发光元件的加工方法及利用其的系统与装置制造方法及图纸

一种发光元件加工方法，包含：分配晶圆上的多个发光元件群组，到多个类别，各发光元件群组的发光元件之间，包括晶圆水平节距与晶圆垂直节距；将类别相同的发光元件，从各晶圆转移到基板上；根据第一预定模式，从至少一类别的各基板上，转移发光元件到第一阶段载具，第一阶段载具上发光元件具有第一水平节距与第一垂直节距；以及根据第二预定模式，从第一阶段载具，转移发光元件到第二阶段载具，第二预定模式的发光元件具有第二水平节距与第二垂直节距。第一预定模式安排基板沿第一方向排列的两个相邻的发光元件，放置在第一阶段载具沿第一方向上非相邻位置。

【技术实现步骤摘要】
发光元件的加工方法及利用其的系统与装置
本专利技术涉及一种发光元件的加工方法，发光元件包含例如发光二极管(LED)与激光二极管(LD)，其特别涉及基于至少一个预定模式进行调整LED节距与混合LED过程的一种发光元件的加工方法。
技术介绍
显示器是多种电子设备的核心组件，例如智能手机、平板计算机、笔记本计算机、桌上计算机、电视与显示模块。当前的显示器技术范围可涵盖LCD、OLED、以及AMOLED。尽管显示器的解析度不断提高，目前微型LED技术仍处于研发阶段。通过半导体工艺所制作的微发光二极管晶粒(MicroLEDdies)，在制作过程中，微小的材料配方偏差，都会导致出光波长、强度(Luminousintensity)或色标(Chromaticityscale)的明显偏差。根据本专利技术，将具有各种发射波长、出光强度、或各种色标的二极管晶粒混合是在显示器上获得均匀分布的有效方法之一。
技术实现思路
鉴于上述情况，本专利技术目的之一是提供一种处理具有特定安排的发光元件的方法以及使用此方法的发光装置，其可以改善褪色面积或光斑。显示器上这些缺点通常为其中的发光二极管晶粒的出光波长、强度、或色度标度的偏差所造成。为了达到上述目的，本专利技术提供一种处理发光元件的方法，包括：将至少一个晶圆(Wafer)上的多个二极管群组(LEDgroup)其中一个二极管群组，分配至多个类别(Categories)中的一个类别，一个二极管群组包括在同一晶圆上的多个发光二极管晶粒；将类别相同的二极管群组从晶圆转移到一基板；根据一第一预定模式，从至少一出光色相同的基板上，将其上二极管群组转移到一第一阶段载具上，第一阶段载具上发光二极管晶粒间具有一第一水平节距与一第一垂直节距；以及根据一第二预定模式，将至少具有一种出光色的第一阶段载具上发光二极管晶粒，转移到一第二阶段载具，在第二预定模式上发光二极管晶粒间具有一第二水平节距与一第二垂直节距。第一预定模式用于安排在基板上的第一方向上两个相邻的发光二极管晶粒，放置在第一阶段载具中于第一方向上两个非相邻位置上。一实施例中，第一预定模式包括以二维矩阵在第一阶段载具上发光元件的选取模式。第一阶段载具上发光元件可分为几个发光元件单元，每个发光元件单元以二维子矩阵的形式，二维子矩阵可对应于第二阶段载具上的发光元件的第二个水平节距与第二垂直节距。第二预定模式以一阵列形式放置发光元件于第二阶段载具上，阵列可分为多个二维子阵列，每个二维子阵列(第二阶段载具上)的布置可对应在二维子矩阵(第一阶段载具上)的位置。每个二维矩阵中的发光元件单元的数量，是提供转移的发光元件的第一阶段载具的数量的倍数，发光元件单元中发光元件，用于转移到第二阶段载具。一实施例中，如果在一个矩阵中相同出光色的每个类别的发光元件的数量，大于每个矩阵中的各类别的发光元件中的最大数量的20％，相同的发光颜色其他类别的发光元件的数量，必须低于在此最大数量的数量偏差(Quantitydeviation)内。一实施例中，第一矩阵中相同出光色的各类别的多个发光元件的第一预定数量排序，相同于第二矩阵中相同出光色的各类别的多个发光元件的第二预定数量排序。当第一矩阵的相同出光色的一特定类别的多个发光元件的第一数量，在第二矩阵的相同出光色的相同特定类别的多个发光元件的第二数量数量的偏差内时，第一矩阵与第二矩阵的相同发射颜色被认为具有相同的预定数量排序。一实施例中，每个晶圆上的发光二极管晶粒具有水平晶圆节距与垂直晶圆节距，发光二极管晶粒间在第一阶段载具上具有第一水平节距与第一垂直节距，而第二阶段载具上的发光二极管晶粒间具有第二个水平节距与第二个垂直节距。水平晶圆节距小于第一水平节距或第二水平节距；或垂直晶圆节距小于第一垂直节距或第二垂直节距。在一第二实施例中，前述的至少一个类别，包括一第一类别与一第二类别。或者，前述的至少一个类别包括更多类别。在一第三实施例中，本专利技术提供了一种处理发光元件的方法，该方法包括：选取分别位于多个第一阶段载具上多个出光色的预混发光二极管晶粒(Pre-mixedLEDdies)；根据一预定模式，将具有各出光色的预混发光二极管晶粒放置在一第二阶段载具上。预定模式安排在各出光色的第一阶段载具上，沿第一方向上两个相邻的预混发光二极管晶粒，放置在第二阶段载具上沿第一方向两个非相邻位置上。在一第四实施例中，本专利技术提供了一种发光二极管供应载具(例如，第一或第二阶段载具)，其包括：至少一个载具；载具上有多个发光二极管晶粒。其中多个发光二极管晶粒被分配至多个二极管群组，二极管群组分别分配给尺寸相同的二维矩阵。根据本专利技术，载具上大于60％的二维矩阵的平方矩阵是均混的(Divergent)。各均混矩阵在相应的方形矩阵中，出光色相同的发光二极管晶粒的类别中最大值与最小值间的差异，大于载具上出光色相同的发光二极管晶粒的类别中的最大值与最小值间的差异的50％。在一第五实施例中，本专利技术提供了一种发光二极管供应载具(例如，第一或第二阶段载具)，其包括：至少一个载具；载具上有多个发光二极管晶粒。其中多个发光二极管晶粒中超过60％是均混的；其中均混的发光二极管晶粒的均混指数(Divergentindex)大于一参考值。均混指数是通过|CS-CC|的和与N间的除商来计算，其中|CS-CC|的和，为根据将均混的发光二极管晶粒的类别的值(CC)与均混的发光二极管晶粒附近多个发光二极管晶粒之一的类别的值(CS)之差，所产生的所有绝对值相加而得，其附近多个发光二极管晶粒的出光色与均混的发光二极管晶粒的出光色相同，N是附近多个发光二极管晶粒的数量。在一第六实施例中，本专利技术提供一种发光元件装置，其包括：载具(例如，第一或第二阶段载具)，其包括一电路；以及多个发光二极管晶粒，放置在载具上并电耦合至电路以控制发光二极管晶粒出光。其中，发光二极管晶粒被分为多个二极管群组，分别被分配给矩阵尺寸相同的多个二维矩阵。根据本专利技术，多个二维矩阵中超过60％矩阵是均混的。每个均混矩阵中具有出光色相同的发光二极管晶粒的类别中最大值与最小值间的差异，大于载具上出光色相同的发光二极管晶粒的类别中最大值与最小值之差的50％。一第七实施例中，本专利技术提供一种发光元件装置，其包括：载具(例如，第一或第二阶段载具)，其包括一电路；多个发光二极管晶粒放置在载具上并电耦合至电路以控制发光二极管晶粒的出光。其中多个发光二极管晶粒中超过60％是均混的。根据本专利技术，均混发光二极管晶粒的均混指数大于参考值。均混指数是通过|CS-CC|的和与N间的除商来计算，其中|CS-CC|的和，为根据将均混的发光二极管晶粒的类别的值(CC)与均混的发光二极管晶粒附近多个发光二极管晶粒之一的类别的值(CS)之差，所产生的所有绝对值相加而得，其附近多个发光二极管晶粒的出光色与均混的发光二极管晶粒的出光色相同，N是附近多个发光二极管晶粒的数量。在一第八实施例中，本专利技术提供一种处理发光元件的方法，该方法包括：提供多个载具；选取多个载具之一；从具有第一出光色的第一晶圆中选取至少一个二极管群组到本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光元件装置，其包含：/n一载具；以及/n多个发光元件，位于该载具上且具有相同出光色的多个类别；/n其中该些发光元件以群组方式分为该些类别，以及该些发光元件与该些类别形成的一数量分布曲线不是一常态分布曲线。/n

【技术特征摘要】
20190313 US 62/817,601;20190809 US 62/884,6981.一种发光元件装置，其包含：
一载具；以及
多个发光元件，位于该载具上且具有相同出光色的多个类别；
其中该些发光元件以群组方式分为该些类别，以及该些发光元件与该些类别形成的一数量分布曲线不是一常态分布曲线。


2.如权利要求1所述的装置，其中该些类别的特征为出光波长、出光强度、以及色标其中至少一个的组合。


3.如权利要求1所述的装置，其中该些类别包含至少四个类别。


4.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢明勋，李昌霖，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71