一种多晶硅片制绒的制绒液及使用其制绒的方法技术

本发明专利技术提供了一种多晶硅片制绒的制绒液，由下述重量百分比的原料组成：HNO

A kind of fluff making liquid for polycrystalline silicon chip and its fluff making method

【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅片制绒的制绒液及使用其制绒的方法
本专利技术属于多晶硅片加工
，涉及一种多晶硅片制绒的制绒液及使用其制绒的方法。
技术介绍
在一定的工艺条件下，在多晶金刚线电池表面织构出凹凸起伏的表面形貌，其作用不仅可以降低表面的反射率，而且还可以在电池的内部形成光陷阱，从而提高电池片的转换效率，绒面结构增加了光线在硅片体内运动的有效长度，有利于硅基体对光线的吸收。目前，现有技术中多晶硅片的湿法制绒常采用HF、HNO3和纯水的混合溶液对多晶硅片进行腐蚀，在硅片表面形成蠕虫状结构，达到陷光、吸收光的作用。但是，现有的HF/HNO3/DI制绒体系的出绒率及均匀性仍未达到最佳，反射率仍然较高、化学品用量较大，且现有的常规生产线很难做到通过调整制绒体系各组分的配比，从而控制腐蚀量来优化制绒绒面，进而提高电池片的转换效率，一般情况下，腐蚀量太低会导致硅片绒面开口小，出绒率异常，腐蚀量太大浪费化学药品，绒面均匀性变差，同时可能有产生花片的风险。因此，如何研发一种能够提高成品电池片转换效率，降低绒面的反射率，减少化学品的使用的制绒方法是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种多晶硅片制绒的制绒液及使用其制绒的方法。为了实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：一种多晶硅片制绒的制绒液，由下述重量百分比的原料组成：HNO350％-55％，HF12％-17％，添加剂0.5％-0.7％，余量水；所述添加剂由下述重量百分比的原料组成：CH3COOH1％-20％，H3PO41％-20％，H2SO41％-20％，余量水。一种多晶硅片的制绒方法，其特征在于，包括以下步骤：(a)按照权利要求1所述多晶硅片制绒的制绒液的重量百分比称取各原料，搅拌制得制绒液；(b)制绒：将多晶硅片置于制绒液中反应，反应温度为8℃-12℃，反应时间为30-60s，控制制绒腐蚀量为0.24-0.26g/pcs；(c)水洗；(d)碱洗；(e)水洗；(f)酸洗；(g)水洗；(h)烘干。进一步，所述碱洗为：15-30℃下将多晶硅片在质量浓度为0.07％的KOH水溶液中浸润10-30s。进一步，所述酸洗为：15-30℃下将多晶硅片在质量分数为16％的HF水溶液中浸润20-40s。进一步，所述水洗为：在流动的去离子水中浸润10-30s。本专利技术的有益效果是：本专利技术通过控制制绒过程中的腐蚀减重来控制优化制绒绒面，当制绒腐蚀量控制在0.24-0.26mg/cm2时，产线兼容、绒面优良，电池片外观无异常，成品电池片转换效率得到了提高，在电池片表面形成小而均匀的绒面，降低绒面的反射率，减少化学品的使用，节约成本。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1附图为本专利技术提供的实验例1成品电池片绒面图；图2附图为本专利技术提供的对比例1成品电池片绒面图。具体实施方式以下的实施例在于详细说明本专利技术，只是本专利技术的较佳实施例，并非限制本专利技术。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。下述碱洗为：15-30℃下将多晶硅片在质量浓度为0.07％的KOH水溶液中浸润10-30s；酸洗为：15-30℃下将多晶硅片在质量分数为16％的HF水溶液中浸润20-40s；水洗为：在流动的去离子水中浸润10-30s；烘干为：在温度为55℃-60℃的烘箱中烘干15-20s。实施例1一种多晶硅片的制绒方法，包括以下步骤：配制制绒液：HNO355kg，HF17kg，添加剂0.7kg，水27.3kg；添加剂的原料组成：CH3COOH0.14kg，H3PO40.14kg，H2SO40.14kg，水0.28kg。将多晶硅片置于制绒液中反应，反应温度为12℃，反应时间为60s，控制制绒腐蚀量为0.24-0.26g/pcs；(2)经过水洗，碱洗，水洗，酸洗，水洗，烘干完成制绒过程。实施例2一种多晶硅片的制绒方法，包括以下步骤：配制制绒液：HNO352kg，HF15kg，添加剂0.6kg，水32.4kg；添加剂的原料组成：CH3COOH0.06kg，H3PO40.06kg，H2SO40.06kg，水0.42kg。将多晶硅片置于制绒液中反应，反应温度为10℃，反应时间为40s，控制制绒腐蚀量为0.24-0.26g/pcs；(2)经过水洗，碱洗，水洗，酸洗，水洗，烘干完成制绒过程。实施例3一种多晶硅片的制绒方法，包括以下步骤：配制制绒液：HNO350kg，HF12kg，添加剂0.5kg，水37.5kg；添加剂的原料组成：CH3COOH0.005kg，H3PO40.005kg，H2SO40.005kg，水0.49985kg。将多晶硅片置于制绒液中反应，反应温度为8℃，反应时间为30s，控制制绒腐蚀量为0.24-0.26g/pcs；(2)经过水洗，碱洗，水洗，酸洗，水洗，烘干完成制绒过程。效果实验设置实验例1：一种多晶硅片的制绒方法，包括以下步骤：(1)配制制绒液：HNO352kg，HF15kg，添加剂0.6kg，水32.4kg；添加剂的原料组成：CH3COOH0.06kg，H3PO40.06kg，H2SO40.06kg，水0.42kg。将片源(美科)多晶硅片置于制绒液中反应，反应温度为10℃，反应时间为40s，控制制绒腐蚀量为0.24-0.26g/pcs；(2)经过水洗，碱洗，水洗，酸洗，水洗，烘干完成制绒过程。设置对比例1：(1)一种多晶硅片的制绒方法，包括以下步骤：配制制绒液：HNO347kg，HF20kg，添加剂0.3kg,水32.7kg；添加剂的原料组成：CH3COOH0.06kg，H3PO40.06kg，H2SO40.06kg，水0.42kg。将与实验例1同片源(美科MK)、同线别的多晶硅片放置于制绒液中反应，反应温度为10℃，反应时间为40s，控制制绒腐蚀量为0.27-0.29mg/cm2；(2)经过水洗，碱洗，水洗，酸洗，水洗，烘干完成制绒过程。实验例1和对比例1多晶硅片制绒后的电性能对比结果见表1；实验例1较对比例1效率增益0.018％，主要表现在Isc增益18mA,其他电性能与产线相当。表1实验例1和对比例1多晶硅片制绒后的电性能对比<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多晶硅片制绒的制绒液，其特征在于，由下述重量百分比的原料组成：/nHNO

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅片制绒的制绒液，其特征在于，由下述重量百分比的原料组成：
HNO350％-55％，HF12％-17％，添加剂0.5％-0.7％，余量水；
所述添加剂由下述重量百分比的原料组成：CH3COOH1％-20％，H3PO41％-20％，H2SO41％-20％，余量水。


2.一种多晶硅片的制绒方法，其特征在于，包括以下步骤：
(a)按照权利要求1所述多晶硅片制绒的制绒液的重量百分比称取各原料，搅拌制得制绒液；
(b)制绒：将多晶硅片置于制绒液中反应，反应温度为8℃-12℃，反应时间为30-60s，控制制绒腐蚀量为0.24-0.26g/pcs；...

【专利技术属性】
技术研发人员：宁鲁豪，王路路，贾慧君，
申请(专利权)人：晋能清洁能源科技股份公司，
类型：发明
国别省市：山西;14