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本发明提供了一种自极化复合驻极体‑压电薄膜的制备方法，通过精确的温度控制和较强的电场，在薄膜熔化重新结晶阶段施加外电场，诱导β型PVDF晶体的生成；选用高分子驻极体衬底材料，在对PVDF极化的同时对驻极体衬底进行极化，将电荷注入衬底中，驻极...
该专利属于昆山微电子技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过昆山微电子技术研究院授权不得商用。

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