一种GaAs基LED芯片的切割方法技术

本发明专利技术涉及一种GaAs基LED芯片的切割方法，具体步骤包括：(1)对GaAs基LED芯片的前制程半成品COW进行研磨；(2)在COW的N面蒸镀欧姆接触金属膜层；(3)腐蚀COW的N面的欧姆接触金属膜层，形成切割道；(4)在COW的P面涂覆固化胶；(5)将COW转移至ICP刻蚀设备，进行ICP干法刻蚀；(6)在COW的N面覆盖蓝膜；(7)除去COW的P面上的固化胶，得到独立的芯片。本发明专利技术采用ICP刻蚀技术对GaAs基LED芯片的前制程半成品COW的N面进行切割，采用欧姆接触金属膜层作为掩膜进行ICP干法刻蚀，切割效率高，没有出现P崩、N崩现象，比机械切割得到的外观良品率高10‑20％。

【技术实现步骤摘要】
一种GaAs基LED芯片的切割方法
本专利技术涉及一种GaAs基LED芯片的切割方法，属于半导体芯片切割

技术介绍
随着社会经济的快速发展，能源问题逐渐成为一个全球性的问题；LED芯片具有亮度高、颜色种类丰富、低功耗、寿命长的特点，LED被广泛应用于照明、显示、背光等领域，伴随着技术的提升，光电转换效率提升明显，现有技术相比3年前，可以在50％的芯片面积上产生相同的亮度，因此芯片面积逐步减小，即更小的面积可以获得相同的亮度，芯片越做越小。砷化镓基LED芯片制备工艺中的切割工艺是将整片芯片分割成单一芯片，目前GaAs基LED芯片切割多使用金刚石刀具进行机械切割。机械切割生产效率低，刀片磨损快，在切割过程中要求对砂轮及芯片不间断喷洒去离子水，生产成本高；且机械切割时刀片直接与芯片接触，芯片侧边容易产生崩边、崩角和裂纹，产品合格率低，当芯片边长小于100μm时，崩角现象愈发严重，只能通过降低切割速率来改善此现象，使得单片切割耗时30min以上，也就造成了切割产能降低。随激光技术的发展激光切割逐渐实用化，其工艺过程是先通过激光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种GaAs基LED芯片的切割方法，其特征在于，具体步骤包括：/n(1)对GaAs基LED芯片的前制程半成品COW进行研磨；/n(2)在COW的N面蒸镀欧姆接触金属膜层；/n(3)腐蚀COW的N面的欧姆接触金属膜层，形成切割道；/n(4)在COW的P面涂覆固化胶；/n(5)将COW转移至ICP刻蚀设备，进行ICP干法刻蚀；/n(6)在COW的N面覆盖蓝膜；/n(7)除去COW的P面上的固化胶，得到独立的芯片。/n

【技术特征摘要】
1.一种GaAs基LED芯片的切割方法，其特征在于，具体步骤包括：
(1)对GaAs基LED芯片的前制程半成品COW进行研磨；
(2)在COW的N面蒸镀欧姆接触金属膜层；
(3)腐蚀COW的N面的欧姆接触金属膜层，形成切割道；
(4)在COW的P面涂覆固化胶；
(5)将COW转移至ICP刻蚀设备，进行ICP干法刻蚀；
(6)在COW的N面覆盖蓝膜；
(7)除去COW的P面上的固化胶，得到独立的芯片。


2.根据权利要求1所述的一种GaAs基LED芯片的切割方法，其特征在于，步骤(2)中，欧姆接触金属膜层是Ge/Au或Ni/Ge/Au复合金属膜层。


3.根据权利要求1所述的一种GaAs基LED芯片的切割方法，其特征在于，步骤(2)中，欧姆接触金属膜层的厚度为0.5μm-5μm；进一步优选的，欧姆接触金属膜层的厚度为0.5μm-2.5μm。


4.根据权利要求1所述的一种GaAs基LED芯片的切割方法，其特征在于，步骤(4)中，在COW的P面涂覆的固化胶为水溶性紫外固化胶。


5.根据权利要求1所述的一种GaAs基LED芯片的切割方法，其特征在于，步骤(5)中，ICP干法刻蚀采用间断刻蚀的方式：通入刻蚀气体Cl2和Ar，反应10min-15min后停止，再通入N25min-10min...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭璐，张兆梅，林伟，王成新，
申请(专利权)人：山东浪潮华光光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37