半导体器件金属化方法和太阳能电池制备方法技术

本发明专利技术提出了一种半导体器件金属化方法和太阳能电池制备方法，其中，半导体器件金属化方法包括：在基材的双面沉积绝缘层；在绝缘层上设置掩膜层，在掩膜层上形成刻蚀图案；基于刻蚀图案刻蚀绝缘层至暴露基材，形成电镀开口；在电镀开口处设置导电浆料，形成电镀种子层；在电镀种子层上形成金属化结构。通过本发明专利技术提供的半导体器件金属化方法，通过绝缘层的形成，基于刻蚀图案刻蚀绝缘层能够形成电镀开口，使得金属化结构形成在电镀开口内，便于控制金属化结构的高宽比，同时能够防止金属化结构塌陷，提高金属化结构的质量，进一步提高半导体器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件金属化方法和太阳能电池制备方法
本专利技术涉及半导体器件加工领域，具体而言，涉及一种半导体器件金属化方法和一种太阳能电池制备方法。
技术介绍
丝网印刷高温银浆是现行的晶体硅太阳能电池金属化的常规方法，但其存在印刷线型塌陷不规则，栅线高宽比较低等问题，严重制约了太阳能电池效率的提高。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术第一方面提供了一种半导体器件金属化方法。本专利技术第二方面提供了一种太阳能电池制备方法。有鉴于此，根据本专利技术的第一方面，提出了一种半导体器件金属化方法，包括：在基材的双面沉积绝缘层；在绝缘层上设置掩膜层，在掩膜层上形成刻蚀图案；基于刻蚀图案刻蚀绝缘层至暴露基材，形成电镀开口；在电镀开口处设置导电浆料，形成电镀种子层；在电镀种子层上形成金属化结构。本专利技术提供的半导体器件金属化方法，用于在半导体器件上形成金属化结构，在工作过程中，在基层的双面沉积绝缘层，作为电镀保护层；在绝缘层上设置掩膜层，在掩膜层上形成刻蚀图案；基于刻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件金属化方法，其特征在于，包括：/n在基材的双面沉积绝缘层；/n在所述绝缘层上设置掩膜层，在所述掩膜层上形成刻蚀图案；/n基于所述刻蚀图案刻蚀所述绝缘层至暴露所述基材，形成电镀开口；/n在所述电镀开口处设置导电浆料，形成电镀种子层；/n在所述电镀种子层上形成金属化结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件金属化方法，其特征在于，包括：
在基材的双面沉积绝缘层；
在所述绝缘层上设置掩膜层，在所述掩膜层上形成刻蚀图案；
基于所述刻蚀图案刻蚀所述绝缘层至暴露所述基材，形成电镀开口；
在所述电镀开口处设置导电浆料，形成电镀种子层；
在所述电镀种子层上形成金属化结构。


2.根据权利要求1所述的半导体器件金属化方法，其特征在于，所述在基材的双面沉积绝缘层的具体步骤包括：
在所述基材的双面沉积厚度为10nm至2000nm的绝缘层。


3.根据权利要求1所述的半导体器件金属化方法，其特征在于，所述在基材的双面沉积绝缘层的具体步骤包括：
在所述基础的双面沉积氧化硅、氟化镁及氧化铝中的至少一种，形成所述绝缘层。


4.根据权利要求1所述的半导体器件金属化方法，其特征在于，所述刻蚀所述绝缘层至暴露所述基材，形成电镀开口的具体步骤包括：
通过激光机光刻部分所述绝缘层至暴露所述基材，形成电镀开口；或
通过等离子刻蚀部分所述绝缘层至暴露所述基材，形成电镀开口。


5.根据权利要求1所述的半导体器件金属化方法，其特征在于，所述在所述电镀开口处设置导电浆料，形成电镀种子层的具体步骤包括：
通过丝网印刷机在电镀开口处印刷导电浆料；
对所述导电浆料进行烘干或烧...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁建军，舒欣，
申请(专利权)人：常州捷佳创精密机械有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32