本实用新型实施例提供了一种涂布设备以及涂布控制系统，涉及液晶显示技术领域，在涂布过程中可保证涂布间隙更加均匀，从而使涂布膜厚均一性更高。该涂布设备包括：喷嘴，承载喷嘴的喷嘴基座；还包括：第一马达和第二马达；第一马达和第二马达分别与喷嘴基...

本发明实施例提供了一种封装外壳、底座及显示装置，涉及显示器的零件结构技术领域，解决了现有技术中的底座与封装外壳不适合轻薄型显示面板的问题。一种封装外壳，包括：用于封装显示面板的前壳和后壳，所述前壳和后壳对应扣合，还包括：前壳延伸壁，所述...

本发明涉及有机电致发光显示领域，本发明提供了一种顶发射有机电致发光器件及其制备方法和应用。该有机电致发光器件包括阴极改善层，所述阴极改善层位于透明阴极和电子传输层之间，阴极改善层为具有电子传输性质的高聚物，由于该层具有良好的热稳定性和防...

本发明公开了一种顶发光型有机电致发光器件、其制备方法及显示装置，OLED器件中作为阴极的第二电极由半透明电极层，以及与半透明电极层电性相连的至少一层非透明电极层组成。由于非透明电极层具有的图案与有机材料层确定的像素单元之间的间隙处相对，...

本发明涉及一种发光二极管，该发光二极管的发光层由石墨烯/量子点复合材料制成。本发明还提供制备所述发光二极管的方法。本发明所提供的量子点石墨烯发光二极管，量子点单层致密分布，发光效率较高。

本发明提供了一种LED芯片封装结构及制作方法、显示装置，通过在LED芯片单元的侧边形成导电单元，且导电单元包括形成于LED芯片单元中第一电极侧边，与第一电极电连接的第一导电层；形成于LED芯片单元中第二电极侧边，与第二电极电连接的第二导...

本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，用以提高薄膜晶体管驱动电压的稳定性以及寿命。本发明提供的薄膜晶体管的制作方法包括：形成包括栅极、有源层和源漏极层的图形，以及形成包括栅极绝缘层和刻蚀阻挡层的图形；其中，所述栅极...

本发明公开了一种薄膜晶体管，涉及显示技术领域，包括：形成在基板上的栅极、栅绝缘层及源极和漏极，所述源极和所述漏极位于不同层并通过氧化物半导体材质的半导体连接部隔离，所述半导体连接部的位置与所述栅极的位置相对应，在对应于所述半导体连接部的...

本发明公开了一种阵列基板，包括多个位于基板上的像素单元，像素单元包括：形成在基板上的薄膜晶体管结构；以及由薄膜晶体管结构驱动的有机发光二极管，有机发光二极管位于像素单元的像素区域，有机发光二极管在远离基板的方向上依次包括透明的第一电极、...

本发明公开了一种阵列基板，包括多个位于基板上的像素单元，所述像素单元包括：形成在基板上的薄膜晶体管结构、由所述薄膜晶体管结构驱动的有机发光二极管及位于所述薄膜晶体管结构和所述有机发光二极管之间的彩膜，所述有机发光二极管位于像素单元的像素...

本发明提供一种阵列基板、白光有机发光二极管显示装置，属于有机发光二极管显示技术领域，其可解决现有的白光有机发光二极管显示装置开口率低、结构复杂的问题。本发明的阵列基板包括多个位于基板上的像素单元，在逐渐远离基板的方向上所述像素单元依次包...

本发明公开了一种阵列基板，包括多个位于基板上的像素单元，像素单元包括：形成在基板上的薄膜晶体管结构；以及由薄膜晶体管结构驱动的有机发光二极管，有机发光二极管位于像素单元的像素区域，有机发光二极管在远离基板的方向上依次包括透明的第一电极、...

本发明公开了一种阵列基板，包括多个位于基板上的像素单元，像素单元包括：形成在基板上的薄膜晶体管结构；以及由薄膜晶体管结构驱动的有机发光二极管，有机发光二极管位于像素单元的像素区域，有机发光二极管在远离基板的方向上依次包括透明的第一电极、...

本发明提供一种阵列基板及其制备方法、有机发光二极管显示装置，属有机发光二极管显示技术领域，可解决现有有机发光二极管显示装置发光效率仍不够高的问题。本发明的阵列基板的像素单元包括：薄膜晶体管驱动层；比薄膜晶体管驱动层更远离基板并受薄膜晶体...

本发明提供一种阵列基板及其制备方法、有机发光二极管显示装置，属有机发光二极管显示技术领域，其可解决现有的有机发光二极管显示装置制备工艺复杂、成本高的问题。本发明的阵列基板包括多个位于基板上的像素单元，像素单元包括：薄膜晶体管驱动层；比薄...

本发明公开了一种CMOS电路结构、其制备方法及显示装置，在CMOS电路结构中PMOS区域为LTPS?TFT结构，即使用P型掺杂多晶硅材料制备PMOS半导体层，NMOS区域为Oxide?TFT结构，即使用氧化物材料制备NMOS半导体层，在...

本发明公开了一种CMOS电路结构、其制备方法及显示装置，在CMOS电路结构中PMOS区域为LTPS?TFT结构，即使用P型掺杂多晶硅材料制备PMOS半导体层，NMOS区域为Oxide?TFT结构，即使用氧化物材料制备NMOS半导体层，在...

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示装置、阵列基板及其制作方法。该阵列基板包括基板、位于基板上的栅电极、栅极绝缘层、有源层、刻蚀阻挡层、源漏电极层、钝化层和像素电极层；所述有源层为氧化物半导体，所述栅极绝缘层和有源层之间具有金属氧...

本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，通过在源漏金属层形成工艺之后，先形成透明导电层，后在透明导电层之上，制备钝化层及过孔，由于透明导电层具有耐刻蚀，不易损伤，从而在没有增加阵列基板形成工艺步骤的情况下，解决了源漏金属层中铜被...

本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括：提供一衬底基板；在衬底基板上形成金属薄膜，由构图工艺形成包括栅线的图形；在形成栅线图形的衬底基板上形成栅绝缘层、半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和数据金属层薄膜，由构图工艺形成包括图案化的栅绝...