【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于数据存储，具体涉及一种基于二硫金属配合物掺杂聚合物阻变存储材料及其制备方法和应用。
技术介绍
1、阻变存储器因容量大、速度快、结构简单、能耗低、易于集成等优点，受到广泛关注。目前，探索通过阻变存储器集成化、多值化、缩小器件尺寸和器件垂直多层化等途径实现高密度存储，仍面临巨大挑战。多进制记忆电阻存储是指信息存储时存在多个电阻稳定态。以三进制存储为例，在单位面积内的存储容量可用3n来表达，相较于二进制的单位存储容量实现指数级别的提高。相较于通过缩小存储器件尺寸或存储器结构采用垂直多层化的手段来提高信息存储密度方法，应用多进制忆阻存储材料的途径更简单更易实现。
2、本专利技术基于二硫金属配合物在外界条件(电)刺激下实现构象异构，以及有机聚合物pvp俘获和释放电子的功能和良好成膜性，将其复合得到一种多进制开关可控存储材料。本专利技术制备出合成成本低廉、制备方法简单、成膜性优异、适合工业大规模生产，同时具有可控多级开关存储性能的材料，具有良好的应用前景。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种基于二硫金属配合物掺杂聚合物阻变存储材料及其制备方法和应用。以二硫金属配合物和聚乙烯吡咯烷酮(pvp)有机聚合物材料为原料，采用简单的物理混合，制备出一种具有多级可控记忆存储材料。其制备方法简单，原料易得，易于实现。并且制备过程中无有害产物，为环境友好的绿色合成。
2、为实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：
3、一种基于二硫金属配合物掺杂聚
4、所述的二硫金属配合物为cd-bpy-i、cd-bpy-br、cd-bpy-cl、cd-bpy-scn中的任一种；所述的聚合物为聚乙烯吡咯烷酮。
5、所述的二硫金属配合物的制备方法包括：以双硫氧吡啶为配体，通过与镉的卤化物或类卤化物搅拌反应，冷却过滤，滤液挥发结晶，得到所述的二硫金属配合物。
6、制备方法：将二硫金属配合物和聚合物溶于溶剂中，搅拌2h，即得所述的基于二硫金属配合物掺杂聚合物阻变存储材料。
7、所述的基于二硫金属配合物掺杂聚合物阻变存储材料在多级忆阻器中的应用：所述的多级忆阻器结构为底电极/阻变存储层/顶电极的三明治夹心结构；所述的底电极为掺杂氟的氧化铟锡导电材料；所述的顶电极为惰性金属材料；所述的阻变存储层为基于二硫金属配合物掺杂聚合物阻变存储材料。
8、与现有技术相比，本专利技术的有益效果在于：
9、(1)本专利技术所得基于二硫金属配合物掺杂聚合物阻变存储材料在基底上能形成均匀致密的薄膜。
10、(2)本专利技术所得基于二硫金属配合物掺杂聚合物阻变存储材料在室温条件下显示优异的多级记忆存储性能，且有良好的循环疲劳性。
11、(3)本专利技术所用原料均可在市售所得；该方法无需繁杂反应过程、操作简单。
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1.一种基于二硫金属配合物掺杂聚合物阻变存储材料，其特征在于：二硫金属配合物和聚合物的质量比为1:3。
2.根据权利要求1所述的阻变存储材料，其特征在于：所述的二硫金属配合物为Cd-Bpy-I、Cd-Bpy-Br、Cd-Bpy-Cl、Cd-Bpy-SCN中的任一种；所述的聚合物为聚乙烯吡咯烷酮。
3.根据权利要求2所述的阻变存储材料，其特征在于：所述的二硫金属配合物的制备方法包括：以双硫氧吡啶为配体，通过与镉的卤化物或类卤化物搅拌反应，冷却过滤，滤液挥发结晶，得到所述的二硫金属配合物。
4.一种制备如权利要求1-3任一项所述的基于二硫金属配合物掺杂聚合物阻变存储材料的方法，其特征在于：将二硫金属配合物和聚合物溶于溶剂中，搅拌2 h，即得所述的基于二硫金属配合物掺杂聚合物阻变存储材料。
5.一种如权利要求1-3任一项所述的基于二硫金属配合物掺杂聚合物阻变存储材料在多级忆阻器中的应用。
6.根据权利要求5所述的应用，其特征在于：所述的多级忆阻器结构为底电极/阻变存储层/顶电极的三明治夹心结构；所述的底电极为掺杂氟的氧化铟锡导
...【技术特征摘要】
1.一种基于二硫金属配合物掺杂聚合物阻变存储材料，其特征在于：二硫金属配合物和聚合物的质量比为1:3。
2.根据权利要求1所述的阻变存储材料，其特征在于：所述的二硫金属配合物为cd-bpy-i、cd-bpy-br、cd-bpy-cl、cd-bpy-scn中的任一种；所述的聚合物为聚乙烯吡咯烷酮。
3.根据权利要求2所述的阻变存储材料，其特征在于：所述的二硫金属配合物的制备方法包括：以双硫氧吡啶为配体，通过与镉的卤化物或类卤化物搅拌反应，冷却过滤，滤液挥发结晶，得到所述的二硫金属配合物。
4.一种制备如权利...
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