【技术实现步骤摘要】
一种适用于异质结太阳能电池的光注入工艺
本专利技术涉及一种适用于异质结太阳能电池的光注入工艺，属于太阳能电池制造
技术介绍
随着太阳能电池技术的发展，高效电池的开发越来越受重视；其中用非晶硅本征层(a-Si:H(i))钝化的硅基异质结太阳电池(HJT电池)是重点的研究方向之一。众所周知，硅基异质结太阳电池不仅有高的转化效率、高的开路电压，而且具有低的温度系数、无光致衰减(LID)、无电致衰减(PID)、低的制备工艺温度等优势。另外硅基异质结电池在保证高转化效率的同时，硅片厚度可减薄至100μm，有效减少了硅料耗量，并可用来制备可弯曲电池组件。现有技术中，超高效异质结电池量产效率已达到23.27％，经测试，60片双面组件量产正面功率达332.6W。由于具备双面发电的特性，在草地、水泥地面、雪地、反光布等场景下，组件背面可产生10％-30％额外发电量，功率温度系数低达-0.27％/℃，相比普通多晶组件，异质结组件在75℃工作温度下可挽回34％的发电量损失。HJT电池具有以上的技术优势，逐渐发展成...
【技术保护点】
1.一种适用于异质结太阳能电池的光注入工艺，其特征在于：通过照射光源对异质结电池进行光注入，与此同时，采用辅助加热方式对异质结电池进行加热，光注入强度高于10000W/m
【技术特征摘要】
1.一种适用于异质结太阳能电池的光注入工艺，其特征在于：通过照射光源对异质结电池进行光注入，与此同时，采用辅助加热方式对异质结电池进行加热，光注入强度高于10000W/m2，光注入的时间在45-600s之间。
2.按照权利要求1所述的适用于异质结太阳能电池的光注入工艺，其特征在于：所述光注入时异质结电池的表面温度介于220℃到300℃之间。
3.按照权利要求1或2所述的适用于异质结太阳能电池的光注入工艺，其特征在于：所述异质结电池包括中央晶体硅片，叠加在晶体硅片上的非晶硅层，叠加在非晶硅层上的透明氧化物薄膜层以及叠加在透明氧化...
【专利技术属性】
技术研发人员：李高非，黄金，王继磊，张娟，白焱辉，高勇，郑静，任法渊，贾慧君，王嘉超，
申请(专利权)人：晋能光伏技术有限责任公司，
类型：发明
国别省市：山西;14
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