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本发明公开了一种磊晶结构及其制备方法、LED，所述磊晶结构包括：依次设置的蓝宝石衬底、GaN层、缺陷暴露层、缺陷终止层。在蓝宝石衬底上制备缓冲层(GaN层)之后，本发明通过缺陷暴露层，将缓冲层中的缺陷扩大，并暴露出来，然后通过缺陷终止层改变...
该专利属于重庆康佳光电技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过重庆康佳光电技术研究院有限公司授权不得商用。

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