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本发明提出了一种半导体器件金属化方法和太阳能电池制备方法，其中，半导体器件金属化方法包括：在基材的双面沉积绝缘层；在绝缘层上设置掩膜层，在掩膜层上形成刻蚀图案；基于刻蚀图案刻蚀绝缘层至暴露基材，形成电镀开口；在电镀开口处设置导电浆料，形成电...
该专利属于常州捷佳创精密机械有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过常州捷佳创精密机械有限公司授权不得商用。

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