基于超浸润体系的金属自生长互联的方法技术

本发明专利技术涉及基于超浸润体系的金属自生长互联的方法，包括对镀液进行浸润性调配；在Micro‑LED和CMOS电路的目标衬底表面进行图案化后，进行等离子体表面处理，得到Micro‑LED和CMOS电路的亲水性图案化表面；将制备的衬底对位贴合，密封于微流控通道内注入浸润性调配的镀液，实现Micro‑LED和CMOS电路的金属凸点自生长及互联；有效解决高密度Micro‑LED金属凸点制备过程中存在瘤状物、均匀性差、尺寸较大的问题，克服了传统高密度Micro‑LED与CMOS电路键合工艺对大压力键合的苛刻要求。该工艺成本低廉，生产效率较高，安全性较高，可应用于高密度封装器件中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及基于超浸润体系的金属自生长互联的方法，属于高密度电子封装互连工艺。

技术介绍

1、micro-led是一种自发光显示技术，通常像素尺寸大小位于1-100μm，因其具有高分辨率，高可靠性，响应速度快，寿命更长，功耗较低等诸多优势。

2、micro-led的制作工程中会涉及到一系列的工艺技术，包括led外延制备、芯片制造工艺、巨量转移技术、衬底剥离技术、互连技术、背板驱动技术等，其中芯片互连技术是影响微电子产品质量、效率和成本的核心技术。当前micro-led与驱动电路基板之间电气连接最主要是通过倒装键合来实现，而凸点制备和键合是倒装键合工艺中最核心的两个步骤，与芯片的可靠性，效率，质量等息息相关。

3、目前，工业上常用的金属凸点的制备工艺主要有：物理气相沉积和化学液相沉积两种；化学液相沉积的瓶颈在于沉积过程中，镀液与沉积表面的接触不均，从而导致金属凸点生长不均、瘤状生长，破环凸点阵列的共面性，而无法进行后续的键合工艺；因此，找出一种低成本、高均匀性的金属凸点制备方法以及摆脱大压力键合的限制、高均匀性的键合技术迫在眉睫。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.基于超浸润体系的金属自生长互联的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的基于超浸润体系的金属自生长互联的方法，其特征在于：所述S1中，向原镀液中添加表面活性剂进行浸润性调配，调配后的镀液在亲水性图案化表面的接触角小于10°。

3.如权利要求2所述的基于超浸润体系的金属自生长互联的方法，其特征在于：按质量百分比，所述表面活性剂的浓度范围是0.001％-0.03％。

4.如权利要求3所述的基于超浸润体系的金属自生长互联的方法，其特征在于：所述表面活性剂为非离子型表面活性、阴离子表面活性剂和阳离子表面活性剂中的一种，例如：十二烷基硫酸钠、...

【技术特征摘要】

1.基于超浸润体系的金属自生长互联的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的基于超浸润体系的金属自生长互联的方法，其特征在于：所述s1中，向原镀液中添加表面活性剂进行浸润性调配，调配后的镀液在亲水性图案化表面的接触角小于10°。

3.如权利要求2所述的基于超浸润体系的金属自生长互联的方法，其特征在于：按质量百分比，所述表面活性剂的浓度范围是0.001％-0.03％。

4.如权利要求3所述的基于超浸润体系的金属自生长互联的方法，其特征在于：所述表面活性剂为非离子型表面活性、阴离子表面活性剂和阳离子表面活性剂中的一种，例如：十二烷基硫酸钠、聚乙二醇、十六烷基苯磺酸钠、辛醇聚氧乙烯醚、十二烷基苯磺酸钠等。

5.如权利要求2所述的基于超浸润体系的金属自生长互联的方法，其特征在于：所述镀液为镍镀液、金镀液、铜镀液、铟镀液中的一种或一种以上混合。

6.如权利要求1所述的基于超浸...

【专利技术属性】
技术研发人员：林畅，卢玉，王帅帅，郎太福，孙捷，黄忠航，杨天溪，张恺馨，严群，张永爱，郭太良，
申请(专利权)人：闽都创新实验室，
类型：发明
国别省市：