【技术实现步骤摘要】
本申请涉及一种qled器件的后处理方法，属于qled领域。
技术介绍
1、量子点发光二极管(qled)通常由阳极、空穴注入/传输层、量子点发光层、电子注入/传输层和阴极这五部分组成。qled的工作原理是在外加电压的驱动下，空穴从阳极注入，电子从阴极注入，通过各自的传输层运输后到达量子点，形成激子复合发光。
2、现有技术中，大部分通过重掺的传输材料来抑制载流子的注入或传输，从而改善qled器件的载流子平衡。由于使用掺杂的传输层，导致器件工作时需要较大的驱动电压，虽然可以改善载流子平衡，但也导致驱动电压升高，而较高的驱动电压对qled器件的稳定性有较大的影响。
技术实现思路
1、针对qled器件电子传输层的缺陷，为了降低器件的驱动电压，根据本申请的一个方面，提供了一种qled器件的后处理方法，包括下列步骤：
2、s1：提供qled器件，所述qled器件包括衬底和设置在其上的发光部件；
3、s2：对所述qled器件进行加热处理；
4、s3：对所述q...
【技术保护点】
1.一种QLED器件的后处理方法，其特征在于，包括下列步骤：
2.根据权利要求1所述的一种QLED器件的后处理方法，其特征在于，所述步骤S1中所述提供QLED器件的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的一种QLED器件的后处理方法，其特征在于，所述量子点发光部件包括层叠的第一电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和第二电极；
4.根据权利要求3所述的一种QLED器件的后处理方法，其特征在于，所述量子点发光部件还包括电子注入层。
5.根据权利要求4所述的一种QLED器件的后处理方法，其特征在于，所述量子点发光...
【技术特征摘要】
1.一种qled器件的后处理方法，其特征在于，包括下列步骤：
2.根据权利要求1所述的一种qled器件的后处理方法，其特征在于，所述步骤s1中所述提供qled器件的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的一种qled器件的后处理方法，其特征在于，所述量子点发光部件包括层叠的第一电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和第二电极；
4.根据权利要求3所述的一种qled器件的后处理方法，其特征在于，所述量子点发光部件还包括电子注入层。
5.根据权利要求4所述的一种qled器件的后处理方法，其特征在于，所述量子点发光部件中各层的层叠顺序依次为：
6.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗大伟，曾雪淇，蔡江立，陈光郎，胡海龙，李福山，叶芸，
申请(专利权)人：闽都创新实验室，
类型：发明
国别省市：
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