列大小...

本发明涉及一种基于人工神经元控制的阵列驱动电路及其工作方法，该阵列驱动电路包括控制模块和开关模块，控制模块连接电源输入电压，并连接公共接地端，还经输出信号线连接开关模块，通过开关模块控制阵列电路的信号传输及通断；控制模块包括两个人工神经...

本发明提供的一种标签防伪方法、装置、电子设备及存储介质，其方法包括：实时记录每一个可识读标签被扫描时的第一印刷参数和第一溯源参数；根据第一印刷参数和预先设置的标准印刷参数得到印刷防伪结果，根据第一溯源参数和预先设置的溯源预警规则得到溯源...

本发明提供一种晶体化合物、制备方法及应用，涉及晶体合成技术领域。具体的，晶体化合物的分子式为[Pb(IQS)]<subgt;n</subgt;，其中ISQ<supgt;2‑</supgt;由7‑碘‑8‑羟基喹啉‑...

本发明涉及基于超浸润体系的金属自生长互联的方法，包括对镀液进行浸润性调配；在Micro‑LED和CMOS电路的目标衬底表面进行图案化后，进行等离子体表面处理，得到Micro‑LED和CMOS电路的亲水性图案化表面；将制备的衬底对位贴合，...

本发明涉及神经网络技术领域，具体涉及一种尺度自适应的芯片检测神经网络系统，该系统将待处理图像分割成若干个待选区域，获取待选区域的特征量，结合待选区域内像素点的特征向量和标准向量的夹角值的大小，得到待选区域内每个标准向量的本征量，从而得到...

本发明涉及二水合丙二酸镁化合物及其非线性光学晶体的制备方法和用途，本发明的二水合丙二酸镁化合物的化学式为

本发明涉及一种基于多光束调制的光波导式触控屏系统及激光光源，包括激光光源和触控屏，所述激光光源包括测距模块

本发明涉及神经网络模型学习技术领域，具体涉及基于改进神经网络的芯片缺陷智慧检测系统

本发明提供一种用于肿瘤细胞核靶向的稀土纳米影像和放射性核素治疗一体化制剂及其制备方法和应用

本发明公开了一种紫外光响应有机单分子材料及其制备方法和应用，涉及光电材料技术领域

本申请公开了一种双光子发光微纳材料和制备方法及应用，所述双光子发光微纳材料具有式

本实用新型公开一种垂直腔面发射激光器芯片，包括基底、外延柱体、环形沟槽、填充层、钝化层、氧化孔与电极，外延柱体设置于基底之上，外延柱体上方设置环形沟槽形成由环形沟槽围绕的“孤岛”波导区；环形沟槽内部填充有填充层；所述电极包括P面电极、N...

本发明提供的一种水印图像的处理方法

本发明涉及经编机备料技术领域，尤其涉及一种基于