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【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及铜合金触控靶材,特别涉及一种触控器件的铜合金触控靶材的制备方法。
技术介绍
1、镀膜靶材是通过磁控溅射、多弧离子镀或其他类型的镀膜系统在适当工艺条件下溅射在基板上形成各种功能薄膜的溅射源。简单说的话,靶材就是高速荷能粒子轰击的目标材料,用于高能激光武器中,不同功率密度、不同输出波形、不同波长的激光与不同的靶材相互作用时,会产生不同的杀伤破坏效应。
2、如授权公告号为cn214422738u的中国专利,其公开了一种铜靶材,属于溅射材料领域。铜靶材包括沿靶材厚度方向层叠设置的多个无晶界铜层,每个无晶界铜层的晶格取向相同且均为cu(111)、cu(110)、cu(211)和cu(100)中的一种
3、上述的这种铜靶材具有整体一致性较好的优点;但是上述的这种铜靶材以及市场上常用的靶材依旧存在着一些缺点,如:该种靶材具有很高的电导率,但其制备出的膜层抗氧化能力不能满足高温环境中长时间烘烤,因此需要提高其抗氧化能力;市面上也有cual合金靶材,可满足其抗氧化能力,但电导率不能满足≥70%iacs;而ag元素可增强其机械性能,但对其抗氧化能力的增强影响不大;fe对半导体材料有致命影响,mg则对显示器另一种成分产生冲击,稀土的增加可以增强其抗氧化钪腐蚀能力,但稀土对氧敏感,极易吸收氧元素从而使合金变成氧化物,且安全性有风险
技术实现思路
1、针对
技术介绍
中提到的问题,本专利技术的目的是提供一种触控器件的铜合金触控靶材的制备方法,以解决
技术介绍
中提到的问题。 ...
【技术保护点】
1.一种触控器件的铜合金触控靶材的制备方法,其特征在于:包括以下具体步骤:
2.根据权利要求1所述的一种触控器件的铜合金触控靶材的制备方法,其特征在于:所述Zr元素的掺杂质量为1%-2%;所述Cr元素的掺杂质量为0.4%-1.1%,所述Zn元素的掺杂质量为0.03%-0.3%,所述Al元素的掺杂质量为0.5%-0.7%。
3.根据权利要求1所述的一种触控器件的铜合金触控靶材的制备方法,其特征在于:所述步骤2中,将真空熔炼室抽真空至0.1-2.0Pa。
4.根据权利要求1所述的一种触控器件的铜合金触控靶材的制备方法,其特征在于:所述步骤3中,同时对浇铸模具进行预热,避免高温溶液遇冷模具瞬间凝固缩孔导致成型不好。
5.根据权利要求1所述的一种触控器件的铜合金触控靶材的制备方法,其特征在于:所述步骤5、合金成型加工中,控制氧含量≤160ppm。
6.根据权利要求1所述的一种触控器件的铜合金触控靶材的制备方法,其特征在于:所述步骤6、合金靶材轧制处理中,控制铝钪板材总变形量为90%以上,厚度5-15mm,使用校平机校平板材,保证
7.根据权利要求1所述的一种触控器件的铜合金触控靶材的制备方法,其特征在于:为了使熔炼过程中熔炼温度差最小,通过二元相图或多元相图计算出原料合金的成分和配比。
8.根据权利要求1所述的一种触控器件的铜合金触控靶材的制备方法,其特征在于:所述步骤9中,当平面靶材性能满足需求后,可研制旋转靶材来提高其利用率,具体步骤如下:
9.根据权利要求1所述的一种触控器件的铜合金触控靶材的制备方法,其特征在于:所述步骤2、真空熔炼中原料投入过程中采取均匀交错投料的方式。
...【技术特征摘要】
1.一种触控器件的铜合金触控靶材的制备方法,其特征在于:包括以下具体步骤:
2.根据权利要求1所述的一种触控器件的铜合金触控靶材的制备方法,其特征在于:所述zr元素的掺杂质量为1%-2%;所述cr元素的掺杂质量为0.4%-1.1%,所述zn元素的掺杂质量为0.03%-0.3%,所述al元素的掺杂质量为0.5%-0.7%。
3.根据权利要求1所述的一种触控器件的铜合金触控靶材的制备方法,其特征在于:所述步骤2中,将真空熔炼室抽真空至0.1-2.0pa。
4.根据权利要求1所述的一种触控器件的铜合金触控靶材的制备方法,其特征在于:所述步骤3中,同时对浇铸模具进行预热,避免高温溶液遇冷模具瞬间凝固缩孔导致成型不好。
5.根据权利要求1所述的一种触控器件的铜合金触控靶材的制备方法,其特征在于:所述步骤...
【专利技术属性】
技术研发人员:顾宗慧,
申请(专利权)人:基迈克材料科技苏州有限公司,
类型:发明
国别省市:
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