一种吸气薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种吸气薄膜及其制备方法，涉及镀膜领域，旨在解决避免VC腔体真空度降低的问题，其技术方案要点是：将基片进行第一层薄膜沉积，靶材为纯度99.95％的NiV合金靶或纯度99.9％的NiCr合金靶或纯度99.99％的AgNi合金靶；再进行第二层薄膜沉积，靶材为纯度99.95％的Pd靶；再进行第三层薄膜沉积，靶材为纯度99.9％的TiZr合金靶；再进行第四层薄膜沉积，靶材为纯度99.95％的Pd靶；再进行第五层薄膜沉积，靶材为纯度99.9％的TiZr合金靶；再进行第六层薄膜沉积，靶材为纯度99.95％的Pd靶；再进行第七层薄膜沉积，靶材为纯度99.95％的NiV合金靶或纯度99.9％NiCr合金靶或纯度99.99％AgNi合金靶。本发明专利技术的一种吸气薄膜及其制备方法能够保证VC腔体的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及镀膜领域，更具体地说，它涉及一种吸气薄膜及其制备方法。

技术介绍

1、随着手机厂商对手机性能的不断追求，要求更轻、更薄、更快。其中的“快”就是指处理速度快，因此手机配置的处理芯片的功耗变得越来越高，而高功耗的芯片肯定会带来的手机发烫问题，解决高热流密度的vc液冷均温板(真空腔均热板技术,英文名称vaporchamber)的技术要求随之也越来越高。

2、传统vc采用导热较好的铜带材，由于铜带材太软，过薄没有支撑强度，铜vc根本做不到0.25mm以下厚度，因此不锈钢材质vc技术应运而生。在不锈钢vc的150℃高温老化测试过程发现，其性能衰减明显差于铜vc。经过12h老化，基本所有vc性能失效。分析结果表明，不锈钢vc内部液体(水)会跟接触材料有化学反应，产生氢气，导致vc腔体真空度降低，性能衰减严重，甚至失效。

3、因此需要提出一种新的方案来解决这个问题。

技术实现思路

1、针对现有技术存在的不足，本专利技术的目的在于提供一种吸气薄膜及其制备方法，将吸气材料内置于不锈钢腔体，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种吸气薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤，

2.根据权利要求1所述的一种吸气薄膜的制备方法，其特征在于：所述薄膜沉积的方式均为磁控溅射。

3.根据权利要求1或2所述的一种吸气薄膜的制备方法，其特征在于：在S4中，薄膜沉积功率密度为4W/cm2，Ar气体流量30sccm，沉积时间30s。

4.根据权利要求1或2所述的一种吸气薄膜的制备方法，其特征在于：在S5中，薄膜沉积功率密度2W/cm2，Ar气体流量30sccm，沉积时间80s。

5.根据权利要求1或2所述的一种吸气薄膜的制备方法，其特征在于：在S6中，薄膜沉积功率密度3W/c...

【技术特征摘要】

1.一种吸气薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤，

2.根据权利要求1所述的一种吸气薄膜的制备方法，其特征在于：所述薄膜沉积的方式均为磁控溅射。

3.根据权利要求1或2所述的一种吸气薄膜的制备方法，其特征在于：在s4中，薄膜沉积功率密度为4w/cm2，ar气体流量30sccm，沉积时间30s。

4.根据权利要求1或2所述的一种吸气薄膜的制备方法，其特征在于：在s5中，薄膜沉积功率密度2w/cm2，ar气体流量30sccm，沉积时间80s。

5.根据权利要求1或2所述的一种吸气薄膜的制备方法，其特征在于：在s6中，薄膜沉积功率密度3w/cm2，ar气体流量30sccm，沉积时间20s。

6.根据权利要求1或2所述的一种吸...

【专利技术属性】
技术研发人员：张剑，
申请(专利权)人：基迈克材料科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：