本发明公开了一种用于降低镀膜掉渣率的NiCr靶材表面处理方法，涉及溅射镀膜领域，旨在解决NiCr靶材镀膜掉渣率高的问题，其技术方案要点是：一种用于降低镀膜掉渣率的NiCr靶材表面处理方法，包括以下步骤：S1、靶材准备：准备表面未处理的N...

本发明公开了一种半导体集成电路腔体防腐蚀涂层用复合粉及制备方法，涉及半导体集成电路腔体用防腐蚀涂层领域，其技术方案要点是：将碳化钽原料粉体加入行星式球磨机，采用碳化钽材质磨料球磨；加入石墨粉体，并加入有机胶黏剂，继续球磨制得料浆；用离心...

本发明公开了一种吸气薄膜及其制备方法，涉及镀膜领域，旨在解决避免VC腔体真空度降低的问题，其技术方案要点是：将基片进行第一层薄膜沉积，靶材为纯度99.95％的NiV合金靶或纯度99.9％的NiCr合金靶或纯度99.99％的AgNi合金靶...

本发明公开了一种金属镧靶材及其制备方法，涉及靶材制备领域，旨在解决如何获取金属镧靶材；其技术方案要点是：步骤一、镧粉制备：将镧氧化物加入到还原剂中，使用热还原法再高温高压下反应制得镧粉；步骤二、热压成型：将制得的镧粉放入模具中，通过设置...

本发明公开了一种高导热铜背板及其制作方法，涉及溅射镀膜领域，旨在解决铜背板散热问题，其技术方案要点是：S1、准备实心的铜板A；S2、将实心的铜板A进行CNC加工，获得腔体；S3、准备实心的铜板B；S4、将铜板A和铜板B进行脱脂清洗，烘烤...

本发明公开了一种铝及铝合金靶管绑定工艺，涉及靶材绑定领域，S1、喷砂；S2、涂胶：将管靶内径和背管外径涂胶处理；S3、绑定：将管靶套入背管内，每两节管靶之间放入0.1‑0.3mm厚的间隙片，依次将整支靶管套入背管进行绑定；S4、固化：采...

本发明公开了一种提高复合集流体膜基结合力的靶材及其制备方法，涉及镀膜领域，旨在提高锂电池复合集流体膜基结合力，其技术方案要点是：S1、将待真空熔炼的NiXY合金靶的原料清洗，合金靶主元材质为电解Ni，X、Y元素次元材质，其中X、Y元素包...

本发明公开了一种氧化铝陶瓷的制备方法及其氧化铝陶瓷，涉及陶瓷制备领域，其技术方案要点是：S1：将质量百分比70%‑90%的α氧化铝粉末、质量百分比为10%‑30%的γ相氧化铝和θ相氧化铝的一种或两种称重配比；S2：将配比后的氧化铝粉末加...

本发明公开了一种增强锂电池复合集流体膜基结合力的方法，涉及镀膜领域，旨在解决锂电池膜基结合力的问题，其技术方案要点是：一种增强锂电池复合集流体膜基结合力的方法，S1、基材的准备：准备PP基材；S2、将PP基材进行等离子清洗；S3、将PP...

本发明公开了一种触控器件的铜合金触控靶材的制备方法，其技术方案要点是：包括以下具体步骤：步骤1、靶材掺杂元素的选取和配比：根据最终所需达到膜层性能，从Zr、Cr、Zn、Al中选取计算，并分析出靶材元素掺杂元素种类和配比；步骤2、真空熔炼...

本发明公开了一种溅射镀膜机腔体防护罩喷涂陶瓷绝缘层的方法，涉及涂层制备领域，旨在解决在溅射镀膜机腔体防护罩表面制备无锈蚀黄点的问题，其技术方案要点：S1、去除防护罩表面的氧化铝涂层；S2、喷砂粗化表面，清除表面灰尘；S3、采用等离子喷涂...

本发明公开了一种异形半导体靶材的制备方法，涉及半导体靶材制备领域，旨在解决目前异形半导体靶材制备成本高，内部组织均匀性差的问题，其技术方案要点是：1)原料准备；2)模具及设备准备；3)原材料预热；4)锻压；5)轧制：根据原材料材质不同，...

本发明公开了一种将微量硫元素引入熔炼制程材料的方法，其技术方案要点是：包括以下步骤：先熔炼一个小铸锭预合金确定硫元素烧损比例，将黄铁矿原材进行研磨制粉，震动均匀后，取一定重量的粉末，配一定量的单质材料或合金材料，进行熔炼，对得到的铸锭进...

本发明公开了一种锂电池复合集流体铜管靶制备方法，涉及镀膜领域，旨在解决制造晶粒尺寸小于25um的靶材其技术方案要点是：一种锂电池复合集流体铜管靶制备方法，包括以下步骤：S1、将电解铜原料进行真空熔铸，浇铸成圆型的铸锭；S2、将熔铸好的铸...

本发明公开了一种制备异种金属靶材的方法，涉及靶材制备领域，旨在解决靶材溅射均匀性的问题，其技术方案要点是：准备背板及靶材；根据靶材材质，选用相应屈服强度的轧辊；根据材料和成品厚度设计轧制形变量，计算原料锭厚度；进行退火；板材校平；板材机...

本发明公开了一种半导体用的高纯低氧细晶Ag旋转管靶的制作方法，其技术方案要点是：包括以下步骤：S1、备料：准备纯度大于99.999％的Ag原料备用；S2、熔炼：将Ag原料置于熔炼炉中，进行熔炼，得到Ag铸锭；S3、除氧：铸锭浇铸前，进行...

本发明公开了一种金属镓蒸发料的制备方法，涉及金属镓材料制备领域，旨在解决获得高纯金属镓蒸发料；其技术方案要点是：步骤一：准备含有高纯度金属镓离子的溶液；步骤二，加入还原剂并加热反应溶液；步骤三：在反应过程中，金属镓离子被还原为金属镓颗粒...

本发明公开了一种锂靶材成型方法，涉及溅射镀膜领域，旨在提供一种锂靶材成型方法，其技术方案要点是：S1、将SST不锈钢管两端头进行预处理，将冲压模具和不锈钢管组装；S2、将锂锭置于坩埚中加热熔化成锂液；S3、将不锈钢管放置于真空手套箱内，...

本发明公开了一种光伏用钙钛矿蒸发源的制备方法，涉及光伏材料制备领域，旨在提供一种操作简单、成本低廉的光伏用钙钛矿蒸发源的制备方法，其技术方案要点是一种光伏用钙钛矿蒸发源的制备方法，包括以下步骤，步骤一、准备钙钛矿材料；步骤二、制备钙钛矿...

本发明公开了一种铜锡合金靶材的制备方法，涉及半导体加工领域，旨在解决目前制备铜锡合金存在成分偏析空隙的缺陷，其技术方案要点是：A、按照Cu：Sn＝40：60