一种用于半导体耐腐蚀防护涂层的复合粉及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种用于半导体耐腐蚀防护涂层的复合粉及其制备方法，涉及半导体防护涂层材料制备领域，旨在解决适用于等离子喷涂制备半导体领域耐腐蚀防护涂层的问题，其技术方案要点是：(1)将碳化铌原料粉体球磨；(2)加入铌粉料并加入有机胶黏剂，继续球磨；(3)将料浆制成造粒粉料；(4)采用振动筛进行筛分，制得造粒粉料；(5)采用加热炉进行加热烧结；(6)经振动筛分，制得粒径为30‑80μm的等离子喷涂制备半导体领域耐腐蚀防护涂层用复合粉。本发明专利技术的一种用于半导体耐腐蚀防护涂层的复合粉的制备方法能够制备等离子喷涂制备半导体领域耐腐蚀防护涂层用复合粉。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体防护材料领域，更具体地说，它涉及一种用于半导体耐腐蚀防护涂层的复合粉及其制备方法。

技术介绍

1、半导体行业近年来发展迅速，例如外延生长半导体晶体材料领域、集成电路制造设备等领域，而制造半导体晶体材料及集成电路核心制造设备的运行工况一般都是高温、等离子体侵蚀性环境，设备材料在这种环境下容易发生腐蚀失效，更重要的是会影响所制造的半导体材料的纯度及集成电路的质量，因此，需要在半导体制造设备材料表面制备一层防护涂层。

2、碳化铌具有优异的高温化学稳定性及耐腐蚀性能，能够有效避免设备材料在高温、侵蚀性工况下发生腐蚀，目前广泛应用的是采用pvd或cvd化学气相沉积的方法在设备材料表面制备一层碳化铌涂层，但涂层制备效率不高，虽然等离子喷涂方法喷涂涂层效率高，但由于碳化铌高温下容易氧化分解，导致等离子喷涂制备的涂层结合性能差，沉积率低，无法在半导体设备材料表面制备有效的防护涂层。

3、因此，如何制备一种适用于等离子喷涂制备半导体领域耐腐蚀防护涂层用复合粉成为迫切需要解决的技术难题。

<b>技术实现思路...

【技术保护点】

1.一种用于半导体耐腐蚀防护涂层的复合粉的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种用于半导体耐腐蚀防护涂层的复合粉的制备方法，其特征在于：在步骤(1)中，所述碳化铌原料粉体的粒径为50-90μm。

3.根据权利要求1或2所述的一种用于半导体耐腐蚀防护涂层的复合粉的制备方法，其特征在于：在步骤(1)中，球磨时在氩气气氛下球磨10-20小时，球磨后碳化铌粒径为20-80nm。

4.根据权利要求1所述的一种用于半导体耐腐蚀防护涂层的复合粉的制备方法，其特征在于：在步骤(2)中，所述铌粉料的粒径为40-80μm。</p>

5.根据...

【技术特征摘要】

1.一种用于半导体耐腐蚀防护涂层的复合粉的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种用于半导体耐腐蚀防护涂层的复合粉的制备方法，其特征在于：在步骤(1)中，所述碳化铌原料粉体的粒径为50-90μm。

3.根据权利要求1或2所述的一种用于半导体耐腐蚀防护涂层的复合粉的制备方法，其特征在于：在步骤(1)中，球磨时在氩气气氛下球磨10-20小时，球磨后碳化铌粒径为20-80nm。

4.根据权利要求1所述的一种用于半导体耐腐蚀防护涂层的复合粉的制备方法，其特征在于：在步骤(2)中，所述铌粉料的粒径为40-80μm。

5.根据权利要求1或4所述的一种用于半导体耐腐蚀防护涂层的复合粉的制备方法，其特征在于：在步骤(2)中，球磨2-5小时，制得固含...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕孝永，
申请(专利权)人：基迈克材料科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：