发光元件及其制造方法技术

一种发光元件及其制造方法，该制造方法包括提供一第一基板及多个半导体叠层块于该第一基板上，各该多个半导体叠层块包括一第一电性半导体层、一发光层位于该第一电性半导体层之上、以及一第二电性半导体层位于该发光层之上，其中，该多个半导体叠层块包含一第一半导体叠层块及一第一二半导体叠层块；以及实行一第一分离步骤，包括：提供一第二基板，包括一第一电极；实行一第一接合步骤，包括接合该第一半导体叠层块与该第二基板；以及分离该第一半导体叠层块与该第一基板，且该第一基板存留有该第二半导体叠层块。

Luminescent Element and Its Manufacturing Method

A light emitting element and a manufacturing method thereof include providing a first substrate and a plurality of semiconductor laminates on the first substrate, each of which comprises a first electrical semiconductor layer, a light emitting layer on the first electrical semiconductor layer, and a second electrical semiconductor layer on the light emitting layer, wherein the plurality of semiconductor laminates are arranged on the first substrate. Including a first semiconductor stack block and a first two semiconductor stack block; and implementing a first separation step, including providing a second substrate, including a first electrode; implementing a first bonding step, including joining the first semiconductor stack block with the second substrate; and separating the first semiconductor stack block from the first substrate, and retaining the second substrate on the first substrate. Semiconductor stacks.

【技术实现步骤摘要】
发光元件及其制造方法本申请是中国专利技术专利申请(申请号：201380077701.9，申请日：2013年07月05日，专利技术名称：发光元件及其制造方法)的分案申请。
本专利技术涉及一种发光元件及其制造方法；特别涉及一种增加半导体叠层的利用的发光元件及其制造方法。
技术介绍
发光二极管(Light-EmittingDiode；LED)具有耗能低、操作寿命长、防震、体积小、反应速度快以及输出的光波长稳定等特性，因此适用于各种照明用途。如图1所示，目前发光二极管芯片的制作包括，在基板101上形成发光叠层(图未示)，再形成切割道103v,103h而分割出多个发光二极管芯片102。然而目前多个发光二极管芯片102的分割大多以激光切割，而受限于激光光束的尺寸(beamsize)以及切割时易形成副产物(byproduct)造成漏电情形，切割道103v,103h的宽度D在设计上均至少必须维持20μm以上。若可节省此切割道103v,103h的面积，大约可增加25％的发光叠层面积。
技术实现思路
本专利技术揭露一种发光元件的制造方法，包括提供一第一基板及多个半导体叠层块于该第一基板上，各该多个半导体叠层块包括一第一电性半导体层、一发光层位于该第一电性半导体层之上、以及一第二电性半导体层位于该发光层之上，其中，该多个半导体叠层块包含一第一半导体叠层块及一第一二半导体叠层块；以及实行一第一分离步骤，包括：提供一第二基板，包括一第一电极；实行一第一接合步骤，包括接合该第一半导体叠层块与该第二基板；以及分离该第一半导体叠层块与该第一基板，且该第一基板存留有该第二半导体叠层块。附图说明图1为传统制作发光二极管芯片的基板的示意图；图2A至2E为本专利技术的发光元件的制造方法所使用的分离方法的实施例的示意图；图2F为本专利技术的发光元件的制造方法的第一实施例的中间步骤的示意图；图3A至3F为本专利技术的发光元件的制造方法的第一实施例(并联情形)的示意图；图4为本专利技术的发光元件的制造方法的第一实施例(并联情形)的示意图；图5为本专利技术的发光元件的制造方法的第一实施例(串联情形)的示意图；图6A至6B为本专利技术的发光元件的制造方法的第二实施例的示意图；图6C至6D为本专利技术的发光元件的制造方法的第三实施例的示意图；图7A至7G为本专利技术的发光元件的制造方法的第四实施例的示意图；图7H至7K为本专利技术的发光元件的制造方法的第五实施例的示意图。附图标记说明101基板102发光二极管芯片103v,103h切割道D切割道宽度201第一基板202半导体叠层202a第一电性半导体层202b发光层202c第二电性半导体层211第一牺牲层212分隔道221第二基板231,232,233,234及235半导体叠层块d分隔道的宽度231e1第一电极231e2第二电极240介电层241:激光301第一基板302半导体叠层331,333半导体叠层块331e1,333e1及335e1第一电极331e2,333e2及335e2第二电极340介电层361元件基板361TE1,361TE2穿孔电极361E1,361E2图形化的金属层361S1,361S2,361S3及361S4图形化的金属层602半导体叠层602a第一电性半导体层602b发光层602c第二电性半导体层611第一牺牲层621,621’第二基板621T1,621T1’第一穿孔621T2,621T2’第二穿孔622TE1,622TE1’第一穿孔电极622TE2,622TE2’第二穿孔电极631E1,631E1’第一导电连接线631E2,631E2’第二导电连接线632半导体叠层块640绝缘层641,641’透明封装材料701第一基板702半导体叠层702a第一电性半导体层702b发光层702c第二电性半导体层711第一牺牲层721第二基板721T穿孔721TE第一穿孔电极722EE及722E电极731,732,733及734半导体叠层块791,792导电氧化层793反射金属层794欧姆接触金属层795绝缘层具体实施方式图2A至2E显示为本专利技术的发光元件的制造方法所使用的分离方法的实施例。图3A至图5显示本专利技术的发光元件的制造方法的第一实施例，其中图3A至3F、及图4显示多个半导体叠层块的并联所形成的发光元件；而图5则显示多个半导体叠层块的串联所形成的发光元件。在图2A中，在第一基板201上形成半导体叠层202，此半导体叠层202包括第一电性半导体层202a；位于第一电性半导体层202a之上的发光层202b；以及位于发光层202b之上的第二电性半导体层202c。第一电性半导体层202a和第二电性半导体层202c电性相异，例如第一电性半导体层202a是n型半导体层，而第二电性半导体层202c是p型半导体层。第一电性半导体层202a、发光层202b、及第二电性半导体层202c为III-V族材料所形成，例如为磷化铝镓铟(AlGaInP)系列材料或氮化铝镓铟(AlGaInN)系列材料。在图2B中，实施一图形化步骤，形成宽度为d的分隔道212，而半导体叠层202被图形化成多个半导体叠层块231,232,233,234及235。即两相邻的半导体叠层块被分隔道212隔开。而为了增加半导体叠层202的利用面积，分隔道的宽度d可以尽量缩小，例如小于20μm，更佳的是小于10μm，在一实施例中，分隔道的宽度d小于5μm。而上述的图形化一般是指经覆盖光阻并曝光显影后加以蚀刻的工艺。但图形化的方法并不限于此，其他方法，例如以激光直接切割半导体叠层202亦为一实施例。另外，上述多个半导体叠层块在图形化后各具有一上视形状，且此上视形状可以包含菱行、正方形、长方形、三角形、或圆形。值得注意的是，上述半导体叠层202可能在第一基板201上所成长，即第一基板201是半导体叠层的成长基板；但也可能半导体叠层202在另一成长基板形成后，经移转技术而将半导体叠层移转至此第一基板201上，在此情形时，半导体叠层202与第一基板201间可能更包括粘结层(图未示)。移转技术为熟悉此
的人士所习知，在此不予赘述。或者，在另一实施例中，半导体叠层202在另一成长基板形成且被图形化成上述多个半导体叠层块231,232,233,234及235之后，才经移转技术而将这些半导体叠层块231,232,233,234及235移转至此第一基板201上，形成图2B的情形，同样地，在此情形时，半导体叠层块231,232,233,234及235与第一基板201间可能更包括一粘结层(图未示)。接着，在欲移离的半导体叠层块上形成第一牺牲层211以利实行分离步骤，在本实施例中，欲移离的半导体叠层块为半导体叠层块232及234。此第一牺牲层211的形成可以是先在整个第一基板201上形成整层第一牺牲层211的材料后，再以黄光及蚀刻工艺选择性地在欲移离的半导体叠层块232及234上存留下此第一牺牲层211。值得注意的是，熟悉此
的人士亦了解，在工艺顺序上，也可以是先在欲移离的半导体叠层块232及234的位置上形成此第一牺牲层211后，才以另一黄光及蚀刻工艺以完成前述的半导体叠层202的图形化成多个半导体叠层块231,232,233,234及235的步骤。第一牺牲层211的材料可以是导电材料或非导电材料，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光元件的制造方法，包括：提供第一基板及多个半导体叠层块于该第一基板上，各该多个半导体叠层块包括第一电性半导体层、发光层位于该第一电性半导体层之上、以及一第二电性半导体层位于该发光层之上，其中，该多个半导体叠层块包含第一半导体叠层块及第一二半导体叠层块；以及实行第一分离步骤，包括：提供第二基板，包括第一电极；实行第一接合步骤，包括接合该第一半导体叠层块与该第二基板；以及分离该第一半导体叠层块与该第一基板，且该第一基板存留有该第二半导体叠层块。

【技术特征摘要】
1.一种发光元件的制造方法，包括：提供第一基板及多个半导体叠层块于该第一基板上，各该多个半导体叠层块包括第一电性半导体层、发光层位于该第一电性半导体层之上、以及一第二电性半导体层位于该发光层之上，其中，该多个半导体叠层块包含第一半导体叠层块及第一二半导体叠层块；以及实行第一分离步骤，包括：提供第二基板，包括第一电极；实行第一接合步骤，包括接合该第一半导体叠层块与该第二基板；以及分离该第一半导体叠层块与该第一基板，且该第一基板存留有该第二半导体叠层块。2.如权利要求1所述的发光元件的制造方法，其中第二基板还包含第二电极。3.如权利要求2所述的发光元件的制造方法，还包含：形成第一导电连接线电性连接该第一半导体叠层块的第一电性半导体层及该第一电极，及第二导电连接线电性连接该第二半导体叠层块的第二电性半导体层及该第二电极；以及形成透明封装材料于该第二基板上，其中该透明封装材料覆盖该第一半导体叠层块、该第一导电连接线及该第二导电连接线。4.如权利要求1所述的发光元件的制造方法，其中该第一接合步骤还包含对位接合该第一半导体叠层块与该第二基板，并将第一半导体叠层块对位并电性连接于该第一电极。5.如权利要求2所述的发光元件的制造方法，还包...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄建富，詹耀宁，徐子杰，陈怡名，邱新智，吕志强，许嘉良，张峻贤，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71