本发明涉及连接结构、电光装置及其制造方法，例如，对液晶装置中的开口率下降进行抑制。中继层（９３），从第２层间绝缘层（４２）的上表面（４２ａ）延伸于第２层间绝缘层（４２）的端面（４２ｂ）及下部电容电极（７１）的端面（７１ｂ）。中继层（９３...

提供一种能降低对衬底的热负荷的半导体装置的制造方法。此外，提供一种能提高半导体元件的特性的半导体装置的制造方法。此外，提供一种电子仪器的制造方法。一种半导体装置的制造方法，在衬底（１００）上形成硅膜后，将以氢和氧的混合气体为燃料的气体燃...

一种促动装置及液体喷射头，具备对在向两电极施加电压时产生的应力具有高强度的压电体层。压电体层（７０）具备：由相对于下电极的平坦部表面在直角方向上延伸的柱状晶体（７１０）构成的第一压电体层（７１）、由相对于基板（流路形成基板（１０））表面...

本发明的液晶装置具备夹持液晶层的一对基板，使所述液晶层的取向状态从喷射取向向弯曲取向转移来进行显示，其中，在一个子像素区域内设置有反射显示区域（Ｒ）和透过显示区域（Ｔ），并且在所述透过显示区域（Ｔ）与所述反射显示区域（Ｒ）之间使所述液晶...

一种像素内功能液的形态测定方法，其在具有划分出像素区域的堤的基板上，从功能液滴喷头喷出功能液滴并喷落于所述像素区域内，利用由干涉仪构成的表面形状测定装置测定喷落于所述像素区域内的像素内功能液的厚度或体积的至少之一，其特征在于，包括：利用...

本发明提供一种可以用简单的方法把被转印层转印到转印目标基板的半导体装置制造方法。本发明的半导体装置制造方法，包含粘接配置在第１基板（转印源基板（１０））的被转印层（１２）和第２基板（第１转印目标基板（２０））的工序和从第１基板（１０）剥...

本发明的电光装置用基板，在液晶装置等电光装置中，可减少像素内ＴＦＴ中光漏电流的发生。电光装置用基板具有ＴＦＴ（３０），后者包含栅极电极（３ａ），该栅极电极具有：主体部（３１ａ）；第１延伸部（３２ａ），从该主体部（３１ａ）在半导体层（１ａ...

本发明提供一种半导体装置的制造方法。在半导体基板（１）的整个面的表层部上形成氧化膜。在通过湿蚀刻除去第一半导体层（５）之前，除去氧化膜的至少一部分而使半导体基板（１）的基板半导体层（１ａ）露出。而且，采用热氧化在通过湿蚀刻得到的空洞部内...

本发明涉及电光装置用基板、电光装置以及电子设备，目的在于在例如液晶装置等电光装置中，使构成设置于各像素的存储电容的电介质膜的膜质提高。电光装置用基板，具备：设置于基板（１０）上的每个像素中的晶体管（３０）；存储电容（７０），其在基板上配...

本发明提供一种能够确保高的可靠性的半导体装置、半导体装置的制造方法以及电子设备。由于增强基板２的增强部４在该基板２的表面层上以包围薄膜电路层３的方式设置，所以在设置有增强部４的区域，基板２的强度得到提高。例如，即使在因多图案形成半导体装...

本发明提高液晶装置等电光装置的显示性能。本发明的电光装置用基板具备：沿着Ｙ方向相互错开１个像素量地配置的元件部１３０ａ以及１３０ｂ；分别覆盖数据线侧ＬＤＤ区域１ｂ－１以及１ｂ－２的部分Ｐｙ１以及Ｐｙ３；分别覆盖像素电极侧ＬＤＤ区域１ｃ－...

根据包含位于阳极（２３）和阴极（５０）之间的发光层（６０）的有机电致发光装置的制造方法，电子传输层形成材料在液相过程中被引入以形成电子传输层。由指定成分如碱金属、碱土金属及稀土金属的卤化物（如ＬｉＦ）或氧化物构成的第一种材料被引入有机库...

考虑封装的翘曲并提高三维安装时的连接可靠性。设定对应突出电极（２９ａ），（２９ｂ）分别设置的开口部（１３ａ），（１３ｂ）的开口直径使之从载体基板（１１）的中央部向外周部慢慢减小，同时设定分别对应突出电极（２９ａ），（２９ｂ）设置的开口部...

本发明提供了液滴喷出头、转换元件、压电装置、机电系统结构、执行机构、压电传感器、压电电动机。为了实现从喷墨打印机输出的打印物的高精细化及提高印刷速度，不断推进提高液滴喷出头的实装密度的高密度化。随着高密度化，要求细微化液滴喷出头。当液滴...

一种压电元件，具有下电极、在下电极上形成的压电膜、在所述压电膜上形成的上电极，其特征在于，　　　　所述压电膜具有柱状结晶，该柱状结晶在所述上电极侧的结晶粒径比在所述下电极侧大，　　　　所述压电膜的规定面取向的取向度比其他面取向的取向度高。

本发明提供电光装置用基板、其制造方法、电光装置及电子设备。能在电光装置中实现较高的开口率，并有效降低ＴＦＴ中光泄漏电流的发生，且实现显示图像的高清晰化。电光装置用基板具备具有栅电极（３ａ）的ＴＦＴ（３０），栅电极（３ａ）具有：主体部（３...

本发明涉及电光装置及其制造方法和电子设备。电光装置具有存储电容（７０）和隔离绝缘膜（４９），上述存储电容通过在基板上设置在非开口区域（Ｒ２）同时层叠下侧电极（７１）、电介质膜（７５）和上侧电极（３０１）而成，下侧电极具有与上侧电极重叠的...

提供一种能够防止在从上下方向分别生长的热氧化膜的彼此间的交界面残留间隙的半导体装置的制造方法及半导体装置。在Ｓｉ基板（１）上成膜ＳｉＧｅ层／Ｓｉ层（１３）／ＳｉＧｅ层，形成支撑体用的沟槽。接着，在Ｓｉ基板（１）上方的整个面上形成支撑体膜...

一种显示装置，按照由发光元件（１２）的发光功能层（２０）的发光层发出的光中的特定色光基于干涉被加强、并从对置电极层（２２）射出的方式，设定反射层（１４）与对置电极层（２２）的距离。发光元件（１２）至少具有使蓝色光被加强的发光元件（１２Ｂ...

本发明涉及有机晶体管、其制造方法及电子设备。提供迁移率、导通截止比、阈值电压良好且特性的不一致少的有机晶体管。本发明的有机晶体管（１）具备：设置于栅电极（１５）与源电极（１１）的对向区域（Ｓ１）的第１半导体区域（１３１），设置于栅电极（...