一种发光元件加工方法，包含：分配晶圆上的多个发光元件群组，到多个类别，各发光元件群组的发光元件之间，包括晶圆水平节距与晶圆垂直节距；将类别相同的发光元件，从各晶圆转移到基板上；根据第一预定模式，从至少一类别的各基板上，转移发光元件到第一...

本发明公开一种可挠式发光二极管组件及发光二极管灯泡，该发光二极管组件包含有弯曲灯管、基板、发光二极管芯片、导电区段、以及导电线。其中，基板设置于该弯曲灯管内并包含第一表面、第二表面、及终端；发光二极管芯片形成于该第一表面之上；导电区段形...

本发明提供一种发光二极管的驱动器与相关的照明系统。实施例公开了一种驱动器，用以驱动一发光元件，包含有一整流电路以及一电流驱动电路。该整流电路包含有至少一整流二极管，电连接至一交流输入电源，用以产生一直流电源，跨于一直流电源线与一接地线之...

本发明公开一种光电元件及其制造方法，该光电元件包含：一基板，具有一第一侧及一第二侧相对第一侧，及一第一外边界；一发光二极管单元形成在第一侧；一第一电极电连接发光二极管单元；一第二电极电连接发光二极管单元；以及一散热垫形成在第一电极与第二...

一种发光装置，包含一载板、一发光元件以及一连结结构。载板包含一第一导电区。发光元件包含可发出第一光线的一第一发光层以及形成在该第一发光层的下的一第一接触电极，其中该第一接触电极对应该第一导电区。连结结构包含第一电连结部以及围绕该第一接触...

本发明公开一种固晶结构及其制造方法。所述固晶制造方法包含提供目标基板，其中目标基板包含支撑基板以及电路结构形成在支撑基板的一侧，其中电路结构包含玻璃板形成在支撑基板上，透明导电层形成在玻璃板上，金属层形成在透明导电层上，粘合增强电路层形...

本发明公开一种发光元件，其包含一基板包含一侧壁；一发光叠层位于基板上，发光叠层包含一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层；一半导体结构位于基板上，通过第一半导体层与发光叠层相隔一距离并环绕发光叠层；以及一布拉格反射镜覆盖发光叠层及半导...

本发明提供一种照明装置，包括灯座、复数个发光元件、连接元件、灯罩及托架，复数个发光元件配置于灯座上，每一发光元件包括基板、第一群组发光二极管结构及连接端口，基板具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面；第一群组发光二极管结构配置于第一表...

本发明公开一种发光元件及其制造方法，该发光元件包含：基板，包含上表面；第一发光单元以及第二发光单元，分别位于上表面上，其中第一发光单元及第二发光单元分别包含下部半导体层以及上部半导体层；以及导电结构，电连接第一发光单元及第二发光单元；其...

本发明公开一种发光组件及制作方法。该发光二极管组件包含有一透明基板、数个发光二极管芯片、一线路、一透明封装体、以及二电极板。该透明基板具有面对相反方向的一第一表面以及一第二表面。该多个发光二极管芯片，固定于该第一表面上。该线路电连接该多...

本发明公开一种发光元件及其制造方法，其方法包含提供一发光二极管晶片，包含一基板以及一半导体叠层位于基板上，其中半导体叠层包含一第一半导体层、一活性层、一第二半导体层、一下表面面对基板以及一上表面相对于下表面；移除部分区域的第二半导体层及...

本发明公开一种发光装置、其制造方法及显示模块，其中该发光装置包含一载板、一发光组件以及一连接结构。载板包含一第一结合部以及沿伸自该结合部的一第一颈部。第一结合部具有第一宽度，第一颈部具有第二宽度，其中，第二宽度小于第一宽度。发光组件包含...

本发明公开一种发光装置、其制造方法及显示模块，其中该发光装置包含一载板、一发光组件以及一连接结构。载板包含一第一结合部以及沿伸自该结合部的一第一颈部。第一结合部具有第一宽度，第一颈部具有第二宽度，其中，第二宽度小于第一宽度。发光组件包含...

本发明公开一种半导体叠层、半导体元件及其制造方法。半导体元件包含第一半导体层以及发光结构。第一半导体层包含第一III‑V族半导体材料、第一掺杂物及第二掺杂物。发光结构位于第一半导体层上且包含活性结构。在第一半导体层中，第二掺杂物的浓度大...

本发明公开一种半导体元件，其包括基层以及缓冲结构。基层包含第一半导体化合物。第一半导体化合物具有第一晶格常数并包含多种元素，且各多种元素中原子半径最大者的原子半径定义为第一原子半径。缓冲结构包含第二半导体化合物以及第一添加物，第二半导体...

本发明公开一种发光二极管显示器，其包含一第一载板、一第二载板、一发光单元、一框体以及一保护层。第一载板包含第一电极与第二电极。第二载板，形成于该第一载板之下，并包含第一接点与第二接点位于靠近该第一载板的一侧。发光单元形成于第一载板之上并...

本发明公开一种半导体元件，其包含第一型半导体结构具有第一晶格常数，且包含第一侧及第二侧相对于第一侧；活性结构位于第一型半导体结构的第一侧上且发出一辐射，且该辐射的峰值波长介于1000纳米至2000纳米之间；以及第一接触层位于第一型半导体...

本发明公开一种半导体元件，其包含一半导体叠层，具有一第一型半导体结构、一活性结构以及一第二型半导体结构设于该第一型半导体结构上，该第二型半导体结构具有一掺杂浓度；一第一部分，具有一部分的第一型半导体结构、活性结构及第二型半导体结构，且包...

本发明公开一发光组件，其包含一半导体叠层；一电极垫包含一周界位于半导体叠层上；以及一延伸电极连接至电极垫，其中延伸电极包含一第一部分延伸自电极垫的周界以及一第二部分远离于电极垫，第一部分包含一第一边及一第二边，第一边与第二边相对，第一边...

本发明公开一种光学感测模块，包含承载体、光发射元件、光接收元件。光发射元件位于该承载体上。光接收元件位于该承载体上且包含III‑V族半导体材料。光接收元件具有吸光面以及最大量子效率的接收波长。光接收元件的最大量子效率与吸光面的面积比值≥...