一种磊晶结构及其制备方法、LED技术

本发明专利技术公开了一种磊晶结构及其制备方法、LED，所述磊晶结构包括：依次设置的蓝宝石衬底、GaN层、缺陷暴露层、缺陷终止层。在蓝宝石衬底上制备缓冲层(GaN层)之后，本发明专利技术通过缺陷暴露层，将缓冲层中的缺陷扩大，并暴露出来，然后通过缺陷终止层改变缺陷的方向，终止缺陷继续扩大。因此，在缺陷终止层上继续制备后续层时，后续层不会在缓冲层的缺陷的基础上形成更大的缺陷。

A epitaxial structure and its preparation method, LED

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】一种磊晶结构及其制备方法、LED
本专利技术涉及磊晶结构
，尤其涉及的是一种磊晶结构及其制备方法、LED。
技术介绍
发光二极管(Light-emittingdiode，LED)是一种能发光的半导体电子组件，透过三价与五价元素所组成的复合光源，可应用在照明，广告广告牌，手机背光等，目前所使用的材料为InGaN，但目前是在蓝宝石基板(sapphire)透过MOCVD机台成长InGaN为主的蓝绿光LED，但因是不同材料所堆栈(异质磊晶)进而造成许多缺陷(10-9～10-10cm-2)进而影响电子及空穴复合效率而降低整体组件发光效率。即是说，在磊晶制程中大致分为同质磊晶(A材料长在A材料基板上)以及异质磊晶(A材料长在B材料基板上)，目前在GaN基LED制程上目前是GaN材料长在蓝宝石基板上，因为GaN和蓝宝石基板的晶格常数不匹配达14％，因此，GaN长在蓝宝石基板上会产生应力，进而产生材料缺陷，这些缺陷将会存在悬浮键，这将会导致影响捕捉电子或空穴，使得电子电洞符合效率变差，而使整体组件发光效率变差。因此，现有技术还有待于改进和发展。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磊晶结构，其特征在于，包括：依次设置的蓝宝石衬底、GaN层、缺陷暴露层、缺陷终止层。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种磊晶结构，其特征在于，包括：依次设置的蓝宝石衬底、GaN层、缺陷暴露层、缺陷终止层。


2.根据权利要求1所述的磊晶结构，其特征在于，所述GaN层为高温无掺杂GaN层，所述缺陷暴露层为低温无掺杂GaN层或低温无掺杂InGaN层，所述缺陷终止层为岛状掺杂GaN层。


3.根据权利要求2所述的磊晶结构，其特征在于，所述岛状掺杂GaN层为岛状硅掺杂GaN层或岛状镁掺杂GaN层，所述岛状掺杂GaN层的掺杂浓度大于1019cm-3。


4.根据权利要求1所述的磊晶结构，其特征在于，所述磊晶结构还包括：依次设置在所述缺陷终止层上的n型GaN层、发光层、EBL层、p型GaN层。


5.一种LED，其特征在于，包括：如权利要求1-4任意一项所述的磊晶结构。


6.一种如权利要求1-4任意一项所述的磊晶结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
提供一蓝宝石衬底，并在所述蓝宝石衬底上生长GaN层；
在所述GaN层上生长缺陷暴露层；
在所述缺陷暴露层上生长缺陷终止层。


7.根据权利要求6所述的磊晶结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨顺贵，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;50