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本发明涉及一种GaAs基LED芯片的切割方法，具体步骤包括：(1)对GaAs基LED芯片的前制程半成品COW进行研磨；(2)在COW的N面蒸镀欧姆接触金属膜层；(3)腐蚀COW的N面的欧姆接触金属膜层，形成切割道；(4)在COW的P面涂覆固...
该专利属于山东浪潮华光光电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东浪潮华光光电子股份有限公司授权不得商用。

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