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本发明公开了一种利用选择性接触导电的电池制备方法，包括步骤：1）选择p‑型掺杂或n‑型掺杂晶硅硅片；2）在硅片正反面分别镀氧化硅层；3）在硅片正反面分别镀磷或硼掺杂非晶硅，镀膜后在高温下退火晶化形成掺杂多晶硅；4）在硅片正反面分别镀TCO层...该专利属于蒙城县比太新能源发展有限公司;常州比太黑硅科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过蒙城县比太新能源发展有限公司;常州比太黑硅科技有限公司授权不得商用。