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昆山微电子技术研究院专利技术
昆山微电子技术研究院共有21项专利
一种高质量二硫化钼薄膜的原子层沉积制备方法技术
本发明提供了一种高质量二硫化钼薄膜的原子层沉积方法,包括以下步骤:在预处理衬底上分别通入钼前驱体和硫前驱体,进行原子层沉积,得到高质量二硫化钼薄膜;所述钼前驱体选自氯化钼,所述硫前驱体选自硫化氢;或所述钼前驱体选自双(叔丁基)双(二甲基...
一种原子层沉积设备制造技术
本发明公开了一种原子层沉积设备,包括反应腔室;反应腔室上设有容纳气流流入的气流入口;反应腔室内部设置有样品台和内腔盖;反应腔室还设有用于容纳待反应的样品输送至样品台的腔口;其中,内腔盖背离样品台的一端和气流入口相连通;内腔盖和样品台之间...
原子层沉积设备制造技术
本发明公开了一种原子层沉积设备,包括反应腔室;和反应腔室相连通用于向反应腔室内通入反应气体的气源装置;设置在反应腔室内部用于承载待反应样品的样品盘;设置在反应腔室内部的加热装置;加热装置用于对待反应样品表面沉积形成原子层薄膜持续按照预定...
一种生物步态特征识别装置制造方法及图纸
本发明公开了一种生物步态特征识别装置,包括控制器和多个生物步态特征识别单元;多个生物步态特征识别单元沿水平方向呈矩阵排列;任一生物步态特征识别单元包括至少一个压阻式压力传感器和至少一个压电式压力传感器;压阻式压力传感器和压电式压力传感器...
一种基于驻极体的非接触式空间位置传感装置制造方法及图纸
本发明公开了一种基于驻极体的非接触式空间位置传感装置,驻极体阵列单元包括电极,以及贴合在电极表面的驻极体薄膜,驻极体阵列单元固定于预设的探测空间内;运动单元包括驻极体介质,运动单元与探测空间内可移动物体固定连接;电位信号采集处理单元包括...
欧姆接触比接触电阻测量方法、装置、设备及存储介质制造方法及图纸
本申请公开了比接触电阻测量方法通过利用在衬底上设置有两个电极组的电极测试结构进行测试,其中每个电极组中电极数量相等、长度相等,但宽度不等,且两个电极组中对应的电极间距相等,得到每个电极组中相邻第一电极间电阻、相邻第二电极间电阻后,通过两...
一种CTLM比接触电阻测量装置及比接触电阻测量设备制造方法及图纸
本发明公开了一种本发明所提供的CTLM比接触电阻测量装置,包括电压测试电路、电流测试电路及均压电路;所述均压电路包括外电极公共端及多条外电极引线,所述外电极引线的输入端连接于所述外电极公共端,输出端连接于CTLM待测结构的外电极外边缘;...
一种样品焊接方法技术
本申请公开了一种样品焊接方法,针对具有第一热膨胀系数的第一样品和具有第二热膨胀系数的第二样品的焊接,包括配制至少两种具有不同的热膨胀系数的焊料,包括具有第三热膨胀系数的第一焊料和具有第四热膨胀系数的第二焊料,第一热膨胀系数、第三热膨胀系...
一种光学器件内曲面的镀膜方法技术
本申请公开了一种光学器件内曲面的镀膜方法,包括提供一个具有第一表面和第二表面的软基板,在所述第一表面镀膜;将所述软基板固定在外形与所述光学器件内曲面相匹配的模具表面,其中,所述第一表面与所述模具的外表面相接触;将所述模具插入所述光学器件...
一种压力传感器及其制备方法技术
本申请公开了一种压力传感器及其制备方法,该方法包括:获得表面沉积有金属层的第一片体;获得表面沉积有金属层的第二片体;第二片体具有凹槽;将金属层对准的第一片体和第二片体置于键合腔室中,并对键合腔室抽真空;向键合腔室中通入还原气体,并在还原...
一种芯片引线框架材料用高纯Cu-Al-Ag合金及其制备方法技术
本发明提供了一种芯片引线框架材料用高纯Cu‑Al‑Ag合金的制备方法,包括:将铜粉、铝粉和银粉混合球磨得到混合粉体;将混合粉体冷等压成型,得到Cu‑Al‑Ag合金毛坯;将所述Cu‑Al‑Ag合金毛坯放电等离子烧结,得到Cu‑Al‑Ag合...
一种固液分散装置制造方法及图纸
本发明公开了一种固液分散装置,包括共振板、设置在共振板的工作腔体、函数发生器、设置在共振板的振荡器,函数发生器为振荡器提供震荡信号形成驻波,并通过共振板将驻波传导到工作腔体以及位于工作腔体内的容器,使得容器内的溶质或溶剂发生共振,实现溶...
一种压电体及其制备方法技术
本申请公开了一种压电体,包括压电主体;至少一个位于压电主体内部的电极;与电极电连接的导线,且电极与导线连接处位于压电主体内部,导线远离电极的一端位于压电主体的外部。可见,本申请中的压电体包括压电主体、电极以及导线,至少一个电极位于压电主...
一种薄膜发电机及其制作方法技术
本申请公开了薄膜发电机及其制作方法,该方法包括在基底的第一表面形成预处理压电层;在预处理压电层与基底相背的表面形成第一电极层,并在摩擦层的第一表面形成第二电极层;将带有预处理压电层和第一电极层的基底置于高压电场环境中进行极化,以使预处理...
一种自极化复合驻极体-压电薄膜、其制备方法及压电薄膜传感器技术
本发明提供了一种自极化复合驻极体‑压电薄膜的制备方法,通过精确的温度控制和较强的电场,在薄膜熔化重新结晶阶段施加外电场,诱导β型PVDF晶体的生成;选用高分子驻极体衬底材料,在对PVDF极化的同时对驻极体衬底进行极化,将电荷注入衬底中,...
一种压电薄膜及其制备方法技术
本申请公开了一种压电薄膜及其制备方法,该方法包括制备溶解有压电材料粉体的溶液;将溶液流延至基板的表面,以在表面上形成液膜;将带有液膜的基板置于高压电场环境中进行极化,待液膜中的溶剂蒸发完毕,得到压电薄膜。本申请的方法利用溶解有压电材料的...
一种电致发光器件制造技术
本申请公开了一种电致发光器件,包括由上至下依次层叠的第一电极层、介电层、电致发光层、压电材料层、第二电极层,以及用于实现所述第一电极层和所述第二电极层电连接的连接件。可见,本申请所提供的电致发光器件中除了具有第一电极层、介电层、电致发光...
一种多场耦合材料加工装置制造方法及图纸
本申请公开了一种多场耦合材料加工装置,包括:加工腔体,所述加工腔体具有加工内腔;用于储存待加工材料,并能够进出所述加工腔体的储料件;能够对位于所述加工内腔中的所述待加工材料施加压力的施力系统;能够加热位于所述加工内腔中的所述待加工材料,...
一种电致变色器件制造技术
本申请公开了一种电致变色器件,包括由上至下依次层叠的第一电极层、压电材料层、离子储存层、电解质层、电致变色层、第二电极层,以及用于实现所述第一电极层和所述第二电极层电连接的连接件。可见,本申请中的电致变色器件,除了包括第一电极层、离子储...
刻蚀装置制造方法及图纸
本发明属于刻蚀技术领域,具体涉及一种刻蚀装置。本发明提出了一种刻蚀装置,刻蚀装置包括:手套箱,所述手套箱内填充有惰性气体;刻蚀机构,所述刻蚀机构设置在所述手套箱内,所述刻蚀机构用于为基片提供刻蚀反应区。根据本发明实施例的刻蚀装置,刻蚀机...
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