本申请公开了一种含刮针的样品采样管，包括：基本本体、滑动组；其中，基本本体包括针管、锥帽、下压推杆；滑动组包括锁紧帽、卡扣滑块、刮针；针管与锥帽扣接；下压推杆，用于沿针管内壁的滑行轨道推送卡扣滑块；锁紧帽，用于与卡扣滑块配合以夹紧所述刮...

本发明涉及一种利用全喷墨印刷制备高密度全彩QLED器件的方法。该方法使用喷墨印刷技术在透明衬底上印刷功能层材料以制造电致QLED器件，QLED器件由透明基板/ITO/空穴注入层（Hole injection layer,HIL）/空穴传...

本申请公开了一种偏振控制的简并态光参量振荡激光器，包括依次相连的激光发生部，光参量谐振腔，反馈光学元件，滤光片，光电探测器，数据采集器，计算机，所述光参量谐振腔内设置有非线性光学晶体，所述滤光片和所述数据采集器之间还设置有功率计，通过控...

本申请公开了一种紫外光响应有机单分子材料及其制备方法与应用，属于光电材料领域。该紫外光响应有机单分子材料，其化学分子式为C<subgt;20</subgt;H<subgt;20</subgt;S<subgt...

本申请公开了一种锁定模式可调的光参量振荡激光器，包括依次相连的激光发生部，光参量谐振腔，滤光片，光电探测器，数据采集器，以及与所述光参量谐振腔对应设置的腔镜控制元件，能够对光参量振荡激光谐振腔内的模式——纵模、横模、偏振模进行调控锁定，...

本申请公开了一种锥度可调的激光钻孔装置及钻孔方法，包括依次设置的激光源、调焦装置、扫描振镜系统、场镜和旋转台，所述旋转台上固定有工件夹具，将待加工工件固定于旋转台上，所述旋转台底部设置有角度调节装置，控制所述角度调节装置对所述待加工工件...

本申请公开了一种QLED器件的后处理方法，包括提供QLED器件，所述QLED器件包括衬底和设置在其上的发光部件；对所述QLED器件进行加热处理；对所述QLED器件进行紫外光照加臭氧处理；采用加热处理及UVO处理对QLED器件进行后处理，...

本申请公开了一种输出稳定的光参量振荡激光器，包括依次相连的激光发生部，光参量谐振腔组件，滤光片，光电探测器，数据采集器，所述光参量谐振腔组件包括密闭腔体，所述腔体上设置有温控装置，通过设置温控装置即密封腔体实现该激光器的温度稳定性，又通...

本申请公开了一种简并态光参量振荡激光器，包括依次相连的激光发生部，光参量谐振腔，滤光片，光电探测器，数据采集器，所述光参量谐振腔内依次设置有非线性光学晶体和损耗控制元件，成本低，稳定性高，市场价值巨大，在频率简并处能够实现稳定的光参量输出。

本发明属于骨科植入技术领域，具体涉及一种基于网格划分的三周期极小曲面支撑结构的仿真及制造方法，本发明包括如下步骤：步骤S100、生成不同方向孔隙梯度变化的多孔支架几何模型；步骤S200、基于Delaunay三角形均匀化的光顺化四面体网格...

本技术适用于光学检测技术领域，提供了一种基于光散射技术的晶体体缺陷三维检测装置包括：光源模块；分束模块，用于将所述光源模块的初始光束分为第一光束和第二光束；调整模块，包括扩束镜、光均匀器、变形棱镜对、振镜和场镜；所述第一光束依次穿过所述...

本发明涉及一种高精度窄线宽波长可调脉冲激光输出方法，激光器包括半导体激光器泵浦源、激光增益晶体和调Q器件；半导体激光器泵浦源和激光增益晶体之间设置有第一F‑P标准具；激光增益晶体和调Q器件之间设置有第二F‑P标准具；激光增益晶体能够产生...

本发明涉及碱金属二氟丙二酸盐化合物、其晶体及其制备方法与应用，本发明的碱金属二氟丙二酸盐化合物的化学式为A<subgt;2</subgt;(C<subgt;3</subgt;F<subgt;2</su...

本发明提供了一种基于交换树脂对钙钛矿量子点进行金属离子掺杂的方法，采用阳离子交换树脂作为钙钛矿量子点离子掺杂的媒介，对钙钛矿量子点进行B位金属离子掺杂，提高掺杂效率，以及掺入离子带来的新的发射峰和高稳定性等性能。

本申请公开了一种3LCD聚焦自动调节机构，包括镜头组件和与其固定连接的三个LCD夹持组件；所述LCD夹持组件包括通过第一转接件与夹持臂基座固定连接的夹持臂，LCD面板固定在所述夹持臂上，UV固化头通过固定块固定在所述夹持臂基座上；每组所...

本申请公开了基于频域及时域分析的材料电磁参数实时测量方法及其系统，该方法可适用于被测试样长度随环境或自身特性等因素变化而不确知或被测试样在夹具中的位置未知的情况，在其适用条件内，无需测量被测试样长度和其在夹具内的位置，能够避免刚性小、易...

本发明涉及反铁电分子陶瓷材料、制备方法和应用，本发明的反铁电分子陶瓷材料的化学式为(C<subgt;7</subgt;H<subgt;16</subgt;N)Br<subgt;x</subgt;I&l...

本发明公开了一种钙钛矿型立方相掺杂铁酸钕(Nd<subgt;1‑x‑z</subgt;Ce<subgt;z</subgt;Ba<subgt;x</subgt;Fe<subgt;1‑y</s...

本技术涉及一种垂直腔表面发射激光器，垂直腔表面发射激光器包括由下至上依次设置的衬底、n‑DBR、有源层、p‑DBR和p‑Cap；p‑Cap上设置有环形的接触电极，接触电极内部设置有出光口中心区，接触电极和出光口中心区之间的区域为环形区；...

本发明涉及一种多脉冲阶梯功率探测方法，采用多脉冲阶梯功率探测系统进行探测，所述多脉冲阶梯功率探测系统包括信号发射模块和信号接收模块；该方法包括包括校准阶段和探测阶段；校准阶段通过对预设位置处的物体发射若干个功率不同的脉冲信号，通过对回光...