一种自极化复合驻极体-压电薄膜、其制备方法及压电薄膜传感器技术

本发明专利技术提供了一种自极化复合驻极体‑压电薄膜的制备方法，通过精确的温度控制和较强的电场，在薄膜熔化重新结晶阶段施加外电场，诱导β型PVDF晶体的生成；选用高分子驻极体衬底材料，在对PVDF极化的同时对驻极体衬底进行极化，将电荷注入衬底中，驻极体材料会在较长时间内带有电荷，两块衬底之间形成的电场可以实现对PVDF的长期极化，可以修复在使用中退极化的PVDF晶体，同时为PVDF薄膜提供封装方案和机械强度。本发明专利技术还提供了一种自极化复合驻极体‑压电薄膜的制备方法及压电薄膜传感器。

【技术实现步骤摘要】
一种自极化复合驻极体-压电薄膜、其制备方法及压电薄膜传感器
本专利技术属于传感材料
，尤其涉及一种自极化复合驻极体-压电薄膜、其制备方法及压电薄膜传感器。
技术介绍
聚偏氟乙烯(PVDF)具有材质柔性高、低密度、低阻抗的特点，被广泛运用在传感、仿生等领域，PVDF分子常见三种结晶形态:α相、β相与γ相，其中α晶型最稳定，可由160℃高温热退火得到，β晶型由于晶胞中含有极性较强的反式分子链，所以容易被极化，产生压电效应，可用于制备压电薄膜，作为压电薄膜传感器的基础材料。压电薄膜的质量取决于材料中PVDF分子的结晶度、β晶型含量、分子取向一致程度等，想要提高压电体的压电系数，关键在于提高材料成型过程中β型晶体的生成比率。在一般的工业条件或实验室中，PVDF压电体的制备通常采用热压/流延/挤出等方法对PVDF粉末进行结晶成型处理，这样的PVDF薄膜中α相含量居多，继续对薄膜进行单轴常温拉伸、挤出等手段，使得薄膜中部分晶体转换为β相，但是拉伸方法容易使得PVDF薄膜中产生结构缺陷且对设备要求较高，拉升比率需要得到严格的控制本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种自极化复合驻极体-压电薄膜的制备方法，包括以下步骤：/nA)将聚偏氟乙烯的醇溶液涂覆在第一耐高温衬底的表面，然后去除醇溶剂，得到复合有聚偏氟乙烯膜层的第一耐高温衬底；/nB)在所述聚偏氟乙烯膜层的表面铺设第二耐高温衬底，得到三层结构膜层；/n所述第一耐高温衬底为聚酰亚胺、聚四氟乙烯和聚偏氟乙烯中的一种或几种；所述第二耐高温衬底为聚酰亚胺、聚四氟乙烯和聚偏氟乙烯中的一种或几种；/nC)对所述三层结构膜层施加压力，并进行电晕极化，同时在隔绝氧气的条件下加热至160～200℃，得到自极化复合驻极体-压电薄膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种自极化复合驻极体-压电薄膜的制备方法，包括以下步骤：
A)将聚偏氟乙烯的醇溶液涂覆在第一耐高温衬底的表面，然后去除醇溶剂，得到复合有聚偏氟乙烯膜层的第一耐高温衬底；
B)在所述聚偏氟乙烯膜层的表面铺设第二耐高温衬底，得到三层结构膜层；
所述第一耐高温衬底为聚酰亚胺、聚四氟乙烯和聚偏氟乙烯中的一种或几种；所述第二耐高温衬底为聚酰亚胺、聚四氟乙烯和聚偏氟乙烯中的一种或几种；
C)对所述三层结构膜层施加压力，并进行电晕极化，同时在隔绝氧气的条件下加热至160～200℃，得到自极化复合驻极体-压电薄膜。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述聚偏氟乙烯的醇溶液包括聚偏氟乙烯粉体和醇溶剂；所述聚偏氟乙烯粉体的粒径为1nm～1μm；聚偏氟乙烯粉体与醇溶剂的质量比为1：(1～3)。


3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用加热蒸发的方式去除醇溶剂，所述加热的温度为40～70℃。


4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚沛林，王盛凯，占敏杰，王英辉，
申请(专利权)人：昆山微电子技术研究院，
类型：发明
国别省市：江苏;32