刻蚀装置制造方法及图纸

本发明专利技术属于刻蚀技术领域，具体涉及一种刻蚀装置。本发明专利技术提出了一种刻蚀装置，刻蚀装置包括：手套箱，所述手套箱内填充有惰性气体；刻蚀机构，所述刻蚀机构设置在所述手套箱内，所述刻蚀机构用于为基片提供刻蚀反应区。根据本发明专利技术实施例的刻蚀装置，刻蚀机构设置在填充有惰性气体的手套箱中，刻蚀基片前，将包装好的基片在手套箱中打开后放入刻蚀机构的内部，刻蚀基片后，将基片从刻蚀机构中取出并在手套箱中进行封存，保证刻蚀前后的基片均处于惰性气体的环境中，防止刻蚀前后的基片与外界粉尘污染、氧气、水接触的问题，避免基片被污染或氧化，从而保证基片刻蚀前后的稳定性，进而提高器件的良品率。器件的良品率。器件的良品率。

【技术实现步骤摘要】
刻蚀装置


[0001]本专利技术属于刻蚀
，具体涉及一种刻蚀装置。

技术介绍

[0002]刻蚀是微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。刻蚀工艺开始前，基片需要经过曝光工艺处理，曝光工艺后基片表面的光刻胶具有很强粘性，基片在转移至刻蚀真空腔的过程中与外界空气接触，光刻胶将空气中的粉尘吸附在基片上，从而影响器件的良品率。刻蚀工艺结束后，基片上会露出新的活泼基底，现有工艺条件难以保证刻蚀后的活泼基片在十万级的厂房内不受空气中粉尘污染或不被空气中的氧气氧化。
[0003]目前，一些小的半导体工厂在资金不足的情况下是很难建立起导体生产所需的10级或1级洁净度产线，极大的提高了半导体厂的建设及运行维护成本。现有的RIE刻蚀装置不能完全避免基片刻蚀前后与外界粉尘污染、氧气、水接触的问题，从而导致基片被污染氧化的情况发生，进而影响器件的良品率。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是至少解决现有基片刻蚀前后被污染的问题。该目的是通过以下技术方案实现的：
[0005]本专利技术提出了一种刻蚀装置，刻蚀装置包括：
[0006]手套箱，所述手套箱内填充有惰性气体；
[0007]刻蚀机构，所述刻蚀机构设置在所述手套箱内，所述刻蚀机构用于刻蚀基片。
[0008]根据本专利技术实施例的刻蚀装置，刻蚀机构设置在填充有惰性气体的手套箱中，刻蚀基片前，将包装好的基片在手套箱中打开后放入刻蚀机构的内部，刻蚀基片后，将基片从刻蚀机构中取出并在手套箱中进行封存，保证刻蚀前后的基片均处于惰性气体的环境中，防止刻蚀前后的基片与外界粉尘污染、氧气、水接触的问题，避免基片被污染或氧化，从而保证基片刻蚀前后的稳定性，进而提高器件的良品率。另外，使用该刻蚀装置无需建立10级或1级洁净度产线，从而减少工厂的建设及运行维护成本。
[0009]另外，根据本专利技术实施例的刻蚀装置，还可以具有如下的技术特征：
[0010]在本专利技术的一些实施例中，所述刻蚀机构包括：上盖；
[0011]反应腔室，所述上盖以相对所述反应腔室可转动的方式与所述反应腔室连接，所述上盖与所述反应腔室形成刻蚀反应区；
[0012]电极，所述电极设置在所述反应腔室中。
[0013]在本专利技术的一些实施例中，所述反应腔室与所述上盖之间设有密封结构。
[0014]在本专利技术的一些实施例中，所述上盖上设有观察窗。
[0015]在本专利技术的一些实施例中，所述刻蚀装置还包括射频系统，所述射频系统与所述电极电连接。
[0016]在本专利技术的一些实施例中，所述刻蚀装置还包括真空系统，所述真空系统能够与
所述反应腔室连通。
[0017]在本专利技术的一些实施例中，所述刻蚀装置还包括供气系统，所述供气系统包括：
[0018]第一刻蚀气体管路，所述第一刻蚀气体管路能够与所述刻蚀机构连通；
[0019]惰性气体管路，所述惰性气体管路能够与所述反应腔室连通。
[0020]在本专利技术的一些实施例中，所述供气系统还包括第二刻蚀气体管路，所述第二刻蚀气体管路能够与所述反应腔室连通。
[0021]在本专利技术的一些实施例中，所述供气系统还设有气体质量流量计和气动阀。
[0022]在本专利技术的一些实施例中，所述刻蚀装置还包括基片冷却系统，所述基片冷却系统与所述电极连接，所述基片冷却系统用于冷却所述基片。
附图说明
[0023]通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本专利技术的限制。而且在整个附图中，用相同的附图标记表示相同的部件。在附图中：
[0024]图1为本专利技术实施例的刻蚀装置的结构示意图；
[0025]图2为图1所示刻蚀装置的侧视示意图；
[0026]图3为图1所示供气系统的结构示意图；
[0027]图4为图1所示刻蚀机构的结构示意图；
[0028]图5为图4所示刻蚀机构的一个实施例的第一剖视示意图；
[0029]图6为图4所示刻蚀机构的另一个实施例第一剖视示意图
[0030]图7为图4所示刻蚀机构的一个实施例的第二剖视示意图；
[0031]图8为图4所示刻蚀机构的另一个实施例的第二剖视示意图。
[0032]附图中各标记表示如下：
[0033]10：手套箱；
[0034]20：刻蚀机构、21：上盖、211：观察窗、22：反应腔室、221：出气孔、222：进气孔、223：环形凸起、23：电极、231：电极接头、232：折弯导电件、233：绝缘衬套、24：密封结构；
[0035]30：电控系统；
[0036]40：真空系统、41：真空管路、42：电阻规管、43：分子泵；
[0037]50：供气系统、51：第一刻蚀气体管路、52：惰性气体管路、53：气动阀、54：质量流量计、55：第二刻蚀气体管路；
[0038]60：射频系统；
[0039]70：基片冷却系统、71：冷却水腔、711：下腔体、712：上腔体、72：进水管、73：出水管。
具体实施方式
[0040]下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
[0041]应理解的是，文中使用的术语仅出于描述特定示例实施方式的目的，而无意于进行限制。除非上下文另外明确地指出，否则如文中使用的单数形式“一”、“一个”以及“所述”也可以表示包括复数形式。术语“包括”、“包含”、“含有”以及“具有”是包含性的，并且因此指明所陈述的特征、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但并不排除存在或者添加一个或多个其它特征、步骤、操作、元件、部件、和/或它们的组合。
[0042]尽管可以在文中使用术语第一、第二、第三等来描述多个元件、部件、区域、层和/或部段，但是，这些元件、部件、区域、层和/或部段不应被这些术语所限制。这些术语可以仅用来将一个元件、部件、区域、层或部段与第二区域、层或部段区分开。除非上下文明确地指出，否则诸如“第一”、“第二”之类的术语以及其它数字术语在文中使用时并不暗示顺序或者次序。因此，以下讨论的第一元件、部件、区域、层或部段在不脱离示例实施方式的教导的情况下可以被称作第二元件、部件、区域、层或部段。
[0043]为了便于描述，可以在文中使用空间相对关系术语来描述如图中示出的一个元件或者特征相对于第二元件或者特征的关系，这些相对关系术语例如为“内部”、“外部”、“内侧”、“外侧”、“下面”、“下方”、“上面”、“上方”等。这种空间相对关系术语意于包括除图中描绘的方位之外的在使用或者操作中装置的不同方位。例如，如果在图中的装置翻转，那么描述为“在其它元件或者特征下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种刻蚀装置，其特征在于，包括：手套箱，所述手套箱内填充有惰性气体；刻蚀机构，所述刻蚀机构设置在所述手套箱内，所述刻蚀机构用于为基片提供刻蚀反应区。2.根据权利要求1所述刻蚀装置，其特征在于，所述刻蚀机构包括：上盖；反应腔室，所述上盖以相对所述反应腔室可转动的方式与所述反应腔室连接，所述上盖与所述反应腔室形成刻蚀反应区；电极，所述电极设置在所述反应腔室中。3.根据权利要求2所述的刻蚀装置，其特征在于，所述反应腔室与所述上盖之间设有密封结构。4.根据权利要求2所述的刻蚀装置，其特征在于，所述上盖上设有观察窗。5.根据权利要求2所述的刻蚀装置，其特征在于，所述刻蚀装置还包括射频系统，所述射频系统与所述电极电连接。6.根据权利要求2所述的刻蚀装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：高圣，屈芙蓉，陶晓俊，赵丽丽，沈云华，冯嘉恒，刘晓静，李国庆，夏洋，明帅强，
申请(专利权)人：昆山微电子技术研究院，
类型：发明
国别省市：