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本申请公开了一种QLED器件的后处理方法，包括提供QLED器件，所述QLED器件包括衬底和设置在其上的发光部件；对所述QLED器件进行加热处理；对所述QLED器件进行紫外光照加臭氧处理；采用加热处理及UVO处理对QLED器件进行后处理，从而...
该专利属于闽都创新实验室所有，仅供学习研究参考，未经过闽都创新实验室授权不得商用。

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