【技术实现步骤摘要】
一种倒装发光二极管及显示装置
本技术涉及半导体
，特别是设计一种倒装发光二极管的结构。
技术介绍
发光二极管为把电能转换成光能的半导体器件，又成为LED（LightEmittingDiode）芯片，发光二极管根据封装形式的不同，又可以简单分为正装发光二极管、倒装发光二极管和垂直发光二极管。其中倒装发光二极管具有不需要焊线工艺、可以大电流驱动，可靠性较高等优势，因此倒装发光二极管在普通照明，背光、闪光灯、显屏以及车灯等领域都得有非常好的应用。为了提高发光二极管出光效率，在倒装发光二极管制作中广泛采用了图形化衬底，以采用蓝宝石衬底的氮化镓基蓝光发光二极管为例，衬底图形将有利于外延生长和蓝光的出光，增加光在氮化镓和蓝宝石界面的散射。目前倒装芯片因使用锡膏固晶，在芯片边缘均会做绝缘保护层，防止固晶时锡膏溢流至侧壁导致漏电异常，参考图1，芯片边缘为切割道结构（ISO）采用干蚀刻至PSS形成，绝缘保护层覆盖至边缘PSS表面，即芯片边缘为凹凸状不平整表面。当芯片缩小至250μm*250μm以下，即达到Mini...
【技术保护点】
1.一种倒装发光二极管，包括图形化衬底和位于衬底上的外延发光层，外延发光层包括覆盖在衬底上的第一半导体层、第二半导体层和位于两者之间的有源层，与第一半导体层连接有第一电极，与第二半导体层连接有第二电极，其特征在于，外延发光层延伸覆盖至衬底边界。/n
【技术特征摘要】
1.一种倒装发光二极管，包括图形化衬底和位于衬底上的外延发光层，外延发光层包括覆盖在衬底上的第一半导体层、第二半导体层和位于两者之间的有源层，与第一半导体层连接有第一电极，与第二半导体层连接有第二电极，其特征在于，外延发光层延伸覆盖至衬底边界。
2.根据权利要求1所述的一种倒装发光二极管，其特征在于，95.0%至99%或者99%至99.5%或者99.5%以上的衬底表面被外延发光层覆盖。
3.根据权利要求1所述的一种倒装发光二极管，其特征在于，衬底图形包括半球、平台、圆锥、三角锥、六角锥、类圆锥、类三角锥或者类六角锥。
4.根据权利要求1所述的一种倒装发光二极管，其特征在于，倒装发光二极管的芯片尺寸不大于250微米*250微米。
5.根据权利要求1所述的一种倒装发光二极管，其特征在于，倒装发光二极管具有从2微米到100微米或从100微米到500微米的长度。
6.根据权利要求1所述的一种倒装发光二...
【专利技术属性】
技术研发人员：何安和，王锋，夏章艮，詹宇，林素慧，彭康伟，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35
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