一种改善异质结太阳电池光电性能的方法技术

本发明专利技术公开一种改善异质结太阳电池光电性能的方法，所述覆盖层具有表面减反射、载流子传导、电极选择性沉积掩膜之功能，步骤如下：(a)制备异质结太阳电池衬底；(b)沉积金属种子层栅极；(c)非栅极区域沉积覆盖层；(d)烘干覆盖层；(e)栅极区域电化学沉积金属电极；(f)覆盖层后处理；(g)烘干覆盖层。本发明专利技术所述之方法，能显著降低电化学沉积金属电极工艺复杂性，所用之聚合物覆盖层，处理后光电性能显著提高，亦可作为异质结太阳电池的透明导电薄膜，此方法既避免了常规异质结太阳电池电化学沉积电极去除掩膜的工艺，也可少用或不用透明导电薄膜，有利于提高异质结太阳电池转换效率、降低生产成本，在工业化生产中优势显著。

A method to improve the photoelectric performance of heterojunction solar cells

【技术实现步骤摘要】
一种改善异质结太阳电池光电性能的方法
本专利技术属于异质结太阳电池
，涉及一种改善异质结太阳电池光电性能的方法。
技术介绍
太阳能电池的原理是基于光生伏特效应，将太阳能直接转换为电能的一种装置，也是太阳能实际应用中的重要组成部分。目前，晶体硅太阳能电池已经成为光伏工业的主流，市场上80％以上的都是晶体硅太阳电池，而生产单晶硅的成本目前仍比较高、工艺流程复杂、总体转换效率不高、高温性能差、光致衰减等制约着其进一步的发展。异质结太阳电池是在n型或p型单晶硅衬底上依次双面沉积本征非晶硅薄膜作为钝化层，以饱和单晶硅表面由于晶格突然截止产生的悬挂键，减少载流子复合中心。再依次沉积n型非晶硅薄膜和p型非晶硅薄膜作为发射极和背面电场，为了形成内建电场以及产生电荷分离场，可有效提高开路电压、填充因子以及转换效率，这种电池既利用了薄膜电池的制造工艺，也充分发挥了晶体硅和非晶硅的材料特性，具有较高的转换效率(目前为27％左右)、低温工艺、双面发电、高转换效率(产业化)≥23％等优点，成为太阳电池发展的热点。异质结(SHJ)太阳电池因其透明导电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善异质结太阳电池光电性能的方法，其特征在于它的步骤如下：/n(a)制备异质结(SHJ)太阳电池衬底；/n(b)沉积金属种子层；/n(c)非栅极区域沉积覆盖层；/n(d)烘干覆盖层；/n(e)栅极区域电化学沉积金属电极；/n(f)后处理覆盖层；/n(g)烘干覆盖层。/n

【技术特征摘要】
1.一种改善异质结太阳电池光电性能的方法，其特征在于它的步骤如下：
(a)制备异质结(SHJ)太阳电池衬底；
(b)沉积金属种子层；
(c)非栅极区域沉积覆盖层；
(d)烘干覆盖层；
(e)栅极区域电化学沉积金属电极；
(f)后处理覆盖层；
(g)烘干覆盖层。


2.根据权利要求1所述的一种改善异质结太阳电池光电性能的方法，其特征在于：所述的覆盖层的材料成分中含有聚合物、有机溶剂及导电粒子。


3.根据权利要求1所述的一种改善异质结太阳电池光电性能的方法，其特征在于：在所述的步骤(c)中，制备覆盖层的方法可以包括光刻、喷墨打印、旋涂、丝网印刷、层压干膜、狭缝喷涂、等离子体刻蚀、激光烧蚀等方法中的一种或多种。


4.根据权利要求1所述的一种改善异质结太阳电池光电性能的方法，其特征在于：在所述的步骤(d)中，烘干覆盖层的温度为50℃～300℃；时间为1min～60min；烘干气氛为空气、氧气、氮气、氩气或氮氢混合气体。


5.根据权利要求1所述的一种改善异质结太阳电池光电性能的方法，其特征在于：在所述的步骤(d)后，覆盖层的厚度为0.05μm～50μm。


6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：俞健，李君君，何佳龙，李兵川，陈涛，黄跃龙，
申请(专利权)人：西南石油大学，
类型：发明
国别省市：四川;51