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本发明是一种使用掩模对被蚀刻膜进行等离子蚀刻的等离子处理方法，其特征在于，具有：沉积工序，对载置有成膜了所述被蚀刻膜的试料的试料台提供高频电力，并且使含有硼元素的沉积膜沉积到所述掩模；以及蚀刻工序，在所述沉积工序之后，使用等离子对所述被蚀刻...
该专利属于株式会社日立高新技术所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日立高新技术授权不得商用。

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