一种利用选择性接触导电的电池制备方法技术

本发明专利技术公开了一种利用选择性接触导电的电池制备方法，包括步骤：1）选择p‑型掺杂或n‑型掺杂晶硅硅片；2）在硅片正反面分别镀氧化硅层；3）在硅片正反面分别镀磷或硼掺杂非晶硅，镀膜后在高温下退火晶化形成掺杂多晶硅；4）在硅片正反面分别镀TCO层；5）在硅片正反面再镀绝缘保护层；6）在硅片正反面印刷用于收集电流的银线，银线经烧结后穿透绝缘保护层以实现和TCO层接触。本发明专利技术实现了全覆盖钝化而有效避免了少子复合影响转换效率的问题，且氧化硅钝化实现了高温烧结而有效确保了银浆的导电性和附着力且没有吸收光问题，可以用链式设备镀膜将多道工序整合在一台设备里，极大提高了工效并降低设备投入成本及占地空间。

【技术实现步骤摘要】
一种利用选择性接触导电的电池制备方法
本专利技术涉及太阳能电池
，特别涉及一种利用选择性接触导电的电池制备方法。
技术介绍
光伏发电已经成为一种可替代化石能源的技术，这依赖于近年不断降低的生产成本和光电转换效率的提升。按照光伏电池片的材质，太阳能电池大致可以分为两类：一类是晶体硅太阳能电池，包括单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池；另一类是薄膜太阳能电池，主要包括非晶硅太阳能电池、碲化镉太阳能电池及铜铟镓硒太阳能电池等。目前，以高纯度硅材作为主要原材料的晶体硅太阳能电池是主流产品，所占的比例在80%以上。在晶体硅太阳能发电系统中，实现光电转换的最核心步骤之一是将晶体硅加工成实现光电转换的电池片的工序，因而电池片的光电转换效率也成为了体现晶体硅太阳能发电系统技术水平的关键指标。提升电池效率，建立钝化接触是关键。由于光生载流子在硅片内部快速运动，一旦接触表面就会导致复合而无法收集成电流发电。如果在表面镀一层特别的保护膜，像氧化硅、氮化硅、氧化铝、非晶硅等由于表面晶硅表面化学键的饱和以及薄膜和晶硅之间形成的电荷场，它们能有效阻止少本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种利用选择性接触导电的电池制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n1）选择p-型掺杂或n-型掺杂晶硅硅片为基础；/n2）在步骤1）的硅片正反表面分别镀氧化硅层；/n3）在步骤2）的硅片正反表面氧化硅层上分别镀掺杂非晶硅，其中，一面镀磷掺杂非晶硅，另一面镀硼掺杂非晶硅，镀膜后在高温下退火晶化形成掺杂多晶硅；/n4）在步骤3）的硅片正反面掺杂多晶硅上分别镀TCO层；/n5）在步骤4）的硅片正反面TCO层上再镀绝缘保护层；/n6）在步骤5）的硅片正反面绝缘保护层上印刷用于收集电流的银线，银线经烧结后穿透绝缘保护层以实现和TCO层接触。/n

【技术特征摘要】
1.一种利用选择性接触导电的电池制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
1）选择p-型掺杂或n-型掺杂晶硅硅片为基础；
2）在步骤1）的硅片正反表面分别镀氧化硅层；
3）在步骤2）的硅片正反表面氧化硅层上分别镀掺杂非晶硅，其中，一面镀磷掺杂非晶硅，另一面镀硼掺杂非晶硅，镀膜后在高温下退火晶化形成掺杂多晶硅；
4）在步骤3）的硅片正反面掺杂多晶硅上分别镀TCO层；
5）在步骤4）的硅片正反面TCO层上再镀绝缘保护层；
6）在步骤5）的硅片正反面绝缘保护层上印刷用于收集电流的银线，银线经烧结后穿透绝缘保护层以实现和TCO层接触。


2.根据权利要求1所述的一种利用选择性接触导电的电池制备方法，其特征在于，步骤1）中，p-型掺杂或n-型掺杂晶硅硅片的电阻率为0.1~10Ω•cm。


3.根据权利要求1所述的一种利用选择性接触导电的电池制备方法，其特征在于，步骤2）中，氧化硅层的镀膜方法为高温氧化、等离子氧化、PECVD沉积、原子层沉积法中的任一种，镀膜厚度为1~2nm。


4.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：上官泉元，陈旭，
申请(专利权)人：蒙城县比太新能源发展有限公司，常州比太黑硅科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34