等离子处理方法技术

本发明专利技术是一种使用掩模对被蚀刻膜进行等离子蚀刻的等离子处理方法，其特征在于，具有：沉积工序，对载置有成膜了所述被蚀刻膜的试料的试料台提供高频电力，并且使含有硼元素的沉积膜沉积到所述掩模；以及蚀刻工序，在所述沉积工序之后，使用等离子对所述被蚀刻膜进行蚀刻。刻。刻。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子处理方法


[0001]本专利技术涉及等离子处理技术，例如涉及有效应用于在掩模图案的侧壁形成了保护膜之后对被蚀刻膜进行蚀刻的技术的技术。

技术介绍

[0002]在日本特开2009-200080号公报(专利文献1)中记载了如下的蚀刻技术：通过使用包含含氧的气体和含硫且不含氧的气体的混合气体进行蚀刻，从而保护侧壁，得到所期望尺寸和所期望形状。
[0003]在日本特开2018-56345号公报(专利文献2)中记载了如下技术：作为针对在被处理基板形成的包含氧化硅膜的膜进行干蚀刻时的蚀刻掩模，使用具有硼系膜的硬掩模。
[0004]在先技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2009-200080号公报
[0007]专利文献1：日本特开2018-56345号公报

技术实现思路

[0008]-专利技术要解决的课题-[0009]近年来，半导体设备的微细化不断发展起来，结果，不断要求加工技术的高密度化。在这样的状况下，在以极度紫外线曝光技术(EUV技术)为代表的第二代光刻技术中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种等离子处理方法，使用掩模对被蚀刻膜进行等离子蚀刻，所述等离子处理方法具有：沉积工序，对载置有成膜了所述被蚀刻膜的试料的试料台提供高频电力，并且使含有硼元素的沉积膜沉积于所述掩模；以及蚀刻工序，在所述沉积工序之后，使用等离子对所述被蚀刻膜进行蚀刻。2.根据权利要求1所述的等离子处理方法，其中，所述等离子处理方法还具有：除去工序，使用等离子来除去在所述被蚀刻膜沉积的沉积膜，所述除去工序在所述沉积工序与所述蚀刻工序之间进行。3.根据权利要求2所述的等离子处理方法，其中，使用溴化氢气体和含氟元素气体的混合气体来生成所述除去工序的等离子。4.根据权利要求1所述的等离子处理方法，其中，使用利用含硼元素气体和含氮元素气体的混合气体而生成的等离子，来进行所述沉积工序。5.根据权利要求2所述的等离子处理方法，其中，使用利用含硼元素气体和含氮元素气体的混合气体而生成的等离子，来进行所述沉积工序。6.根据权利要求3所述的等离子处理方法，其中，使用利用含硼元素气体...

【专利技术属性】
技术研发人员：谷山雅章，桑原谦一，宇根聪，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术，
类型：发明
国别省市：