半导体元件制造技术

本发明专利技术公开一种半导体元件，其包含第一型半导体结构具有第一晶格常数，且包含第一侧及第二侧相对于第一侧；活性结构位于第一型半导体结构的第一侧上且发出一辐射，且该辐射的峰值波长介于1000纳米至2000纳米之间；以及第一接触层位于第一型半导体结构的第二侧上，具有第二晶格常数，且包含第一掺杂物具有第一掺杂浓度大于1×10

【技术实现步骤摘要】
半导体元件
本专利技术涉及半导体元件，特别是涉及一种具有晶格常数差异的半导体元件。
技术介绍
随着科技日新月异，半导体元件在信息传输及能量转换等领域扮演非常重要的角色，相关材料的研究开发也持续进行。举例而言，半导体材料可应用于各种光电元件如发光二极管(lightemittingdiode，LED)、激光二极管(laserdiode，LD)、太阳能电池(solarcell)、功率元件(powerdevice)、声波传感器(acousticwavesensor)等，也可应用于照明、显示、通讯、感测、电源系统等领域。发光二极管的发光原理是施加电流，使N型半导体层中的电子和P型半导体层中的空穴结合，以将电能转换为光能。发光二极管具有耗电量低以及寿命长等优点，因此已逐渐取代传统光源而大量被应用于交通号志、背光模块、各式照明及医疗设备等。发射红外线的发光二极管在感测系统、识别系统、监视系统及车用光源上，也有相当的应用市场及潜力。
技术实现思路
根据本专利技术的一些实施例，提供半导体元件，其包含第一型半导体结构具有第一晶格常数，且包含第一侧及第二侧相对于第一侧；活性结构位于第一型半导体结构的第一侧上且发出一辐射，且该辐射的峰值波长介于1000纳米至2000纳米之间；以及第一接触层位于第一型半导体结构的第二侧上，具有第二晶格常数，且包含第一掺杂物具有第一掺杂浓度大于1×1018/cm3。其中第二晶格常数与第一晶格常数之间的差距至少0.5％。附图说明以下将配合所附的附图详述本揭露的实施例。应注意的是，依据产业上的标准做法，各种特征并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上，可能任意地放大或缩小元件的尺寸，以清楚地表现出本揭露的特征。图1为一实施例绘示在本揭露的半导体元件的剖面示意图；图2为一实施例绘示本揭露的半导体元件的剖面示意图；图3为一实施例绘示本揭露的半导体元件的上视图；图4A～图4B为一些实施例绘示在制造图2的半导体元件的不同阶段的剖面示意图；图5为一实施例的本揭露的半导体元件的部分范围的元素的浓度与深度的关系图；图6为另一实施例绘示本揭露的半导体元件的剖面示意图；图7为另一实施例绘示本揭露的半导体元件的剖面示意图；图8为本揭露内容一实施例的半导体元件的封装结构示意图。符号说明100、200、300、400～半导体元件101～成长基板102～基底103～牺牲层104～第一接触层106～第一窗户层108～缓冲层110～第一型半导体结构112～活性结构114～第二型半导体结构116～第二窗户层118～第二接触层122～第一电极120～第二电极124～粘结层130～反射结构132～第三接触层134～阻障层136～反射粘结层138～反射层140～导电结构141～孔隙142～第一导电层144～第二导电层146～绝缘层302～第一掺杂物304～第二掺杂物306～第一元素308～第二元素310～第三元素500～封装结构51～封装板52～通孔53～载体53a～第一部分53b～第二部分55～接合线56～接触结构56a、56b～接触垫58～封装材料S～半导体叠层S1～第一侧S2～第二侧具体实施方式以下概述一些实施例，以使得本专利技术所属
中具有通常知识者可以更容易理解本专利技术。然而，这些实施例只是范例，并非用于限制本专利技术。可以理解的是，本专利技术所属
中具有通常知识者可以根据需求调整以下描述的实施例，例如改变制作工艺顺序及/或包含比在此描述的更多或更少步骤。此外，可以在以下叙述的实施例的基础上添加其他元件或步骤。举例来说，「在第一层/结构上形成第二层/结构」的描述可能包含第一层/结构与第二层/结构直接接触的实施例，也可能包含第一层/结构与第二层/结构之间具有其他元件，使得第一层/结构与第二层/结构不直接接触的实施例，并且第一层/结构与第二层/结构的空间相对关系可能随着装置在不同方位操作或使用而改变。另外，本专利技术可能在不同的实施例中重复参考数字及/或字母，此重复是为了简化和清楚，而非用以表示所讨论的不同实施例之间的关系。此外，在本揭露内容中，一层「实质上由X材料所组成」的叙述表示该层的主要组成为X材料，但并不排除包含掺杂物或不可避免的杂质。在本专利技术实施例中，若无特别说明，化学表示式可以包含「符合化学剂量的化合物」及「非符合化学剂量的化合物」，其中「符合化学剂量的化合物」例如为三族元素的总元素剂量与五族元素的总元素剂量相同，并且「非符合化学剂量的化合物」例如为三族元素的总元素剂量与五族元素的总元素剂量不同。举例来说，化学表示式为AlGaAs代表包含三族元素铝(Al)及/或镓(Ga)，以及包含五族元素砷(As)，其中三族元素(铝及/或镓)的总元素剂量可以与五族元素(砷)的总元素剂量相同或相异。另外，若由化学表示式表示的各化合物为符合化学剂量的化合物时，AlGaAs代表Alx1Ga(1-x1)As，其中0<x1<1；AlInP代表Alx2In(1-x2)P，其中0<x2<1；AlGaInP代表(Aly1Ga(1-y1))1-x3Inx3P，其中0<x3<1且0<y1<1；AlGaInAs代表(Aly2Ga(1-y2))1-x4Inx4As，其中0<x4<1且0<y2<1；AlGaN代表Alx5Ga(1-x5)N，其中0<x5<1；AlAsSb代表AlAsx6Sb(1-x6)，其中0<x6<1；InGaP代表Inx7Ga1-x7P，其中0<x7<1；InGaAsP代表Inx8Ga1-x8As1-y3Py3，其中0<x8<1且0<y3<1；InGaAsN代表Inx9Ga1-x9As1-y4Ny4，其中0<x9<1且0<y4<1；AlGaAsP代表Alx10Ga1-x10As1-y5Py5，其中0<x10<1且0<y5<1；InGaAs代表Inx11Ga1-x11As，其中0<x11<1。为了方便说明，下文将以四元发光二极管描述本专利技术，但本专利技术不限于此。本专利技术也可应用于其他类型的半导体元件，例如二元、三元发光二极管或其他半导体元件，并且半导体元件的两个电极可以分别位于半导体元件的两侧或位于半导体元件的同一侧。所述「四元」、「三元」、「二元」分别指发光二极管的半导体叠层包含四种、三种、两种元素组成的化合物以下根据本专利技术的一些实施例描述半导体元件，且特别适用于发射近场红外线(near-infr本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体元件，其特征在于，包含：/n第一型半导体结构，具有第一晶格常数，且包含第一侧及第二侧相对于该第一侧；/n活性结构，位于该第一侧上，且发出一辐射，且该辐射的峰值波长介于1000纳米至2000纳米之间；以及/n第一接触层，位于该第二侧上，具有第二晶格常数，且包含第一掺杂物，具有第一掺杂浓度大于1×10

【技术特征摘要】
20181224 TW 1071468411.一种半导体元件，其特征在于，包含：
第一型半导体结构，具有第一晶格常数，且包含第一侧及第二侧相对于该第一侧；
活性结构，位于该第一侧上，且发出一辐射，且该辐射的峰值波长介于1000纳米至2000纳米之间；以及
第一接触层，位于该第二侧上，具有第二晶格常数，且包含第一掺杂物，具有第一掺杂浓度大于1×1018/cm3；
其中，该第二晶格常数与该第一晶格常数之间的差距至少0.5％。


2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该活性结构包含第一元素且该第一接触层不包含该第一元素。


3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该活性结构包含第二元素不同于该第一元素，且该第一接触层不包含该第二元素。


4.如权利要求2或3所述的半导体元件，其中该第一型半导体结构包含该第一元素。

【专利技术属性】
技术研发人员：陈孟扬，李荣仁，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71