基迈克材料科技苏州有限公司专利技术

基迈克材料科技苏州有限公司共有122项专利

  • 本发明提供一种绑定用铟合金焊料的制备方法及应用,属于溅射靶材加工技术领域。所述制备方法包括以下步骤:将In、Sn原料加热融化、搅拌,得合金熔汤;将模具外部放置于高温溶液中,且溶液处于震动中;将所得合金熔汤冷却至浇铸温度,倒入模具中;冷却...
  • 本发明属于溅射镀膜技术领域,具体涉及一种铝旋转靶材的制备方法,包括:准备铝及铝合金管靶,以及两个安装端;将安装端进行硬质氧化处理;对硬质氧化后的安装端,以及铝及铝合金管靶,两者的待进行焊接位置,进行加工处理,使得安装端与铝及铝合金管靶的...
  • 本发明公开了一种高纯低氧AlTi合金靶材的制备方法,涉及溅射镀膜领域,旨在解决如何制备高纯低氧AlTi合金靶材的问题,其技术方案要点是:包括以下步骤:S1:原料采用Al丝与Ti丝,Al丝与Ti丝直径比例为3:1;S2:将Al丝和Ti丝用...
  • 本技术涉及包括设备技术领域,具体公开了一种旋转靶材半自动包装设备,包括机架以及固定连接在机架上的连接架,所述连接架通过承载架转动连接有泡棉本体,承载架上设置有用于裁切泡棉本体的裁切组件;所述机架上固定连接有支撑架,所述支撑架上安装有工件...
  • 本发明公开了一种重型金属立式旋转靶材热镶配绑定方法,涉及溅射镀膜领域,旨在解决焊料绑定时脱靶或焊料外溢的问题,方案为S1、背管喷砂:对背管外径进行喷砂;S2、背管电弧:选用纯度≥2N5,直径1.6‑2mm的电弧NiAl丝,NiAl比例为...
  • 本发明公开了一种锌碲合金靶材及其制备方法,涉及半导体靶材制备领域,旨在解决如何制备粒径均匀的碲化锌靶材,其技术方案要点是:1)选取纯度为99.99%的Zn锭和纯度为99.99%的Te锭作为原材料进行配比;2)对Zn锭和Te锭进行称重配比...
  • 本发明公开了一种贵金属合金材料超低损耗的退火方法,涉及镀膜领域,旨在解决贵金属合金材料退火时损耗较高的问题,其技术方案要点是:一种贵金属合金材料超低损耗的退火方法,包括以下步骤:S1:准备贵金属合金材料;S2:将S1所述的贵金属合金材料...
  • 本发明公开了一种半导体石墨材料表面涂层用复合粉及其制备方法,涉及半导体防护涂层材料制备领域,旨在解决半导体石墨材料耐腐蚀防护涂层的问题,其技术方案要点是:(1)碳化铌球磨;(2)加入石墨粉体,加入有机胶黏剂,球磨;(3)将料浆制成造粒粉...
  • 本发明公开了一种用于半导体耐腐蚀防护涂层的复合粉及其制备方法,涉及半导体防护涂层材料制备领域,旨在解决适用于等离子喷涂制备半导体领域耐腐蚀防护涂层的问题,其技术方案要点是:(1)将碳化铌原料粉体球磨;(2)加入铌粉料并加入有机胶黏剂,继...
  • 本发明公开了一种陶瓷旋转靶材镶配绑定方法,涉及溅射镀膜领域,旨在解决常规陶瓷管靶易裂、无法重复使用的问题,方案为S1、背管喷砂;S2、靶管加工;S3、背管冷冻处理:在背管外表面平铺铜网固定,将背管吊至真空冷冻槽内,冷冻槽内注入液氮使温度...
  • 本发明公开了一种高导热铜背板的制备方法及制备的铜背板,涉及镀膜领域,旨在解决大尺寸铜背板导热问题,其技术方案要点是:S1:准备实心铜板A;S2:将所述实心铜板A被进行机加工,掏出一腔体;S3:准备实心铜板B;S4:将S2中所述铜板A与S...
  • 本发明公开了一种硅基薄膜电阻用陶瓷金属靶材的制备方法,涉及溅射靶材加工领域,其技术方案要点是:步骤一:将TiB<subgt;2</subgt;粉、CrB<subgt;2</subgt;粉、Si粉、Cr粉、SiC粉...
  • 本发明公开了一种半导体领域用石墨材料表面防腐蚀复合涂层制备方法,涉及石墨材料领域,旨在提高石墨材料防腐蚀能力,技术方案为:步骤一、对石墨材料表面喷砂处理;步骤二、清洗喷砂后的石墨材料表面;步骤三、烘干石墨材料表面;步骤四、在石墨材料的表...
  • 本发明公开了一种PVD镀膜用Ag管靶材制备方法,涉及溅射镀膜领域,旨在解决喷涂后的靶材密度低,喷涂过程中Ag收集难度大等问题,方案为S1:将Ag纳米粉末、分散剂、粘接剂和溶剂混合均匀,然后进行球磨后得到浆料;S2:将所述浆料进行喷雾造粒...
  • 本发明公开了一种用于降低镀膜掉渣率的NiCr靶材表面处理方法,涉及溅射镀膜领域,旨在解决NiCr靶材镀膜掉渣率高的问题,其技术方案要点是:一种用于降低镀膜掉渣率的NiCr靶材表面处理方法,包括以下步骤:S1、靶材准备:准备表面未处理的N...
  • 本发明公开了一种半导体集成电路腔体防腐蚀涂层用复合粉及制备方法,涉及半导体集成电路腔体用防腐蚀涂层领域,其技术方案要点是:将碳化钽原料粉体加入行星式球磨机,采用碳化钽材质磨料球磨;加入石墨粉体,并加入有机胶黏剂,继续球磨制得料浆;用离心...
  • 本发明公开了一种吸气薄膜及其制备方法,涉及镀膜领域,旨在解决避免VC腔体真空度降低的问题,其技术方案要点是:将基片进行第一层薄膜沉积,靶材为纯度99.95%的NiV合金靶或纯度99.9%的NiCr合金靶或纯度99.99%的AgNi合金靶...
  • 本发明公开了一种金属镧靶材及其制备方法,涉及靶材制备领域,旨在解决如何获取金属镧靶材;其技术方案要点是:步骤一、镧粉制备:将镧氧化物加入到还原剂中,使用热还原法再高温高压下反应制得镧粉;步骤二、热压成型:将制得的镧粉放入模具中,通过设置...
  • 本发明公开了一种高导热铜背板及其制作方法,涉及溅射镀膜领域,旨在解决铜背板散热问题,其技术方案要点是:S1、准备实心的铜板A;S2、将实心的铜板A进行CNC加工,获得腔体;S3、准备实心的铜板B;S4、将铜板A和铜板B进行脱脂清洗,烘烤...
  • 本发明公开了一种铝及铝合金靶管绑定工艺,涉及靶材绑定领域,S1、喷砂;S2、涂胶:将管靶内径和背管外径涂胶处理;S3、绑定:将管靶套入背管内,每两节管靶之间放入0.1‑0.3mm厚的间隙片,依次将整支靶管套入背管进行绑定;S4、固化:采...
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