本发明公开一种发光装置的色温调整方法，包含提供一载体，设置至少二发光二极管单元于载体上，发光二极管单元之间具有一间距，其中间距与发光装置的总体色温成一正相关，且依正相关调整间距至一预定色温。

本发明的实施例公开一种发光结构，包含：第一单元，包含第一上方半导体层及第一下方半导体层，其中第一下方半导体层具有第一上表面及第一侧壁；第二单元，包含第二上方半导体层及第二下方半导体层，其中第二上方半导体层具有第二上表面，第二下方半导体层...

本发明公开一种管芯转移方法及其装置，该管芯转移方法包含提供多个管芯于一第一承载结构上；区分上述第一承载结构为多个区块，且上述多个区块的每一个包含上述多个管芯中的多个管芯；测量上述多个管芯每一个的一特征值；根据每一个区块内的每一个管芯的上...

本发明提供一种具温度补偿元件的发光装置，该发光装置包含：一第一发光二极管群组；一第二发光二极管群组，并联连接至第一发光二极管群组；一温度补偿元件，串联连接至第二发光二极管群组；及一第一开关元件，连接在第二发光二极管群组及温度补偿元件间。...

本发明公开一种发光装置，包含:一发光叠层包含一第一表面；一图案化介电层形成于发光叠层的第一表面上，包含一第一部分及及一第二部分大致环绕第一部分且与第一部分的厚度相同；一第一反射电极覆盖图案化介电层的第一部分；以及一阻障层覆盖第一反射电极...

本发明公开一种发光元件，其包含发光主体、支撑结构、第一波长转换结构、以及吸光层。发光主体包含多个彼此分离的活性层、第一半导体层连续地位于多个活性层之上、以及支撑结构位于发光主体上且包含第一开孔。第一波长转换结构位于第一开孔中。吸光层位于...

本发明公开一种发光元件及其制造方法，其中该发光元件包含：一基板；以及一半导体叠层形成于基板上且包含：一第一半导体层具有一第一电性；一第二半导体层具有第二电性；以及一发光叠层形成于第一、二半导体层之间；其中，在一剖视图中，第一半导体层的内...

本发明公开一种具有多个发光结构的发光元件，其包含一第一半导体层；第一发光结构与第二发光结构，位于第一半导体层之上，其中第一半导体层为连续的；多个第一电极，位于第一半导体层之上；多个第二电极，位于第一半导体层之上；多个电绝缘部，位于多个第...

本发明公开一种发光二极管组件及制作方法。该发光二极管组件包含有一第一透光基板、一第一荧光粉层、一第二透光基板、多个发光二极管芯片、以及一第二荧光粉层。该第一荧光粉层夹于该第一与第二透光基板之间。该第二透光基板至少具有二沟槽，大致平行地形...

本发明公开一种半导体元件分类方法，包含：定义一承载装置上的多个半导体元件为多个分类区域；提供一选定作业，选定该多个分类区域其中之一分类区域为一第一分拣区域；提供一分拣作业，取出附着于该承载装置上的该第一分拣区域的一个或多个半导体元件；以...

本发明公开一种发光元件及其制造方法。发光元件包含一第一半导体层；以及一透明导电氧化层，其包含一具有一第一金属材料的扩散区域及一不具有第一金属材料的非扩散区域，其中非扩散区域比扩散区域更靠近第一半导体层。

本发明公开一制造一发光元件的方法，其包含：提供一载体；施行一涂布步骤，包含涂布一膜层于此载体上；施行一烘烤步骤，包含于第一温度下烘烤此膜层；及重复一预定次数的涂布步骤和烘烤步骤以形成一厚膜层。

本发明公开一种发光元件及其发光装置，其中该发光装置包含一载板、一位于载板之上的电性接触、一半导体叠层以及电连接半导体叠层(semiconductor stack)与电性接触的一电极。

本发明公开一种发光元件，该发光元件包含：一第一半导体层；一第二半导体层，位于第一半导体层上；一第三半导体层，位于该第二半导体层上；一活性层，位于第二半导体层及第三半导体层之间；一暴露区，穿过第三半导体层及活性层，暴露出第一半导体层的一第...

本发明公开一种半导体元件，其包含︰一第一半导体区域；以及位于第一半导体区域上的一第一电极，其中第一半导体区域包含一第一层以及一第二层，第二层包含一第一部位和与第一部位相邻的一第二部位，第一部位具有一第一厚度，第二部位具有一第二厚度，第二...

本发明公开一种半导体元件，其包含︰一第一半导体层；位于第一半导体层上的一第二半导体层；位于第一半导体层以及第二半导体层之间的一活性区域；位于活性区域以及第二半导体层之间的一电子阻挡结构；位于活性区域以及电子阻挡结构之间的一第一含铟层；以...

本发明公开一种半导体元件，其包含︰一第一半导体层；位于第一半导体层上的一第二半导体层，其包含具有第一导电类型的一第一掺杂物和具有第二导电类型的一第二掺杂物，其中第一掺杂物具有一掺杂浓度，且第一导电类型与第二导电类型不同；位于第二半导体层...

本发明公开一种发光元件，其包含：一发光叠层；以及一位于发光叠层上的电极，电极包含一主要材料以及一不同于主要材料的接触材料，接触材料能够与半导体材料形成欧姆接触；其中接触材料分布于发光元件的一部分且在电极处具有一最大浓度。

一种发光元件及其制造方法，该制造方法包括提供一第一基板及多个半导体叠层块于该第一基板上，各该多个半导体叠层块包括一第一电性半导体层、一发光层位于该第一电性半导体层之上、以及一第二电性半导体层位于该发光层之上，其中，该多个半导体叠层块包含...

本发明公开一种发光装置，包含一载板、一发光单元设置在载板上、一反射元件设置于发光单元上，以及一光学元件位于载板上并环绕发光单元。