一种芯片引线框架材料用高纯Cu-Al-Ag合金及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种芯片引线框架材料用高纯Cu‑Al‑Ag合金的制备方法，包括：将铜粉、铝粉和银粉混合球磨得到混合粉体；将混合粉体冷等压成型，得到Cu‑Al‑Ag合金毛坯；将所述Cu‑Al‑Ag合金毛坯放电等离子烧结，得到Cu‑Al‑Ag合金材料。本发明专利技术采用是湿化学法制备高纯铜，通过在铜合金中添加Al、Ag成分，冷等静压成型技术制备合金素坯，再结合放电等离子烧结(SPS)技术，不仅可以再较低的温度下制备出铜铝合金材料，而且制备的芯片框架材料，纯度高，导电率高，散热性、强度高，进而满足目前高端芯片框架及封装材料的性能要求。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片引线框架材料用高纯Cu-Al-Ag合金及其制备方法
本专利技术涉及材料
，尤其是涉及一种芯片引线框架材料用高纯Cu-Al-Ag合金及其制备方法。
技术介绍
集成电路IC产品由芯片、引线和引线框架、粘接材料、封装材料等几大部分构成。其中，引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。目前，芯片集成度一直以摩尔定律的规则高速推进，即集成度每3年增长4倍，特征尺寸每3年缩小1倍，功能增强，速度更快，功耗降低，封装也在随其不断发展。封装密度、引线密度(单位封装面积上的引线数)越来越高，封装引线脚数平均每年增加16％，PGA已由300-400条增加到1000条；QFP>400条,引线节距逐年下降，从2.54mm转向1.27mm→0.65mm→0.5mm→0.4mm→0.3mm→0.15mm→0.1mm，引线框架正向短、轻、薄、高精细度本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片引线框架材料用高纯Cu-Al-Ag合金的制备方法，包括：/n将铜粉、铝粉和银粉混合球磨得到混合粉体；/n将混合粉体冷等压成型，得到Cu-Al-Ag合金毛坯；/n将所述Cu-Al-Ag合金毛坯放电等离子烧结，得到Cu-Al-Ag合金材料。/n

【技术特征摘要】
1.一种芯片引线框架材料用高纯Cu-Al-Ag合金的制备方法，包括：
将铜粉、铝粉和银粉混合球磨得到混合粉体；
将混合粉体冷等压成型，得到Cu-Al-Ag合金毛坯；
将所述Cu-Al-Ag合金毛坯放电等离子烧结，得到Cu-Al-Ag合金材料。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述铜粉为电化学法制备，粒径为4～6μm，纯度为99.9999％；铝粉为高能球磨法制备，粒径为4～6微米，纯度为99.9995％；银粉为液相化学还原法制备，粒径为1～2μm，纯度为99.99％。


3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述铜粉、铝粉和银粉的质量比为99：(1～X)：X；其中x为0.4～1。


4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述球磨具体为：磨球为ZrO2成分，直径φ1～10mm，磨球与铜粉、铝粉和银粉混合粉的质量比为10～20:1，球磨机转速为300～1000r/min，球磨时间为6～8h。


5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜勇，梁晓新，何霜霜，
申请(专利权)人：昆山微电子技术研究院，
类型：发明
国别省市：江苏;32